[發(fā)明專利]圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910150300.7
• 申請日: 2009-06-26
• 公開（公告）號: CN101615596A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發(fā)明（設計）人: 樸珍暤
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8222
• 分類號: H01L21/8222;H01L21/3105;H01L27/146
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司
• 代理人: 李丙林;張 英

1.一種制造圖像傳感器的方法，包括：

在半導體襯底上方形成光電二極管；

在包括所述光電二極管的所述半導體襯底上方形成層間介電層；

通過實施離子注入工藝在所述層間介電層中形成波導；

在包括所述波導的所述層間介電層上方形成濾色器；

在所述濾色器上方形成平坦化層；以及然后

在所述平坦化層上方形成微透鏡。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，形成所述波導包括：

在所述層間介電層上方形成暴露所述層間介電層的最上表面的光刻膠圖樣；

實施所述離子注入工藝以將波導材料的離子注入至所述層間介電層中；

在實施所述離子注入工藝之后去除所述光刻膠圖樣；以及然后

在去除所述光刻膠圖樣之后，對所述半導體襯底實施退火工藝，以使所述注入的波導材料擴散。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，所述波導材料不同于所述層間介電層的材料。

4.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，實施所述離子注入工藝包括：

以第一注入劑量注入所述波導材料的離子；

以第二注入劑量注入所述波導材料的離子，其中，所述第二注入劑量小于所述第一注入劑量；以及然后

以第三注入劑量注入所述波導材料的離子，其中，所述第三注入劑量小于所述第二注入劑量。

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，所述第一注入劑量為從所述層間介電層的最上表面延伸至位于所述光電二極管的最上表面之上的區(qū)域的所述波導材料的量。

6.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，所述第二注入劑量至少為所述第一注入劑量的三分之一，而所述第三注入劑量至少為所述第二離子注入劑量的三分之一。

7.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，形成所述光刻膠圖樣以便所述層間介電層所暴露的最上表面的寬度為所述光電二極管的整個寬度的20％到40％。

8.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，所述波導材料包括一種材料，所述材料具有的原子量大于所述層間介電層的材料。

9.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，所述波導材料包括砷。

10.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，所述波導材料由具有折射率比所述層間介電層大的材料形成。

11.一種方法，包括：

形成光電二極管；

在所述光電二極管上方形成介電層；

通過實施多次離子注入工藝在所述介電層中形成波導；

在包括所述波導的所述介電層上方形成濾色器；以及然后

在所述濾色器上方形成微透鏡，

其中，所述波導包括第一離子注入層，第二離子注入層和第三離子注入層。

12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述第一離子注入層從所述介電層的最上表面延伸至位于所述光電二極管的最上表面之上的區(qū)域，且所述濾色器形成在所述第一離子注入層上方并接觸所述第一離子注入層。

13.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述第二離子注入層形成在所述第一離子注入層中，而所述第三離子注入層形成在所述第二離子注入層中。

14.一種圖像傳感器，包括：

光電二極管；

層間介電層，形成于所述光電二極管上方；

包括離子注入層的波導，所述波導形成于所述層間介電層中；

濾色器，形成于所述層間介電層上方；以及

微透鏡，形成于所述濾色器上方。

15.根據(jù)權利要求14所述的圖像傳感器，其中，所述離子注入層包括與所述層間介電層的材料不同的材料。

16.根據(jù)權利要求15所述的圖像傳感器，其中，所述離子注入層包括一種材料，所述材料具有的原子量大于所述層間介電層的材料。

17.根據(jù)權利要求14所述的圖像傳感器，其中，所述離子注入層具有的折射率比所述層間介電層大。

18.根據(jù)權利要求14所述的圖像傳感器，其中，所述離子注入層包括As離子。