[發(fā)明專利]LED發(fā)光模塊制程方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910150702.7
• 申請日: 2009-06-22
• 公開（公告）號: CN101930932A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林暄智
• 申請（專利權(quán)）人: 國格金屬科技股份有限公司;蘇州永騰電子制品有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L33/00
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種LED發(fā)光模塊制程方法，其特征在于，尤指將透鏡二次封裝成型于容置杯部與發(fā)光二極管上，使其內(nèi)部不會存有間隙，以此減少發(fā)光二極管光線通過不同介質(zhì)所造成折射、光衰減現(xiàn)象的方法，所述方法包括下列的實施步驟：

A.將至少一個以上發(fā)光二極管及至少兩個以上導(dǎo)電端子焊接于光源模塊所具的電路基板上形成電性連接；

B.所述電路基板外側(cè)處利用包覆射出方式一體成型有容置杯部，并在所述容置杯部兩側(cè)分別形成有供發(fā)光二極管及導(dǎo)電端子露出的開口；

C.所述容置杯部與所述發(fā)光二極管頂部表面上利用包覆射出方式二次封裝成型有具預(yù)定形狀的透鏡。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光模塊制程方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管及二導(dǎo)電端子是利用表面粘著技術(shù)分別焊接于所述電路基板上形成電性連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光模塊制程方法，其特征在于，所述步驟B完成后所述容置杯部相對于所述發(fā)光二極管外側(cè)開口表面上是利用金屬鍍膜、網(wǎng)版印刷或噴涂加工方式形成有反射鏡。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光模塊制程方法，其特征在于，所述步驟C完成后所述透鏡外表面上是以單層或多層次鍍膜方式形成有增透膜。

5.一種LED發(fā)光模塊制程方法，其特征在于，所述方法包括下列的實施步驟：

A.將至少一個以上發(fā)光二極管及至少兩個以上導(dǎo)電端子焊接于光源模塊所具的電路基板上形成電性連接；

B.所述電路基板在所述發(fā)光二極管及導(dǎo)電端子外部利用包覆射出方式一體封裝成型有具預(yù)定形狀的透鏡；

C.所述透鏡外側(cè)表面上利用包覆射出方式一體成型有容置杯部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED發(fā)光模塊制程方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管及二導(dǎo)電端子是利用表面粘著技術(shù)分別焊接于電路基板上形成電性連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED發(fā)光模塊制程方法，其特征在于，所述步驟B完成后所述透鏡外側(cè)表面上是利用金屬鍍膜、網(wǎng)版印刷或噴涂加工方式形成有反射鏡。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED發(fā)光模塊制程方法，其特征在于，所述步驟C完成后所述透鏡頂部表面上是以單層或多層次鍍膜方式形成有增透膜。