[發(fā)明專利]電泳顯示設(shè)備及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910151781.3
• 申請(qǐng)日: 2009-07-15
• 公開（公告）號(hào): CN101762925A
• 公開（公告）日: 2010-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李裁求;樸宰秀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/167
• 分類號(hào): G02F1/167
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 黃綸偉

1.一種電泳顯示設(shè)備，該電泳顯示設(shè)備包括：

第一基板，其包括有源區(qū)、密封劑形成區(qū)以及非有源區(qū)；

形成在所述有源區(qū)中的薄膜晶體管陣列；

與所述第一基板相對(duì)的第二基板；

位于所述第一基板和第二基板之間的電泳膜；

形成在所述密封劑形成區(qū)中的密封劑；

形成在所述密封劑形成區(qū)中的密封劑阻擋塊，

其中所述密封劑阻擋塊包括至少兩個(gè)壩狀物以及壩狀物之間的溝，

其中所述密封劑形成區(qū)設(shè)置在所述有源區(qū)和非有源區(qū)之間的邊界部 分中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電泳顯示設(shè)備，其中所述密封劑在被硬化 之前被分配在所述密封劑形成區(qū)的與所述有源區(qū)鄰近的一部分中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電泳顯示設(shè)備，其中所述密封劑阻擋塊形 成在所述密封劑形成區(qū)的與所述非有源區(qū)鄰近的一部分中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電泳顯示設(shè)備，其中所述第一基板和第二 基板各包括柔性材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電泳顯示設(shè)備，其中所述第一基板還包括 柵絕緣膜和鈍化膜，并且其中所述壩狀物由與所述柵絕緣膜和鈍化膜相 同的材料形成。

6.一種制造電泳顯示設(shè)備的方法，該方法包括以下步驟：

制備第一基板以及第二基板，其中所述第一基板包括有源區(qū)、密封 劑形成區(qū)和非有源區(qū)；

在所述第一基板的所述有源區(qū)中形成柵極和選通線；

在所述第一基板的包括所述密封劑形成區(qū)和所述有源區(qū)的一部分上 形成柵絕緣膜；

在所述柵絕緣膜上形成半導(dǎo)體圖案和源極和漏極；

在具有所述源極和漏極和所述密封劑形成區(qū)的所述第一基板上形成 鈍化膜；

形成與所述漏極相連的像素電極；

在所述第一基板和第二基板之間形成電泳膜；以及

在所述密封劑形成區(qū)中分配密封劑，

其中對(duì)所述密封劑形成區(qū)中的所述柵絕緣膜和鈍化膜被進(jìn)行構(gòu)圖以 提供至少兩個(gè)壩狀物以及壩狀物之間的溝，

其中所述密封劑形成區(qū)設(shè)置在所述有源區(qū)和非有源區(qū)之間的邊界部 分中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述壩狀物設(shè)置在所述鈍化膜 和柵絕緣膜的構(gòu)圖步驟之后所述鈍化膜和柵絕緣膜被保留的區(qū)域上，而 所述溝設(shè)置在所述鈍化膜和柵絕緣膜的構(gòu)圖步驟之后所述鈍化膜和柵絕 緣膜被去除的區(qū)域上。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述壩狀物以所述柵絕緣膜和 鈍化膜的堆疊層來形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述鈍化膜具有露出所述漏極 的接觸孔。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在對(duì)所述鈍化膜進(jìn)行構(gòu)圖以 提供所述接觸孔的期間對(duì)位于所述密封劑形成區(qū)中的所述鈍化膜和柵絕 緣膜進(jìn)行構(gòu)圖。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述密封劑被分配在所述密 封劑形成區(qū)的與所述有源區(qū)鄰近的一部分中。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述壩狀物和溝形成在所述 密封劑形成區(qū)的與所述非有源區(qū)域鄰近的一部分中。

13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第一基板和第二基板各 包括柔性材料。