[發(fā)明專利]快閃存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)感測(cè)模塊與感測(cè)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910150731.3
• 申請(qǐng)日: 2009-06-24
• 公開（公告）號(hào): CN101930801A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖偉智
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/26
• 分類號(hào): G11C16/26
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種數(shù)據(jù)感測(cè)模塊，且特別是有關(guān)于一種用于快閃存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)感測(cè)模塊與感測(cè)電路。

背景技術(shù)

儲(chǔ)存于存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)大多是二進(jìn)位的位(binary?bit)，而每一位需有一個(gè)元件負(fù)責(zé)存儲(chǔ)其狀態(tài)是0或1，此元件又被稱為存儲(chǔ)單元。在存儲(chǔ)器內(nèi)，被選中的存儲(chǔ)單元可由控制電路的輸出信號(hào)決定數(shù)據(jù)的寫入及讀取。在進(jìn)行寫入操作時(shí)，可選取預(yù)定的存儲(chǔ)單元，再將欲寫入的數(shù)據(jù)存入被選定的存儲(chǔ)單元中。相對(duì)地，在進(jìn)行讀取操作時(shí)，同樣也可以選取預(yù)定的存儲(chǔ)單元，再將其所儲(chǔ)存的位狀態(tài)以電流或電壓方式經(jīng)由感測(cè)電路分辨出來(lái)。

快閃存儲(chǔ)器(Flash?memory)是一種在即便在斷電的狀態(tài)下，仍然能夠保留住所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)位的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。由于此種特性，因此快閃存儲(chǔ)器與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic?Random?Access?Memory，DRAM)并不相同。另外與硬盤相比，快閃存儲(chǔ)器也有更佳的動(dòng)態(tài)抗震性。

一般來(lái)說(shuō)，快閃存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存取時(shí)間，決定了一快閃存儲(chǔ)器的效能。由于在一快閃存儲(chǔ)器中，有非常多的存儲(chǔ)單元耦接至一感測(cè)電路，因此，往往在感測(cè)電路上會(huì)產(chǎn)生大量的寄生電容，而導(dǎo)致感測(cè)電路的負(fù)載過(guò)大，而造成數(shù)據(jù)讀取上的延遲。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種感測(cè)電路，可以用于快閃存儲(chǔ)器中，并且增加數(shù)據(jù)讀取的速度。

本發(fā)明提供一種快閃存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)感測(cè)模塊，可以增加快閃存儲(chǔ)器在進(jìn)行讀取操作時(shí)的效率。

本發(fā)明提供一種快閃存儲(chǔ)器的感測(cè)電路，包括第一晶體管、檢測(cè)單元和充電電路。第一晶體管的漏極端耦接一工作偏壓，其柵極端接收一反相信號(hào)，而其源極端則接收一數(shù)據(jù)位。另外，第一晶體管的漏極端還耦接檢測(cè)單元。藉此，檢測(cè)單元就可以檢測(cè)第一晶體管漏極端的電壓。當(dāng)漏極端電壓低于一臨界電壓時(shí)，檢測(cè)單元可以使能一控制信號(hào)。而當(dāng)控制信號(hào)被使能時(shí)，充電電路可以對(duì)第一晶體管的源極端充電，直到第一晶體管的漏極端的電位到達(dá)臨界電壓為止。

從另一觀點(diǎn)來(lái)看，本發(fā)明也提供一種快閃存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)感測(cè)模塊，包括存儲(chǔ)核心電路、第一晶體管、檢測(cè)單元和充電電路。存儲(chǔ)核心電路至少具有一存儲(chǔ)單元，可以以儲(chǔ)存一數(shù)據(jù)位。第一晶體管的漏極端耦接一工作偏壓，其柵極端接收一反相信號(hào)，而其源極端則耦接存儲(chǔ)核心電路，以接收數(shù)據(jù)位。另外，第一晶體管的漏極端還耦接檢測(cè)單元。藉此，檢測(cè)單元就可以檢測(cè)第一晶體管漏極端的電壓。當(dāng)漏極端電壓低于一臨界電壓時(shí)，檢測(cè)單元可以使能一控制信號(hào)。而當(dāng)控制信號(hào)被使能時(shí)，充電電路可以對(duì)第一晶體管的源極端充電，直到第一晶體管的漏極端的電位到達(dá)臨界電壓為止。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，還可以包括一一反相器，其輸入端可以耦接第一晶體管的源極端，而輸出端則可以輸出反相信號(hào)至第一晶體管的柵極端。

由于本發(fā)明可以在第一晶體管的漏極端電壓低于一臨界電壓時(shí)，對(duì)其源極端充電。因此，本發(fā)明可以增加數(shù)據(jù)讀取操作的效率。

附圖說(shuō)明

圖1繪示為一種快閃存儲(chǔ)器的內(nèi)部系統(tǒng)方塊圖。

圖2繪示為依照本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的一種數(shù)據(jù)感測(cè)模塊的電路方塊圖。

圖3繪示為圖2的晶體管232漏極端電壓對(duì)時(shí)間的變化圖。

附圖標(biāo)號(hào)

102、202：存儲(chǔ)核心電路

104、204：感測(cè)電路

112：列解碼器

114：行解碼器

116：存儲(chǔ)單元陣列

200：數(shù)據(jù)感測(cè)模塊

212、214、216：晶體管

218、220：存儲(chǔ)單元

236：比較器

238：電阻

240：反相器

242：檢測(cè)單元

244：充電電路

ADD：位址信息

C1：控制信號(hào)

INT：反相信號(hào)

Vbias：工作偏壓

Vcom：共同電壓

Vref：參考電壓

Vt：臨界電壓

P1、P2、P3：時(shí)間周期

X[0:m]：字符線

XA：字符線信號(hào)

Y[0:n]：位線

YA、YB：位線信號(hào)

具體實(shí)施方式

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。

為使本領(lǐng)域一般技術(shù)人員可以確實(shí)明了本發(fā)明的精神，因此以下先就快閃存儲(chǔ)器的系統(tǒng)架構(gòu)作一簡(jiǎn)略的陳述。