[發明專利]處理裝置無效
| 申請號: | 200910149131.5 | 申請日: | 2009-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN101609790A | 公開(公告)日: | 2009-12-23 |
| 發明(設計)人: | 南雅人;佐佐木芳彥 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;C23F4/00;H05H1/24;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 | 代理人: | 龍 淳 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
技術區域
本發明涉及在處理容器內向例如FPD(平板顯示器)用的玻璃基板等的被處理體供給處理氣體,并通過該處理氣體,對上述被處理體進行規定的處理的技術。
背景技術
在LCD(Liquid?Crystal?Display:液晶顯示裝置)的制造工序中,具有對玻璃基板上形成的鋁(Al)膜進行蝕刻處理的工序。對于進行該工序的蝕刻處理裝置的一個例子根據圖12進行簡單的說明,圖中1是真空腔室,在該真空腔室1的內部,設置有用于載置作為被處理體的例如FPD基板S(以下,簡稱為基板S)的載置臺11,并且以與該載置臺11相對的方式設置有成為上部電極的處理氣體供給部12。而且,從處理氣體供給部12向真空腔室1的內部供給例如氯(Cl2)系氣體構成的蝕刻氣體,經過排氣流路13,用沒有圖示的真空泵對真空腔室1內進行真空抽吸,另一方面,通過從高頻電源14向上述載置臺11施加高頻電力,在基板S的上方空間形成蝕刻氣體的等離子體,由此對基板S進行蝕刻處理。
但是,Al膜的蝕刻中,供給速率,即因為蝕刻氣體的供給量和蝕刻量成比例,所以通過負荷效果使基板S周邊部的蝕刻速度變得極快,產生蝕刻量變多的現象。也就是說,在圖13中,在用符號15表示的基板S的周邊部,從作為蝕刻劑的Cl自由基來看,和用符號16表示的相同面積的中央區域相比蝕刻面積大約是一半,因此如果用與供給中央區域16的流量相同的流量供給蝕刻氣體,那么與中央區域16相比,周邊部15的蝕刻量大約是其的2倍。
因此,如圖12和圖14(a)所示,采用通過設置包圍基板S的周圍的整流部件17,用整流部件17遮住基板S的周邊部附近的蝕刻氣體流,在基板S的周圍形成氣體積存區域的對策。通過這種方法,使該區域的蝕刻氣體的流速降低,可以在基板面內提高蝕刻速度的均一性。
但是,如果設置這樣的整流部件17,則當整流部件17的上端例如比從設置于真空腔室1的側壁部的搬入搬出口10搬入的基板S的搬送高度高時,搬送中的基板S和整流部件17互相干涉。因此,例如如圖14(b)所示,使整流部件17自由升降,通過使整流部件17從載置臺11升起而形成的間隙搬入搬出基板S。
這里,整流部件17構成為,,例如將由陶瓷制的板材構成的4塊整流壁171組合,形成框架,該框架以包圍基板S的形式被載置在載置臺11上。在這4塊中的例如相對的2塊整流壁171的側面,以向載置臺11的外部伸出的方式設置有突出部172,在各個突出部172的下表面連接有支撐整流部件17的支撐棒181。而且,通過升降機構18上下移動各個支撐棒181,可以升降整個整流部件17。
另一方面,近幾年來,FPD基板S的大型化日益推進,例如開發出了處理一邊邊長在2米以上的基板S的蝕刻處理裝置。這樣的蝕刻處理裝置中,對于包圍基板S的整流部件17也需要其是一個邊的邊長在2米以上的大型部件,特別是構成整流部件17的整流壁171,為了達到抑制對真空腔室1中形成的等離子體的影響的目的,其由上述的陶瓷制成,因此各整流壁171的重量化會明顯。
這里,如圖15(a)所示,形成到上緣的高度“h”例如為50mm-150mm程度的細長的四邊形(角形)形狀的整流壁171,支撐其兩端從載置臺11上升的情況下,其長度“L”例如是2米以上,重量化的整流壁171由于其自重會出現中央部彎曲的情況。如果整流壁171彎曲,例如如圖15(b)所示,整流壁171的中央部會向下方鼓出,妨礙基板S的搬送;或者如圖15(c)所示,在載置臺11上載置整流部件17時,從整流部件17彎曲的中央部接觸載置臺11,形成所謂的“單邊接觸”的狀態,重復這個動作,整流部件17和載置臺11可能會在局部磨損而產生灰塵,或破損。
這一點,例如現有的整流部件17,如圖14(a)等所示,通過以突出部172支撐其4個角的下緣部,使加載在整流壁171上的負荷平均化,來避免特定的整流壁171上加有過大的自重而使彎曲變大的情況。但是近年的基板S的大型化,通過分散負荷的對應來減輕彎曲是不夠的,需要更進一步的針對重量化的對策。
為了減輕伴隨重量化的彎曲,雖然可以考慮將如圖15(a)所示的整流部件17的高度“h”加大來提高相對重力方向的整流部件17的剛性的方法,但是,由于伴隨整流部件17的進一步的重量化,使升降機構18的負擔變大,會需要更新驅動系統。而且,在維護蝕刻處理裝置等情況下,現狀是可以通過例如手工作業來進行整流部件17的拆卸、安裝,但是,伴隨著重量化有可能需要起重機等機械,維護性就會惡化。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東京毅力科創株式會社,未經東京毅力科創株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910149131.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:鈰-鋯類復合氧化物及其制造方法
- 下一篇:用于緩釋給藥的藥物制劑
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





