[發明專利]圖像傳感器及其制造方法無效
| 申請號: | 200910150300.7 | 申請日: | 2009-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN101615596A | 公開(公告)日: | 2009-12-30 |
| 發明(設計)人: | 樸珍暤 | 申請(專利權)人: | 東部高科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/8222 | 分類號: | H01L21/8222;H01L21/3105;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 李丙林;張 英 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 及其 制造 方法 | ||
本申請基于35?U.S.C119要求第10-2008-0061599號(于2008年6月27日遞交)韓國專利申請的優先權,其全部內容結合于此作為參考。
技術領域
本發明涉及一種圖像傳感器及其制造方法。
背景技術
圖像傳感器是一種將光學圖像轉換為電信號的半導體器件。這樣的圖像傳感器可以被劃分作為電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器和互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器中的一種。
根據同時使用作為外圍電路的控制電路和信號處理電路的CMOS技術,COMS圖像傳感器設置了與單位像素(unit?pixel)的數量相對應的MOS晶體管,然后在開關模式下通過MOS晶體管來順序檢測各個單位像素的輸出。CMOS圖像傳感器可以包括一個光電二極管和多個MOS晶體管,且該CMOS圖像傳感器將光(即從圖像傳感器芯片的正面和背面發出的可見光)轉換為電信號,從而使圖像具體化。
已經開發了具有垂直光電二極管的垂直圖像傳感器,該垂直圖像傳感器能夠在一個單位像素中實現多種顏色,這不同于典型的水平圖像傳感器。
圖1示出了一種CMOS圖像傳感器,該圖像傳感器按如下步驟來制造。
如圖1所示,在半導體襯底1中形成至少一個光電二極管2。接下來,在包括光電二極管2的半導體襯底1上和/或上方形成具有多層結構的層間電介質3,其中,層間電介質3包括多個金屬線。通過在層間電介質3上和/或上方氣相沉積氧化物或氮化物來形成鈍化層4。然后,在與光電二極管2對應的鈍化層4上和/或上方形成至少一個濾色器。最后,形成至少一個微透鏡7,該微透鏡可以在其下部包括平坦化層。這樣的圖像傳感器制造工藝包括:形成使光聚焦的微透鏡7,形成對各種顏色(例如紅色、綠色和藍色)的信號進行區分的濾色器,以及形成光電二極管2,該光電二極管2通過收集從所聚焦的光中產生的電子來產生電信號。
這樣的圖像傳感器的層間電介質3相對地厚于CCD的層間電介質。由于這種厚度差異,使得CMOS圖像傳感器具有更小的像素間距(pixel?pitch)。因此,盡管采用了處于最佳狀態(optimum?state)的微透鏡7,但是對光電二極管2的聚焦性能卻比CCD中的聚焦性能惡化地更加嚴重。這是因為用最佳狀態的微透鏡7來聚焦的最小光斑尺寸(spot?size)與焦距成正比,同時還與數值孔徑(numericalaperture)(NA)有關。圖像傳感器的像素中的NA對應于像素間距,而焦距對應于層間電介質3的厚度,其中,層間電介質3包含位于其中的多個金屬線。從而,為了獲得聚焦的焦斑(focal?spot),需要減小像素的尺寸和層間電介質3的厚度。
然而,根據CMOS圖像傳感器的結構,將層間電介質3的厚度減小至最小的必要厚度(necessary?thickness)會受到限制。這意味著,存在大約為1.75μm的有限像素間距,該有限像素間距已經被測作是不能再減小的最小限度間距。此外,由于對光電二極管2的聚焦性能不夠,使得如圖1所示的結構受限于僅使用微透鏡7來有效地聚焦光。除了置于上部的微透鏡7,可以進一步在層間電介質3中設置另一種由無機材料制成的微透鏡,以克服一定的限制。然而,這會使制造工藝變得相當復雜。
如圖2A所示,作為一種選擇,可以進一步設置波導(waveguide)8以將其用作入射光的通路(path)。通過在位于光電二極管2上和/或上方的上部按大約一個像素的大小形成溝槽來形成這樣的結構,其中,該溝槽的深度與層間電介質3的厚度相同。接下來,通過用具有旋涂玻璃(spin-on-glass)或折射率(折射系數)比層間電介質3大的材料填充溝槽來形成波導8。因此,入射光可以經由波導8被有效地傳輸至光電二極管2。然而,為了產生波導,需要實施刻蝕,因此,該刻蝕可能會由光電二極管引起對等離子體的損傷,從而增加了暗電流(dark?current),且使得圖像傳感器的感光性(sensitivity)惡化。同樣,會使制造工藝變得復雜。
發明內容
本發明實施例涉及一種圖像傳感器及其制造方法,該方法通過形成波導(wave?guide)來提高將光聚焦至光電二極管的效率,其中,所述波導通過離子注入來形成。
本發明實施例涉及一種圖像傳感器,該圖像傳感器在減小了鄰接像素之間的干擾的同時,又通過形成波導來提高了聚焦效率,其中,所述波導通過比刻蝕更簡單的工藝來形成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東部高科股份有限公司,未經東部高科股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910150300.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體裝置以及電子設備
- 下一篇:基板處理裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





