[發(fā)明專(zhuān)利]先進(jìn)四方扁平無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910152281.1
• 申請(qǐng)日: 2009-07-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101656234A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-02-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林俊宏;張簡(jiǎn)寶徽;胡平正;鄭維倫
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/13
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/13;H01L23/48;H01L23/495;H01L23/31;H01L23/58;H01L21/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 邱 軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是涉及一種先進(jìn)四方扁平無(wú)引腳(advanced?quad?flat?non-leaded，a-QFN)封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

根據(jù)導(dǎo)線(xiàn)架(leadframe)的引腳(lead)的形狀，四方扁平封裝(quad?flatpackage，QFP)可以分為I型(QFI)、J型(QFJ)與無(wú)引腳型(QFN)封裝。由于QFN封裝結(jié)構(gòu)具有相對(duì)較短的信號(hào)線(xiàn)(signal?trace)以及較快的信號(hào)傳輸速率，因此成為一種普遍的具有低腳數(shù)(pin?count)封裝結(jié)構(gòu)，且適用于具有高頻率(例如，射頻頻寬(radio?frequency?bandwidth))傳輸?shù)男酒庋b。

一般來(lái)說(shuō)，在QFN封裝結(jié)構(gòu)的工藝中，將多個(gè)芯片配置于導(dǎo)線(xiàn)架上，且通過(guò)多個(gè)焊線(xiàn)(bonding?wire)而電性連接至導(dǎo)線(xiàn)架。然后，形成封裝膠體(molding?compound)，以包覆導(dǎo)線(xiàn)架、芯片與焊線(xiàn)。最后，通過(guò)切割工藝(singulation?process)來(lái)形成多個(gè)QFN封裝結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種先進(jìn)四方扁平無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，其減少了芯片座(die?pad)暴露面積，以降低剝離(delamination)的風(fēng)險(xiǎn)。

為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提出一種先進(jìn)四方扁平無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)。此先進(jìn)四方扁平無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)包括承載器(carrier)、芯片與封裝膠體。承載器具有上表面與相對(duì)于上表面的下表面。承載器包括芯片座與多個(gè)引腳。芯片座具有中央部分、周邊部分與多個(gè)連接部分。周邊部分配置于中央部分周?chē)＿B接部分連接中央部分與周邊部分。連接部分彼此分離。周邊部分、連接部分與中央部分定義出至少兩個(gè)中空區(qū)域(hollow?region)。引腳配置于芯片座周?chē)渲忻恳粋€(gè)引腳包括配置于上表面上的內(nèi)引腳與配置于下表面上的外引腳。芯片配置于承載器的上表面上，且位于芯片座的中央部分中，其中芯片經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)線(xiàn)(wire)而電性連接至內(nèi)引腳。封裝膠體包覆芯片、導(dǎo)線(xiàn)、內(nèi)引腳與部分承載器。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，芯片座的周邊部分作為接地環(huán)(ground?ring)之用，其中芯片座的周邊部分經(jīng)由導(dǎo)線(xiàn)而電性連接至芯片。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，承載器還包括至少一個(gè)電源環(huán)(power?ring)，其中電源環(huán)配置于引腳與芯片座的周邊部分之間，并經(jīng)由導(dǎo)線(xiàn)而電性連接至芯片，且電源環(huán)與接地環(huán)電性絕緣。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，先進(jìn)四方扁平無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)還包括粘著層，其配置于芯片與芯片座的中央部分之間。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，芯片座的中央部分具有多邊形(polygonal)的形狀。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，周邊部分經(jīng)由連接部分而與中央部分的至少一側(cè)連接。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，周邊部分經(jīng)由連接部分而與中央部分的至少一個(gè)角落連接。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，引腳的材料包括金(gold)或鈀(palladium)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，任何兩個(gè)相鄰的引腳之間的距離大于或等于400微米。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，中央部分的底部表面與周邊部分的底部表面共平面(coplanar)，而中央部分的上表面與周邊部分的上表面不共平面。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，芯片的邊緣與中央部分的邊緣之間的距離大于或等于300微米。

本發(fā)明另提出一種先進(jìn)四方扁平無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括以下步驟。首先，提供承載器，其中第一圖案化金屬層形成于承載器的上表面上，且第二圖案化金屬層形成于承載器的下表面上。承載器包括至少一個(gè)容置凹穴(accommodating?cavity)與多個(gè)第一開(kāi)口。然后，提供芯片。芯片配置于容置凹穴的中央部分上，且經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)線(xiàn)而電性連接至承載器的第一圖案化金屬層。接著，形成封裝膠體，以包覆芯片、導(dǎo)線(xiàn)、承載器的第一圖案化金屬層，并填滿(mǎn)容置凹穴與第一開(kāi)口。而后，以第二圖案化金屬層為掩模，對(duì)承載器的下表面進(jìn)行蝕刻工藝，以蝕刻穿過(guò)承載器而暴露出填入第一開(kāi)口中的封裝膠體，且同時(shí)形成多個(gè)第二開(kāi)口與多個(gè)第三開(kāi)口。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在蝕刻工藝之后，承載器通過(guò)第二開(kāi)口而定義出多個(gè)引腳與芯片座。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，芯片座通過(guò)第三開(kāi)口同時(shí)定義出中央部分、周邊部分與多個(gè)連接部分。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在提供芯片之前，還包括在容置凹穴的中央部分上形成粘著層。