[發(fā)明專利]摻Bi鹵化物激光晶體及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910151679.3 | 申請(qǐng)日: | 2009-07-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101643934A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-02-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐軍;蘇良碧;李紅軍;周朋;喻軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號(hào): | C30B29/12 | 分類號(hào): | C30B29/12;H01S3/16 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 | 代理人: | 許亦琳;余明偉 |
| 地址: | 200050上*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | bi 鹵化物 激光 晶體 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種摻Bi鹵化物激光晶體及其制備方法,屬于激光晶體領(lǐng)域。
背景技術(shù)
脈沖寬度為飛秒量級(jí)的激光以其具有的超短脈沖、高峰值功率和寬光譜等特性,在超 快光譜學(xué)、微電子加工、光鐘、計(jì)量、全息、高容量光通訊等眾多領(lǐng)域有著光譜的應(yīng)用。 20世紀(jì)90年代發(fā)展起來(lái)的基于鈦寶石晶體的飛秒激光器是目前可以獲得最短脈沖、使用最 多的超快激光裝置,主要被實(shí)驗(yàn)室研究和應(yīng)用。由于鈦寶石的532nm泵浦源體積大、電效 率低、價(jià)格昂貴,限制了其作為商用飛秒激光器向小型化、低成本的方向發(fā)展。所以,小 型激光二極管(LD)直接泵浦的飛秒激光器成為開(kāi)發(fā)新一代緊湊型、高效率、低成本商用 飛秒激光器的熱點(diǎn)。
除過(guò)渡金屬離子和稀土離子之外,主族金屬離子(如Bi、Pb、Tl、Te等)可以歸為第 三類激活離子。與過(guò)渡金屬離子類似,主族金屬離子的價(jià)電子無(wú)外層電子的屏蔽作用,與 晶場(chǎng)相互作用強(qiáng),因此電子躍遷形成的吸收、發(fā)射光譜非常寬。最近日本學(xué)者Fujimoto首 次發(fā)現(xiàn)了摻Bi離子玻璃在近紅外波段1000-1600nm具有寬帶發(fā)光(FWHM>200nm)和 光放大。隨后,我國(guó)的邱建榮教授研究小組也開(kāi)展了相關(guān)的研究工作,并初步推斷紅外發(fā) 光機(jī)理是低價(jià)態(tài)的Bi離子。2005年,俄羅斯科學(xué)家首次在摻Bi光纖中實(shí)現(xiàn)了激光輸出, 激光波長(zhǎng)1150-1300nm。顯而易見(jiàn),Bi離子摻入具有有序結(jié)構(gòu)的晶體中將比無(wú)序結(jié)構(gòu)的玻 璃的發(fā)光量子效率高得多,激光振蕩的閾值功率也要低得多。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種摻Bi鹵化物激光晶體及其制備方法。
本發(fā)明篩選具有合適組分、易于生長(zhǎng)單晶的化合物作為Bi離子的摻雜基質(zhì),獲得具有紅 外1.0~1.7μm波段寬帶發(fā)光特性的摻Bi鹵化物激光晶體,可應(yīng)用于產(chǎn)生波長(zhǎng)調(diào)諧范圍寬和鎖 模超短脈沖激光輸出。
根據(jù)已有的文獻(xiàn)報(bào)道,在一定的還原氣氛下制備摻Bi玻璃有利于提高紅外發(fā)光強(qiáng)度,且 氧化鉍原料(Bi2O5或Bi2O3)高溫下會(huì)分解成低價(jià)態(tài)的Bi離子。因此,紅外發(fā)光機(jī)理可推斷 為低價(jià)態(tài)的Bi離子:Bi2+或Bi+。再結(jié)合如下的依據(jù):(1)摻Bi玻璃紅外熒光壽命一般為ms 量級(jí);(2)Bi2+離子及與其等電子的Ti原子、Pb+離子的第一激發(fā)態(tài)熒光壽命均為μs量級(jí);(3) 而與Bi+離子等電子的Pb原子第一激發(fā)態(tài)熒光壽命為ms量級(jí)。因此,我們推斷Bi離子紅外發(fā) 光中心為Bi+離子。
本發(fā)明基于如下幾點(diǎn)篩選基質(zhì)晶體:(1)Bi+離子半徑大(約145pm),則化合物的中心 陽(yáng)離子應(yīng)為離子半徑與之相當(dāng)?shù)牡蛢r(jià)態(tài)離子(+2、+1);(2)化合物的組分中不含有價(jià)態(tài)高 于+2價(jià)的中心陽(yáng)離子;(3)化合物容易生長(zhǎng)成單晶體;(4)單晶體具有較好的熱、機(jī)械綜合 性能,適宜用作激光基質(zhì)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
本發(fā)明提供了一種摻Bi鹵化物激光晶體,其特征在于所述的鹵化物晶體為堿金屬或堿土 金屬鹵化物晶體,該摻Bi晶體中Bi離子摻雜濃度Bi%的取值范圍為:0.01at%≤Bi%≤5.0at%, 較佳的,為0.05at%≤Bi%≤5.0at%,優(yōu)選的,為0.05at%≤Bi%≤2.0at%,更進(jìn)一步的,為0.1at% ≤Bi%≤2.0at%,最佳的,為0.1at%≤Bi%≤0.5at%。
本發(fā)明采用堿金屬、堿土金屬鹵化物晶體作為Bi離子的摻雜基質(zhì),其中,堿金屬主要采 用K+、Rb+、Cs+,堿土金屬主要采用Ca2+、Sr2+、Ba2+,陰離子鹵元素主要采用F-、Cl-、I-。 具體而言,所涉及到的晶體有如下幾種:CaF2、SrF2、BaF2、KCl、CsI、KPb2Cl5、RbPb2Cl5, 優(yōu)選為CsI晶體。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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