[發(fā)明專利]LED發(fā)光模塊制程方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910150702.7 | 申請日: | 2009-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN101930932A | 公開(公告)日: | 2010-12-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林暄智 | 申請(專利權)人: | 國格金屬科技股份有限公司;蘇州永騰電子制品有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | led 發(fā)光 模塊 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種LED發(fā)光模塊制程方法,尤指可將透鏡利用包覆射出方式二次封裝成型于容置杯部與發(fā)光二極管表面上,使其內部不會存有間隙,以此減少發(fā)光二極管光線通過不同介質所造成折射、光衰減現(xiàn)象的方法。
背景技術
一般燈具種類及其產生的發(fā)光型式相當多,而就以市面上常見且廣泛使用于各領域的發(fā)光二極管(Light?Emitting?Diode,LED)為例,不但具有良好的光電轉換效率、波長固定,以及光量、光質可調整等特性外,并能達到體積小、低發(fā)熱量且使用壽命長的優(yōu)勢,而較可適用于各式的嵌燈、頭燈或臺燈等燈具使用。
隨著發(fā)光二極管普遍應用可通過以改變材料方式與改變封裝技術增加其運作功率、提高亮度,并逐漸取代現(xiàn)有照明燈具,而廣泛使用在大型看板、汽車燈或戶外照明設備等,傳統(tǒng)晶片采直接封裝(Chip?on?Board;簡稱COB),是集成電路封裝的一種方式,即可將其裸晶片直接粘貼、封裝于印刷電路基板上,此種封裝技術其實是小型化表面粘著技術,至于電氣傳導部分則是利用導線將晶片接點打線到電路板或基板的接點上形成電性連接,再在外部應用封膠技術予以覆蓋后成型。
而傳統(tǒng)晶片直接封裝(COB)結構,若以發(fā)光二極管的晶片封裝為例,如圖9所示,是現(xiàn)有發(fā)光二極管的立體剖面圖,是先將晶片A定位于絕緣體B內嵌設的散熱座B1表面上,并以晶片A上所連接的導線A1分別打線連接于絕緣體B兩側穿設的正、負電極接腳C、D后,再在晶片A外依序進行封裝膠體E,以及粘著結合有塑膠透鏡F,此種制程方式結構上仍存有諸多缺失,現(xiàn)分述如下:
1、現(xiàn)有膠體E封裝主要在保護晶片A,并使晶片A產生的光與熱盡可能向外傳遞,但是晶片A發(fā)光時所產生的光線經(jīng)過膠體E進入透鏡F內時即會產生第一次折射,且當光線穿出透鏡F后則將產生二次折射現(xiàn)象,所以有業(yè)者采用無膠體封裝,直接利用玻璃材質制成的透鏡F作為外套保護以避免膠體E老化、影響透光率等情況,但因晶片A與透鏡F間存有一定的間隙,導致光線通過不同空氣介質時仍將造成有折射、光衰減現(xiàn)象。
2、現(xiàn)有晶片A為與預設電路基板進行表面粘著(SMT)時需要通過錫爐處在高溫250℃~300℃下,使得膠體E遇熱產生老化、耐熱性不佳,不利進行表面粘著焊接作業(yè)外,其透鏡F外型尺寸亦會因過熱微幅收縮、曲率產生變化而影響整體光學品質,造成晶片A朝透鏡F方向投射亮光照明度降低、無法產生均勻向外發(fā)光的平面光源等缺失發(fā)生。
因此,要如何解決上述現(xiàn)有的缺失,即為從事此行業(yè)的相關廠商所亟欲研究改善的方向所在。
因此,發(fā)明人有鑒于上述現(xiàn)有的不足與缺失,乃搜集相關資料經(jīng)由多方評估及考量,并利用從事此行業(yè)的多年經(jīng)驗,以及多次實際試作與修改,本著精益求精、不斷研究的創(chuàng)設理念,針對上述不足的處加以改良,始設計出此種LED發(fā)光模塊制程方法的發(fā)明專利誕生。
發(fā)明內容
本發(fā)明的主要目的是提供一種LED發(fā)光模塊制程方法,其可將透鏡利用包覆射出方式二次封裝成型于容置杯部與發(fā)光二極管表面上,使其內部不會存有間隙,以此減少發(fā)光二極管光線通過不同介質所造成折射、光衰減現(xiàn)象的方法。
為了達到上述目的,本發(fā)明提供一種LED發(fā)光模塊制程方法,尤指將透鏡二次封裝成型于容置杯部與發(fā)光二極管上,使其內部不會存有間隙,以此減少發(fā)光二極管光線通過不同介質所造成折射、光衰減現(xiàn)象的方法,所述方法包括下列的實施步驟:
A.將至少一個以上發(fā)光二極管及至少兩個以上導電端子焊接于光源模塊所具的電路基板上形成電性連接;
B.所述電路基板外側處利用包覆射出方式一體成型有容置杯部,并在所述容置杯部兩側分別形成有供發(fā)光二極管及導電端子露出的開口;
C.所述容置杯部與所述發(fā)光二極管頂部表面上利用包覆射出方式二次封裝成型有具預定形狀的透鏡。
為了達到上述目的,本發(fā)明還提供一種LED發(fā)光模塊制程方法,所述方法包括下列的實施步驟:
A.將至少一個以上發(fā)光二極管及至少兩個以上導電端子焊接于光源模塊所具的電路基板上形成電性連接;
B.所述電路基板在所述發(fā)光二極管及導電端子外部利用包覆射出方式一體封裝成型有具預定形狀的透鏡;
C.透鏡外側表面上利用包覆射出方式一體成型有容置杯部。
與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明的有益效果在于:
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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