[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910149637.6
• 申請日: 2009-06-17
• 公開（公告）號(hào): CN101615620A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 福岡修;早川昌彥;肉戶英明
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L27/142
• 分類號(hào): H01L27/142;H01L29/36;H01L23/52
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 屠長存

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置以及電子設(shè)備。

背景技術(shù)

近年，形成在襯底上的具有特定的功能的電子電路(以下稱為功 能電路)被利用于各種各樣的電子部件、電子設(shè)備等的半導(dǎo)體裝置。

作為功能電路，例如可以舉出光電轉(zhuǎn)換電路等。一般已知各種具 有用于檢測電磁波的光電轉(zhuǎn)換電路的半導(dǎo)體裝置(也稱為光電轉(zhuǎn)換裝 置)，例如對(duì)從紫外線到紅外線有感知功能的裝置被總稱為光傳感器。 其中對(duì)波長為400nm至700nm的可見光區(qū)域有感知功能的裝置特別 被稱為可見光傳感器，并且各種可見光傳感器被使用于根據(jù)人類的生 活環(huán)境需要調(diào)節(jié)照度或控制開或關(guān)等的設(shè)備類。

具有上述功能電路的半導(dǎo)體裝置存在如下問題：由于從外部供給 一定以上的高電壓而導(dǎo)致構(gòu)成電路的元件發(fā)生電損壞。例如，有如下 問題：由于靜電等，幾kV左右的高電壓被供給到功能電路，功能電路 由于靜電的放電(也稱為ESD；Electro?Static?Discharge)而發(fā)生損 壞。在本說明書中，將使元件損壞的絕對(duì)值大的電壓稱為過電壓。

對(duì)于上述舉出的問題，提出一種半導(dǎo)體裝置，其中通過設(shè)置過電 壓保護(hù)電路，在從外部有過電壓施加到功能電路的情況下，也可以抑 制功能電路的元件的損壞(例如專利文獻(xiàn)1)。

例如，作為專利文獻(xiàn)1所記載的現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置，在過電壓施 加時(shí)，通過使二極管變成導(dǎo)通狀態(tài)，可以提高內(nèi)部電路對(duì)過電壓的耐 受性。

[專利文獻(xiàn)1]日本專利申請公開2006-60191號(hào)公報(bào)

但是，作為現(xiàn)有的具有設(shè)置有過電壓保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝 置，在有過電壓施加時(shí)，由于內(nèi)部電路的輸入部分附近的一部分的元 件被局部地?fù)p壞而導(dǎo)致工作不良等，所以對(duì)過電壓的耐受性不夠。另 外還存在由于設(shè)置過電壓保護(hù)電路而導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置的面積增大等 的問題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問題，本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是在不增大面積的 情況下提高對(duì)過電壓的耐受性。

本發(fā)明的一個(gè)方式是一種半導(dǎo)體裝置，包括：具有第一端子的第 一端子部；具有第二端子的第二端子部；以及具有功能電路的功能電 路部，其中上部包括：設(shè)置有第一端子或第二端子的半導(dǎo)體區(qū)域；第 一電極；第二電極；電連接到第一電極并成為第一端子的第三電極； 以及電連接到第二電極并成為第二端子的第四電極，并且，半導(dǎo)體區(qū) 域包括：電連接到第一電極以及功能電路，并且具有n型和p型中的 一方的導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)域；在平面圖(plane?view)中設(shè)置在第 一雜質(zhì)區(qū)域的內(nèi)周部的電阻區(qū)域；以及在平面圖中設(shè)置在電阻區(qū)域的 內(nèi)周部，并電連接到第二電極以及功能電路，且具有n型和p型中的 另一方的導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)區(qū)域。

另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，還可以采用以下結(jié)構(gòu)：分別設(shè)置 多個(gè)功能電路和第一電極的連接部、以及功能電路和第二電極的連接 部。其中，功能電路和第一電極的多個(gè)連接部的電阻值均一，并且功 能電路和第二電極的多個(gè)連接部的電阻值均一。

另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，還可以采用以下結(jié)構(gòu)：分別設(shè)置 多個(gè)第一雜質(zhì)區(qū)域和第一電極的連接部、以及第二雜質(zhì)區(qū)域和第二電 極的連接部。其中，第一雜質(zhì)區(qū)域和第一電極的多個(gè)連接部的電阻值 均一，并且第二雜質(zhì)區(qū)域和第二電極的多個(gè)連接部的電阻值均一。

另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，還可以采用以下結(jié)構(gòu)：電阻區(qū)域 的電阻值高于第一雜質(zhì)區(qū)域和第二雜質(zhì)區(qū)域的各電阻值。