[發(fā)明專利]電路裝置及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910149645.0 | 申請日: | 2009-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN101609833A | 公開(公告)日: | 2009-12-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 川野連也 | 申請(專利權(quán))人: | 恩益禧電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/528;H01L23/525;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司: | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 | 代理人: | 孫志湧;穆德駿 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電路 裝置 及其 制造 方法 | ||
本申請基于日本專利申請NO.2008-157463,其內(nèi)容通過引用被合并于此。
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及電路裝置及其制造方法,其中,所述電路裝置具有通過螺旋導電圖形來構(gòu)造的電感器。
背景技術(shù)
當在輸入有不同電勢的電信號的兩個電路之間傳送電信號時,經(jīng)常使用光電耦合器。光電耦合器具有諸如發(fā)光二極管這樣的光發(fā)射元件和諸如光電晶體管這樣的光接收元件。光電耦合器通過光發(fā)射元件將輸入電信號轉(zhuǎn)換成光,并且通過光接收元件將光還原為電信號以傳送電信號。
然而,因為光電耦合器具有光發(fā)射元件和光接收元件,所以光電耦合器不能容易地被減小尺寸。而且,當電信號的頻率較高時,光電耦合器不能跟上電信號。作為解決這些問題的技術(shù),例如,如在日本專利申請?zhí)亻_(JP-A)No.2002-164704中描述的,已經(jīng)提出了一種使兩個電感器彼此電感地耦合以傳送電信號的技術(shù)。在該技術(shù)中,電感器是螺旋形的互連,并且電感器的中端通過另一互連層被引出。
發(fā)明內(nèi)容
在上面的技術(shù)中,當電感器通過螺旋互連被形成時,應該形成將電感器的中端向外引出的互連層。因為這個原因,電路裝置的互連層的數(shù)量增加,導致電路裝置的制造成本的增加。
在一個實施例中,提供了一種電路裝置,包括:
第一絕緣層;
第一電感器,其位于第一絕緣層的一個表面上,并且通過螺旋導電圖形來構(gòu)造;
第一端子和第二端子,其從第一絕緣層的一個表面暴露;
第一互連,其形成在第一絕緣層的一個表面處,以連接第一端子和第一電感器的外端;以及
第一配線,其位于第一絕緣層的一個表面?zhèn)龋赃B接第二端子和第一電感器的中端。
根據(jù)本發(fā)明,第二端子和第一電感器的中端通過第一配線彼此連接。因為這個原因,將中端引出第一電感器外的互連層不必被形成。通過配線的連接的成本低于通過互連層的連接的成本。因此,可以抑制電路裝置的互連層的數(shù)量增加。結(jié)果,可以抑制電路裝置的制造成本增加。
在另一實施例中,提供了一種制造電路裝置的方法,包括:
形成第一絕緣層;
形成從第一絕緣層暴露的第一端子和第二端子、位于第一絕緣層的第一電感器、連接第一電感器的外端和第一端子的互連;以及
通過利用配線連接第二端子和第一電感器的中端。
根據(jù)本發(fā)明,可以抑制電路裝置的制造成本增加。
附圖說明
結(jié)合附圖,根據(jù)下面的某些優(yōu)選實施例的的描述,本發(fā)明的上述和其它目的、優(yōu)點和特征將會更加明顯,其中,
圖1是根據(jù)第一實施例的電路裝置的橫截面圖;
圖2是示意性地示出在圖1中所示的電路裝置的平面圖;
圖3是制造圖1中所示的電路裝置的方法的橫截面圖;
圖4是制造圖1中所示的電路裝置的方法的橫截面圖;
圖5是制造圖1中所示的電路裝置的方法的橫截面圖;
圖6是示出利用在圖1中所示的電路裝置的半導體器件的示例的橫截面圖;
圖7是根據(jù)第二實施例的半導體器件的平面圖;
圖8是根據(jù)第三實施例的電路裝置的橫截面圖;
圖9是根據(jù)第四實施例的電路裝置的橫截面圖;
圖10是根據(jù)第五實施例的電路裝置的橫截面圖;
圖11是示意性地示出在圖10中所示的電路裝置的平面圖;
圖12是根據(jù)第六實施例的電路裝置的橫截面圖;
圖13是根據(jù)第七實施例的電路裝置的橫截面圖;
圖14是根據(jù)第八實施例的電路裝置的橫截面圖;
圖15是示意性地示出在圖14所示的電路裝置的平面圖;
圖16是根據(jù)第九實施例的電路裝置的橫截面圖;
圖17是根據(jù)第十實施例的電路裝置的橫截面圖;
圖18是在圖17中所示的半導體器件的橫截面圖;
圖19A和19B是示出制造在圖18中所示的半導體器件的方法的橫截面圖;
圖20A和20B是示出制造在圖18中所示的半導體器件的方法的橫截面圖;
圖21是示出根據(jù)第十一實施例的半導體器件的構(gòu)造的橫截面圖;
圖22是示出根據(jù)第十二實施例的半導體器件的構(gòu)造的橫截面圖;
圖23是根據(jù)第十三實施例的電路裝置的橫截面圖;
圖24是示出在圖23中所示的電路裝置的平面圖。
具體實施方式
這里將參考說明性實施例描述本發(fā)明。本領域技術(shù)人員將認識到,利用本發(fā)明的教導,可以實現(xiàn)許多可選實施例,并且本發(fā)明不被限制于出于說明性目的而示出的實施例。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





