[發(fā)明專利]摻Bi鹵化物激光晶體及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910151679.3
• 申請(qǐng)日: 2009-07-16
• 公開（公告）號(hào): CN101643934A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐軍;蘇良碧;李紅軍;周朋;喻軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號(hào): C30B29/12
• 分類號(hào): C30B29/12;H01S3/16
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所
• 代理人: 許亦琳;余明偉

1.具有紅外1.0-1.7um波段寬帶放光特性的摻Bi鹵化物激光晶體，其特征在于，所述摻 Bi鹵化物激光晶體的基質(zhì)晶體為CsI；所述摻Bi鹵化物激光晶體中，Bi離子摻雜濃度 Bi％的取值范圍為：0.1at％≤Bi％≤2.0at％。

2.如權(quán)利要求1所述的摻Bi鹵化物激光晶體，其特征在于，在摻入Bi離子的同時(shí)摻入Y³⁺、 La³⁺離子，共摻離子的比例是Bi離子摻雜濃度的0.2～2倍。

3.如權(quán)利要求1-2中任一權(quán)利要求所述摻Bi鹵化物激光晶體的制備方法，其特征在于采用 熔體法生長，晶體生長氣氛采用惰性或弱還原性氣體。

4.如權(quán)利要求3中所述摻Bi鹵化物激光晶體的制備方法，其特征在于，所述采用熔體法生 長晶體完畢后，將生長獲得的摻Bi鹵化物激光晶體進(jìn)行輻照處理或者退火處理。

5.如權(quán)利要求4中所述摻Bi鹵化物激光晶體的制備方法，其特征在于，所述輻照處理的輻 照源為X射線或γ射線。

6.如權(quán)利要求4中所述摻Bi鹵化物激光晶體的制備方法，其特征在于，所述退火處理的退 火氣氛為氫氣、氬氣、氮?dú)猓煌嘶鹛幚淼臏囟葹?00～800℃；退火處理的時(shí)間為0.5h～ 10h。

7.權(quán)利要求1-2中任一權(quán)利要求所述摻Bi鹵化物激光晶體應(yīng)用于脈沖激光器、可調(diào)諧脈沖 激光器或超短脈沖激光器。