[發明專利]快閃存儲器的數據感測模塊與感測電路

有效

• 申請號: 200910150731.3
• 申請日: 2009-06-24
• 公開（公告）號: CN101930801A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發明（設計）人: 廖偉智
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種快閃存儲器的感測電路，其特征在于，所述電路包括：

一第一晶體管，其漏極端耦接一工作偏壓，其柵極端接收一反相信號，而其源極端則接收一數據位；

一檢測單元，耦接至所述第一晶體管的漏極端，以檢測所述漏極端的電壓，并在所述漏極端電壓低于一臨界電壓時，則使能一控制信號；以及

一充電電路，耦接所述檢測單元和所述第一晶體管的源極端，以在所述控制信號被使能時，對所述第一晶體管的源極端充電，直到所述第一晶體管的漏極端的電位到達所述臨界電壓為止。

2.如權利要求1所述的感測電路，其特征在于，所述電路更包括一反相器，其輸入端耦接所述第一晶體管的源極端，而所述反相器的輸出端則輸出所述反相信號至所述第一晶體管的柵極端。

3.如權利要求1所述的感測電路，其特征在于，所述第一晶體管的漏極端更通過一電阻耦接至所述工作偏壓。

4.如權利要求1所述的感測電路，其特征在于，所述電路更包括一比較器，其第一輸入端耦接一參考電壓，而其第二輸入端則耦接所述第一晶體管的漏極端，以依據所述第一晶體管漏極端的電位而決定所述比較器的輸出端的狀態。

5.如權利要求1所述的感測電路，其特征在于，所述第一晶體管為NMOS晶體管。

6.一種快閃存儲器的數據感測模塊，其特征在于，所述模塊包括：

一存儲核心電路，至少具有一存儲單元，以儲存一數據位；

一第一晶體管，其漏極端耦接一工作偏壓，其柵極端則接收一反相信號，而其源極端耦接所述存儲核心電路，以接收所述數據位；

一檢測單元，耦接至所述第一晶體管的漏極端，以檢測所述漏極端的電壓，并在所述漏極端電壓低于一臨界電壓時，使能一控制信號；以及

一充電電路，耦接所述檢測單元和所述第一晶體管的源極端，以在所述控制信號被使能時，對所述第一晶體管的源極端充電，直到所述第一晶體管的漏極端的電位到達所述臨界電壓為止。

7.如權利要求6所述的數據感測模塊，其特征在于，所述模塊更包括一反相器，其輸入端耦接所述第一晶體管的源極端，而所述反相器的輸出端則輸出所述反相信號至所述第一晶體管的柵極端。

8.如權利要求6所述的數據感測模塊，其特征在于，所述第一晶體管的漏極端更通過一電阻耦接至所述工作偏壓。

9.如權利要求6所述的數據感測模塊，其特征在于，所述存儲核心電路包括：

一第二晶體管，其柵極端接收一第一位線信號，其源極端耦接一第一存儲單元，而其漏極端則耦接所述第一晶體管的源極端；

一第三晶體管，其柵極端接收一第二位線信號，其源極端耦接一第二存儲單元，而其漏極端則耦接所述第二晶體管的源極端；以及

一第四晶體管，其柵極端接收一字位線信號，其源極端耦接一共同電壓，而其漏極端則耦接所述第三晶體管的源極端。

10.如權利要求9所述的數據感測模塊，其特征在于，所述第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管皆為NMOS晶體管。

11.如權利要求7所述的數據感測模塊，其特征在于，所述模塊更包括一比較器，其第一輸入端耦接一參考電壓，而其第二輸入端則耦接所述第一晶體管的漏極端，以依據所述第一晶體管漏極端的電位而決定所述比較器的輸出端的狀態。

12.如權利要求7所述的數據感測模塊，其特征在于，所述第一晶體管為NMOS晶體管。