[發明專利]基板間的連接方法、倒裝片組件以及基板間連接結構有效
| 申請號: | 200910150343.5 | 申請日: | 2009-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN101621011A | 公開(公告)日: | 2010-01-06 |
| 發明(設計)人: | 澤田享;中谷誠一;辛島靖治;北江孝史 | 申請(專利權)人: | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/48 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板間 連接 方法 倒裝 組件 以及 結構 | ||
1.一種基板間的連接方法,與具有多個第一電極的第一基板相向地 設置具有多個第二電極的第二基板,通過連接體使所述第一電極和所述 第二電極電連接,其特征在于:
包括:
工序a,將含有導電性粒子和氣泡產生劑的樹脂,供向所述第一基 板和所述第二基板之間的至少覆蓋所述多個第一電極及第二電極的區 域,
工序b,加熱所述樹脂,使包含在所述樹脂中的所述氣泡產生劑產 生氣泡,以及
工序c,加熱所述樹脂,使包含在所述樹脂中的所述導電性粒子熔 化;
在所述工序a中,在所述樹脂的邊緣部附近,設置有將所述第一基 板和所述第二基板之間封閉起來的隔壁部件,并且沒有設置所述隔壁部 件的所述樹脂的邊緣部朝外部開放,
在所述工序b中,所述樹脂由于所述氣泡產生劑所產生的氣泡的增 大被該氣泡向外推出,而被引導到所述第一電極和所述第二電極之間, 并且所述氣泡從朝所述外部開放的所述樹脂的邊緣部向外部排出,
在所述工序c中,已被引導到所述電極間的所述樹脂中所含有的導 電性粒子熔化,在所述電極間形成所述連接體。
2.根據權利要求1所述的基板間的連接方法,其特征在于:
在所述工序b中,在所述樹脂中產生的所述氣泡,由于所述隔壁部 件附近與外部之間的壓力差,而被引導到朝所述外部開放的所述樹脂的 邊緣部后向外部排出。
3.根據權利要求1所述的基板間的連接方法,其特征在于:
在所述工序a中,所述隔壁部件設置為與所述樹脂的邊緣部相鄰。
4.根據權利要求1所述的基板間的連接方法,其特征在于:
所述多個第一電極及所述多個第二電極,分別在所述第一基板及所 述第二基板上形成為陣列狀,
所述隔壁部件,沿著形成為所述陣列狀的電極區域的周邊的至少一 條邊設置。
5.根據權利要求1所述的基板間的連接方法,其特征在于:
所述多個第一電極及所述多個第二電極,分別形成在所述第一基板 及所述第二基板的周邊,
所述隔壁部件,設置在位于所述基板周邊的電極區域的內側。
6.根據權利要求1所述的基板間的連接方法,其特征在于:
所述多個第一電極及所述多個第二電極,分別彼此平行地形成為線 狀,
所述隔壁部件,設置在與形成為所述線狀的電極正交的方向上。
7.根據權利要求1所述的基板間的連接方法,其特征在于:
所述多個第一電極及所述多個第二電極,分別彼此平行地形成為線 狀,
所述隔壁部件,在形成為所述線狀的電極區域的周邊,設置在與形 成為所述線狀的電極平行的方向上。
8.根據權利要求1所述的基板間的連接方法,其特征在于:
在所述工序b或所述工序c之后,還包括除去所述隔壁部件的工序。
9.根據權利要求1所述的基板間的連接方法,其特征在于:
在所述第一基板及所述第二基板中的至少一個基板上設有產生氣 泡的氣泡產生源,以取代使所述樹脂含有所述氣泡產生劑,
在所述工序b中,所述氣泡由所述氣泡產生源產生。
10.根據權利要求1所述的基板間的連接方法,其特征在于:
所述第一基板及所述第二基板,由電路基板或半導體芯片形成。
11.一種倒裝片組件,在電路基板上裝有半導體芯片,其特征在于:
在所述電路基板及所述半導體芯片之間,利用權利要求1所述的基 板間的連接方法,通過連接體使形成在所述電路基板及所述半導體芯片 上的電極彼此電連接。
12.一種基板間連接結構,使具有多個電極的電路基板彼此電連接, 其特征在于:
在所述電路基板間,利用權利要求1所述的基板間的連接方法,通 過形成在所述電極間的連接體使所述電路基板彼此電連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于松下電器產業株式會社,未經松下電器產業株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910150343.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:有機發光器件的制造方法
- 下一篇:等離子體蝕刻方法和控制程序
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





