[發明專利]處理裝置無效
| 申請號: | 200910149131.5 | 申請日: | 2009-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN101609790A | 公開(公告)日: | 2009-12-23 |
| 發明(設計)人: | 南雅人;佐佐木芳彥 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;C23F4/00;H05H1/24;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 | 代理人: | 龍 淳 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種處理裝置,其特征在于,包括:
設置在處理容器的內部,用于載置被處理體的載置臺;
用于從該載置臺的上方側供給處理氣體,對載置在該載置臺上的被處理體進行處理的處理氣體供給單元;
用于排出所述處理容器內氣體的氣體排氣部;
連接有多個沿著所述載置臺上的被處理體的各邊延伸的整流壁,并以包圍該被處理體的方式構成的整流部件;
支撐所述整流壁的兩端部的支撐部件;和
升降機構,該升降機構通過使所述支撐部件升降,而使所述整流部件在所述載置臺的上表面和該載置臺的上方的位置之間升降,
所述整流壁的上緣形成為向該整流壁的中央部逐漸變高的形狀,其下緣形成為與所述載置臺的上表面平行。
2.根據權利要求1所述處理裝置,其特征在于:
所述整流壁的上緣形成為向該整流壁的中央部連續變高。
3.根據權利要求2所述的處理裝置,其特征在于:
所述整流壁的上緣形成為拱形形狀。
4.根據權利要求1所述的處理裝置,其特征在于:
所述整流壁的上緣形成為向該整流壁的中央部階梯狀地變高。
5.根據權利要求1-4的任意一項所述的處理裝置,其特征在于:
所述整流壁的上緣形成為向該整流壁的兩端逐漸變高。
6.一種處理裝置,其特征在于,包括:
設置在處理容器的內部,用于載置被處理體的載置臺;
用于從該載置臺的上方側供給處理氣體,對載置在該載置臺上的被處理體進行處理的處理氣體供給單元;?
用于排出所述處理容器內氣體的氣體排氣部;
連接有多個沿著所述載置臺上的被處理體的各邊延伸的整流壁,并以包圍該被處理體方式構成的整流部件;以及
支撐所述整流壁兩端部的支撐部件,
所述整流壁由第一塊狀部件和第二塊狀部件接合而成,其中,第二塊狀部件接合在該第一塊狀部件的上側或者下側的至少一方,并由比構成該第一塊狀部件的材料的密度低的材料構成,所述第一塊狀部件的上下方向的尺寸形成為向該整流壁的中央部逐漸變大。
7.根據權利要求6所述的處理裝置,其特征在于,
所述第一塊狀部件的上下方向的尺寸形成為向所述整流壁的中央部連續或者階梯狀地變大。
8.根據權利要求6或者7所述的處理裝置,其特征在于:
所述第一塊狀部件是陶瓷制,所述第二塊狀部件是多孔質陶瓷制。
9.根據權利要求6或者7所述的處理裝置,其特征在于:
具有升降機構,該升降機構通過使所述支撐部件升降,而使所述整流部件在所述載置臺的上表面和該載置臺的上方的位置之間升降。
10.根據權利要求1-4、6以及7的任意一項所述的處理裝置,其特征在于:
所述被處理體是四邊形基板,所述整流壁沿著該四邊形基板的各邊延伸。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





