[發明專利]電路裝置及其制造方法無效
| 申請號: | 200910149645.0 | 申請日: | 2009-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN101609833A | 公開(公告)日: | 2009-12-23 |
| 發明(設計)人: | 川野連也 | 申請(專利權)人: | 恩益禧電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/528;H01L23/525;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 孫志湧;穆德駿 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電路 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種電路裝置,包括:
第一絕緣層;
第一電感器,所述第一電感器位于所述第一絕緣層的一個表面,并且通過螺旋導電圖形來構造;
第一端子和第二端子,所述第一端子和第二端子從所述第一絕緣層的所述一個表面暴露;
第一互連,所述第一互連形成在所述第一絕緣層的所述一個表面處,以連接所述第一端子和所述第一電感器的外端;以及
第一配線,所述第一配線位于所述第一絕緣層的所述一個表面側,以連接所述第二端子和所述第一電感器的中端。
2.根據權利要求1所述的電路裝置,進一步包括對于所述第一絕緣層的所述一個表面、所述第一電感器、所述第一端子、所述第二端子、所述第一互連以及所述第一配線進行封裝的密封樹脂層。
3.根據權利要求2所述的電路裝置,其中,
所述密封樹脂層是環氧樹脂層。
4.根據權利要求2所述的電路裝置,其中,
所述密封樹脂層的厚度大于所述第一電感器的互連間隔。
5.根據權利要求1所述的電路裝置,進一步包括:
第二電感器,所述第二電感器位于所述第一絕緣層的所述另一個表面處,并且位于在與所述一個表面相垂直的方向上的與所述第一電感器相重疊的區域中;
第三端子和第四端子,所述第三端子和第四端子布置在所述第一絕緣層的所述另一個表面上,并且分別連接到所述第一端子和所述第二端子;
第二絕緣層,所述第二絕緣層具有與所述第一絕緣層的所述另一個表面和所述第二電感器相接觸的一個表面;以及
四個開口,所述四個開口形成在所述第二絕緣層中以從所述第二絕緣層的另一個表面暴露所述第三端子、所述第四端子以及所述第二電感器的兩個端部。
6.根據權利要求5所述的電路裝置,其中,
所述第一絕緣層具有在其中層疊多個絕緣膜的結構。
7.根據權利要求5所述的電路裝置,其中,
所述第二絕緣層的所述另一個表面是平坦的。
8.根據權利要求5所述的電路裝置,其中,
所述第一絕緣層的厚度大于所述第一電感器的互連間隔。
9.根據權利要求5所述的電路裝置,進一步包括:
第一半導體器件;以及
第三配線,所述第三配線連接所述第一半導體器件和所述第三端子以及所述第四端子。
10.根據權利要求9所述的電路裝置,進一步包括:
第二半導體器件;以及
第四配線,所述第四配線連接所述第二半導體器件和所述第二電感器的所述兩個端部。
11.根據權利要求9所述的電路裝置,其中,
所述第一絕緣層位于所述第一半導體器件上,并且所述第一絕緣層的所述一個表面面對所述第一半導體器件。
12.根據權利要求1所述的電路裝置,其中,
所述第一端子和所述第二端子還從所述第一絕緣層的所述另一個表面暴露,并且,
所述電路裝置包括:
第二電感器,所述第二電感器位于所述第一絕緣層的所述一個表面上,并且通過平行于所述第一電感器而螺旋地延伸的導電圖形來構造;
第五端子和第六端子,所述第五端子和第六端子分別從所述第一絕緣層的所述一個表面和所述另一個表面暴露;
第二互連,所述第二互連形成在所述第一絕緣層的所述一個表面上,以連接所述第五端子和所述第二電感器的外端;以及
第二配線,所述第二配線位于所述第一絕緣層的所述一個表面側,以連接所述第六端子和所述第二電感器的中端。
13.根據權利要求12所述的電路裝置,其中,
所述第一絕緣層的所述另一個表面是平坦的。
14.根據權利要求1所述的電路裝置,其中,
所述第一絕緣層主要由聚酰亞胺樹脂構成。
15.根據權利要求1所述的電路裝置,其中,
所述第一電感器主要由從由金、銅、鎳、鈦、鈦-鎢以及鉻所構成的組中選擇的一種元素來構成,或者由包括從上述組中選擇的至少兩種元素的層疊膜或合金來構成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





