[發明專利]檢測結構與線上晶片監測方法

無效

• 申請號: 200910150312.X
• 申請日: 2009-06-23
• 公開（公告）號: CN101930905A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發明（設計）人: 周玲君;陳銘聰;曹博昭;劉喜華;雷舜誠;林明邑
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L23/544;G01N23/20;G01R31/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種線上晶片監測方法，包括：

提供晶片；

于該晶片上形成至少一檢測結構，包括：

于該晶片中形成N型井區與P型井區，該N型井區與該P型井區為分開配置；

分別于該N型井區上與該P型井區上形成柵極；

分別于各該柵極兩側的該N型井區中與該P型井區中形成P型摻雜區；以及

于各該P型摻雜區上形成第一接觸窗插塞，且于各該柵極上形成第二接觸窗插塞；以及

利用電子束檢測系統進行缺陷檢測，以檢測各該第一接觸窗插塞與各該柵極之間的短路。

2.如權利要求1所述的線上晶片監測方法，還包括于該晶片上形成至少一元件結構。

3.如權利要求2所述的線上晶片監測方法，其中該檢測結構與該元件結構同時形成。

4.如權利要求2所述的線上晶片監測方法，其中該元件結構包括互補式金屬氧化物半導體。

5.如權利要求1所述的線上晶片監測方法，其中該檢測結構形成于該晶片的切割道。

6.如權利要求5所述的線上晶片監測方法，其中該檢測結構形成于曝光區與曝光區之間的該切割道。

7.如權利要求5所述的線上晶片監測方法，其中該檢測結構形成于管芯與管芯之間的該切割道。

8.如權利要求1所述的線上晶片監測方法，其中該檢測結構形成于曝光區角落的測試鍵上。

9.如權利要求1所述的線上晶片監測方法，其中該檢測結構形成于該晶片的曝光區中。

10.如權利要求1所述的線上晶片監測方法，其中該檢測結構形成于該晶片的管芯中。

11.如權利要求1所述的線上晶片監測方法，其中該晶片僅包括該檢測結構。

12.如權利要求1所述的線上晶片監測方法，其中在利用該電子束檢測系統進行缺陷檢測的步驟中，當該第二接觸窗插塞呈現亮點時，該第一接觸窗插塞與該柵極發生短路。

13.一種檢測結構，配置于晶片上，且適于以電子束檢測系統進行檢測，該檢測結構包括：

第一區域，包括：

P型井區，配置于該晶片中；

第一柵極，配置于該P型井區上；

第一P型摻雜區，配置于該第一柵極兩側的該P型井區中；以及

兩個第一接觸窗插塞，分別配置于該第一P型摻雜區上與該第一柵極上；以及

第二區域，與該第一區域分開配置，該第二區域包括：

N型井區，配置于該晶片中；

第二柵極，配置于該N型井區上；

第二P型摻雜區，配置于該第二柵極兩側的該N型井區中；以及

兩個第二接觸窗插塞，分別配置于該第二P型摻雜區上與該第二柵極上。

14.如權利要求13所述的檢測結構，其中該第一區域的圖案密度大于該第二區域的圖案密度。

15.如權利要求13所述的檢測結構，其中該檢測結構位于該晶片的切割道。

16.如權利要求15所述的檢測結構，其中該檢測結構位于曝光區與曝光區之間的該切割道。

17.如權利要求15所述的檢測結構，其中該檢測結構位于管芯與管芯之間的該切割道。

18.如權利要求13所述的檢測結構，其中該檢測結構位于曝光區角落的測試鍵上。

19.如權利要求13所述的檢測結構，其中該檢測結構位于該晶片的曝光區中。

20.如權利要求13所述的檢測結構，其中該檢測結構位于該晶片的管芯中。

21.如權利要求13所述的檢測結構，其中該晶片上僅包括該檢測結構。