[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910149637.6
• 申請(qǐng)日: 2009-06-17
• 公開（公告）號(hào): CN101615620A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 福岡修;早川昌彥;肉戶英明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L27/142
• 分類號(hào): H01L27/142;H01L29/36;H01L23/52
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 屠長存

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

半導(dǎo)體區(qū)域；

第一電極；

第二電極；

電連接到所述第一電極的第一端子；

電連接到所述第二電極的第二端子；以及

功能電路，

其中所述第一端子設(shè)置在所述半導(dǎo)體區(qū)域上，

所述半導(dǎo)體區(qū)域包括：

具有n型和p型中的一種導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)域；

在平面圖中設(shè)置在所述第一雜質(zhì)區(qū)域的內(nèi)周部的電阻區(qū) 域；以及

在所述平面圖中設(shè)置在所述電阻區(qū)域的內(nèi)周部的具有n型 和p型中的另一種導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)區(qū)域，

所述第一雜質(zhì)區(qū)域電連接到所述第一電極，

所述第二雜質(zhì)區(qū)域電連接到所述第二電極，并且

所述功能電路的第一端子電連接到所述第一電極，所述功能電路 的第二端子電連接到所述第二電極。

2.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

半導(dǎo)體區(qū)域；

第一電極；

第二電極；

電連接到所述第一電極的第一端子；

電連接到所述第二電極的第二端子；以及

功能電路，

其中所述第二端子設(shè)置在所述半導(dǎo)體區(qū)域上，

所述半導(dǎo)體區(qū)域包括：

具有n型和p型中的一種導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)域；

在平面圖中設(shè)置在所述第一雜質(zhì)區(qū)域的內(nèi)周部的電阻區(qū) 域；以及

在所述平面圖中設(shè)置在所述電阻區(qū)域的內(nèi)周部的具有n型 和p型中的另一種導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)區(qū)域，

所述第一雜質(zhì)區(qū)域電連接到所述第一電極，

所述第二雜質(zhì)區(qū)域電連接到所述第二電極，并且

所述功能電路的第一端子電連接到所述第一電極，所述功能電路 的第二端子電連接到所述第二電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述功能電路包 括光電轉(zhuǎn)換元件和放大電路。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，

其中設(shè)置有所述功能電路和所述第一電極的多個(gè)連接部，

設(shè)置有所述功能電路和所述第二電極的多個(gè)連接部，

所述功能電路和所述第一電極的所述多個(gè)連接部具有均一的電 阻值，

并且所述功能電路和所述第二電極的所述多個(gè)連接部具有均一 的電阻值。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述功能電路包括光 電轉(zhuǎn)換元件和放大電路。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，

其中設(shè)置有所述第一雜質(zhì)區(qū)域和所述第一電極的多個(gè)連接部，

設(shè)置有所述第二雜質(zhì)區(qū)域和所述第二電極的多個(gè)連接部，

所述第一雜質(zhì)區(qū)域和所述第一電極的所述多個(gè)連接部具有均一 的電阻值，

并且所述第二雜質(zhì)區(qū)域和所述第二電極的所述多個(gè)連接部具有 均一的電阻值。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述電阻區(qū)域的 電阻值高于所述第一雜質(zhì)區(qū)域和所述第二雜質(zhì)區(qū)域的電阻值。