[發(fā)明專利]基底結構及其制造方法和等離子體顯示面板

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910152236.6
• 申請日: 2009-07-07
• 公開（公告）號: CN101635241A
• 公開（公告）日: 2010-01-27
• 發(fā)明（設計）人: 金哲弘;金旼載;蔡韶羅;許銀起
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01J17/02
• 分類號: H01J17/02;H01J17/04;H01J9/00;H01J9/02;H01J17/49
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭鴻禧;王青芝

1、一種等離子體顯示面板基底結構，包括：

基底；

電極，位于基底上，并且包括第一層和第二層，第二層包含Al材料，第一層在基底和第二層之間并且包含導電材料，第一層的比電阻比第二層的比電阻低；

光吸收層，位于基底上，光吸收層是第一層的導電材料的氧化產物。

2、如權利要求1所述的等離子體顯示面板基底結構，其中，第二層還包含用來保護Al材料免于氧化的表面處理劑。

3、如權利要求2所述的等離子體顯示面板基底結構，其中，表面處理劑包括纖維素醚。

4、如權利要求2所述的等離子體顯示面板基底結構，其中，??Al材料覆蓋有表面處理劑。

5、如權利要求2所述的等離子體顯示面板基底結構，其中，Al材料包含燒結后的Al顆粒。

6、如權利要求1所述的等離子體顯示面板基底結構，其中，第一層的導電材料包括Cu或Ni。

7、如權利要求1所述的等離子體顯示面板基底結構，其中，光吸收層在顏色方面是黑色的。

8、如權利要求1所述的等離子體顯示面板基底結構，其中，光吸收層是用來保護電極免于短路的絕緣體。

9、如權利要求1所述的等離子體顯示面板基底結構，其中，電極的比電阻為20μΩ·cm或小于20μΩ·cm。

10、一種等離子體顯示面板基底結構，包括：

基底；

電極，位于基底上，并包括第一層和第二層，第二層包含Al材料，第一層在基底和第二層之間并包含導電材料，電極的比電阻不大于20μΩ·cm；

光吸收層，位于基底上，光吸收層是第一層的導電材料的氧化產物。

11、一種制造等離子體顯示面板基底結構的方法，所述方法包括以下步驟：

在基底上形成包含導電材料的第一導電層，所述導電材料的比電阻比Al的比電阻低；

在第一導電層上形成包含Al材料的第二導電層；

通過將第二導電層圖案化來形成第二導電層圖案，以暴露第一導電層的第一部分；

通過燒結第一導電層的被第二導電層圖案覆蓋的第二部分，以使第一導電層的第二部分與第二導電層圖案結合，從而形成電極；

通過氧化第一導電層的被第二導電層圖案暴露的第一部分來形成光吸收層。

12、如權利要求11所述的方法，其中，所述形成第二導電層的步驟包括：形成包括Al顆粒的Al液態(tài)組成物和用來保護Al顆粒免于氧化的表面處理劑。

13、如權利要求12所述的方法，其中，在第二導電層中形成按重量計為18份至40.8份的范圍內的量的Al顆粒，在第二導電層中形成按重量計為3份至34份的范圍內的量的表面處理劑。

14、如權利要求11所述的方法，其中，所述形成第二導電層的步驟包括形成以下物質：按重量計為60份至68份的Al液態(tài)組成物，Al液態(tài)組成物包括Al顆粒和表面處理劑；按重量計為2.5份至5.5份的玻璃料；按重量計為15.5份至37.5份的賦形劑。

15、一種制造等離子體顯示面板基底結構的方法，所述方法包括以下步驟：

在基底上形成包含導電材料的第一導電層；

在第一導電層上形成包含Al材料的第二導電層；

通過將第二導電層圖案化來形成第二導電層圖案，以暴露第一導電層的第一部分；

通過燒結第一導電層的被第二導電層圖案覆蓋的第二部分，以使第一導電層的第二部分與第二導電層圖案結合，從而形成電極，電極的比電阻不大于20μΩ·cm；

通過氧化第一導電層的被第二導電層圖案暴露的第一部分來形成光吸收層。