[發(fā)明專利]基底結(jié)構(gòu)及其制造方法和等離子體顯示面板無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910152236.6 | 申請日: | 2009-07-07 |
| 公開(公告)號: | CN101635241A | 公開(公告)日: | 2010-01-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金哲弘;金旼載;蔡韶羅;許銀起 | 申請(專利權(quán))人: | 三星SDI株式會社 |
| 主分類號: | H01J17/02 | 分類號: | H01J17/02;H01J17/04;H01J9/00;H01J9/02;H01J17/49 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 郭鴻禧;王青芝 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基底 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 等離子體 顯示 面板 | ||
本申請要求在美國專利商標(biāo)局于2008年7月7日提交的第61/078,730號美國臨時專利申請和第61/078,722號美國臨時專利申請、于2009年5月12日提交的第12/464,804號美國專利申請及于2009年7月1日提交的第12/496,587號美國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,所有這些申請的全部內(nèi)容通過引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP),更具體地講,涉及一種該P(yáng)DP的PDP基底結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)
等離子體顯示面板(PDP)是一種通過氣體放電來實現(xiàn)圖像的顯示裝置。即,氣體放電產(chǎn)生等離子體,等離子體輻射真空紫外(VUV)線,VUV線激發(fā)熒光體,被激發(fā)的熒光體穩(wěn)定以產(chǎn)生紅色(R)可見光、綠色(G)可見光和藍(lán)色(B)可見光。
例如,在一類PDP中,尋址電極形成在第一基底(后基底)上,介電層形成在第一基底上,以覆蓋尋址電極。障肋以條形圖案形成在相應(yīng)的尋址電極之間的介電層上。紅色(R)熒光層、綠色(G)熒光層和藍(lán)色(B)熒光層形成在障肋的內(nèi)表面上和介電層的表面上。
顯示電極(例如,成對形成的維持電極和掃描電極)形成在第二基底(前基底)上并且沿著與尋址電極交叉的方向延伸。
放電室被障肋隔開,并且形成在尋址電極與顯示電極的交叉區(qū)域處。因此,上百萬(或更多)的放電室可以以矩陣形式布置在PDP中。
在一個實施例中,第二基底(前基底)形成在諸如玻璃的透光材料上,顯示電極由透明導(dǎo)電材料制成,從而顯示電極不干擾到達(dá)第二基底的光。
與不透明金屬材料相比,在顯示電極(透明電極)的形成過程中使用的多數(shù)透明導(dǎo)電材料的電阻高。高電阻電極可能造成PDP以較低的速率運行,并且電壓降較高和/或功耗更大。提高透明電極的導(dǎo)電率的一條途徑是使用布置成與透明電極接觸的匯流(或金屬導(dǎo)電)電極。因此,對提高金屬導(dǎo)電電極的導(dǎo)電率(例如,降低電阻,具體地講,降低PDP電極在燒結(jié)后的比電阻)和電極的整體導(dǎo)電率存在著持續(xù)的需求。
發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明實施例的上下文中,比電阻是指利用燒結(jié)工藝形成的電極的每單位面積和每單位體積的電阻的結(jié)果。
通常,電極(例如,用于等離子體顯示面板(PDP)的匯流電極)的比電阻越低,電極的導(dǎo)電率越高。作為示例,鋁(Al)是較為廉價的電極材料,通常具有較高的比電阻,為大約100μΩ·cm或更高。這樣,傳統(tǒng)的Al電極具有較低的導(dǎo)電率。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,電極(例如,用于PDP的匯流電極)包括第一層和第二層。第二層形成在基底上,并且包含鋁(Al)材料。第一層形成在基底和第二層之間,并且包含比電阻比Al的比電阻低的導(dǎo)電材料。光吸收層形成在基底上并與電極相鄰,光吸收層是第一層的導(dǎo)電材料的氧化產(chǎn)物。這樣,電極包含較為廉價的Al而不是貴金屬,并且可以利用不要求昂貴設(shè)備的光刻方法來形成;同時,電極可以具有較低的比電阻(例如,大約20μΩ·cm或更低)。
另外,在一個實施例中,第二層還包含用來保護(hù)Al材料免于氧化的表面處理劑。此外,在一個實施例中,形成為電極的第一層還具有從被氧化的電極延伸出去以形成光吸收層的部分,從而簡化了制造工藝。
本發(fā)明的另一實施例旨在針對一種PDP基底結(jié)構(gòu),該P(yáng)DP基底結(jié)構(gòu)包括基底、位于基底上的電極和位于基底上的光吸收層。在一個實施例中,光吸收層是第一層的導(dǎo)電材料的氧化產(chǎn)物。電極包括:第一層,具有比電阻比第二層的比電阻低的導(dǎo)電材料;第二層,包含鋁(Al)材料。第一層在基底和第二層之間。
在一個實施例中,第二層還包括保護(hù)Al材料免于氧化的表面處理劑,具體地講,Al材料覆蓋有表面處理劑。在一個實施例中,表面處理劑包括纖維素醚,Al材料包含燒結(jié)后的Al顆粒。
第一層的導(dǎo)電材料可以包括銅(Cu)或鎳(Ni)。在一個實施例中,光吸收層在顏色方面基本是黑色的,并且起著用來保護(hù)電極免于短路的絕緣體的作用。電極可以具有大約20μΩ·cm或更低的比電阻。
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