[發明專利]半導體晶粒的接合方法有效
| 申請號: | 200910149028.0 | 申請日: | 2009-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN101740414A | 公開(公告)日: | 2010-06-16 |
| 發明(設計)人: | 余振華;邱文智;吳文進 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 晶粒 接合 方法 | ||
1.一種半導體晶粒的接合方法,其特征在于其包括以下步驟:
提供一第一晶粒和一第二晶粒;
掃描該第一晶粒和該第二晶粒至少其中之一,以判斷其厚度變化;
將該第一晶粒的一第一表面朝向該第二晶粒的一第二表面;
利用該厚度變化,傾斜該第一晶粒和該第二晶粒至少其中之一使得該第一表面與該第二表面互相平行;以及
將該第二晶粒接合至該第一晶粒之上。
2.根據權利要求1所述的半導體晶粒的接合方法,其特征在于其中所述的第二晶粒為一頂晶粒,該第一晶粒為一底晶粒,而傾斜該第一晶粒和該第二晶粒至少其中之一的步驟包含傾斜該頂晶粒。
3.根據權利要求1所述的半導體晶粒的接合方法,其特征在于其中所述的第二晶粒為一頂晶粒,該第一晶粒為一底晶粒,而傾斜該第一晶粒和該第二晶粒至少其中之一的步驟包含傾斜該底晶粒。
4.根據權利要求1所述的半導體晶粒的接合方法,其特征在于其中所述的第二晶粒為一已切割晶粒,而該第一晶粒為一未切割晶圓的一部份。
5.根據權利要求1所述的半導體晶粒的接合方法,其特征在于其中掃描該第一晶粒和該第二晶粒至少其中之一的步驟包含:
提供一晶粒托盤,該晶粒托盤包含多個托點,每一托點均用以放置一晶粒;
將該第二晶粒放置于該晶粒托盤的該些托點其中之一;以及
掃描該第二晶粒,其中該晶粒托盤包含多個放置于其上的晶粒,掃描該第二晶粒的步驟為掃描該些晶粒的步驟的一部份。
6.一種半導體晶粒的接合方法,其特征在于其包括以下步驟:
提供一底晶圓,包含多個第一晶粒;
提供多個第二晶粒;
掃描該底晶圓以判斷該些第一晶粒的多個第一厚度變化;
將該些第二晶粒放置于一晶粒托盤;
掃描該些第二晶粒以判斷該些第二晶粒的多個第二厚度變化;
由該晶粒托盤中選擇該些第二晶粒其中的一晶粒;
移動該些第二晶粒其中的該晶粒至該些第一晶粒其中的一晶粒之上;
傾斜該底晶圓和該些第二晶粒其中的該晶粒至少其中之一,使得該些第一晶粒其中的該晶粒的一第一表面平行于該些第二晶粒其中的該晶粒的一第二表面,其中該第一表面朝向該第二表面;以及
將該些第二晶粒其中的該晶粒接合至該些第一晶粒其中的該晶粒。
7.根據權利要求6所述的半導體晶粒的接合方法,其特征在于其中掃描該底晶圓的步驟以及掃描該些第二晶粒的步驟以一掃描系統執行,該接合方法更包含將該些第一厚度變化以及該些第二厚度變化儲存至一控制單元。
8.根據權利要求7所述的半導體晶粒的接合方法,其特征在于其中傾斜該底晶圓和該些第二晶粒其中的該晶粒至少其中之一的步驟由該控制單元所控制,該控制單元利用該些第一厚度變化以及該些第二厚度變化,使得該第一表面與該第二表面互相平行。
9.根據權利要求6所述的半導體晶粒的接合方法,其特征在于其更包含:
根據該些第一厚度變化以及該些第二厚度變化,控制該底晶圓以及該些第二晶粒的傾斜;以及
將每一該些第二晶粒接合至該些第一晶粒之上。
10.一種半導體晶粒的接合方法,其特征在于其包括以下步驟:
提供一第一晶粒和一第二晶粒;
將該第一晶粒置于一平臺之上;
移動該第二晶粒,使其朝向該第一晶粒;
傾斜該第一晶粒和該第二晶粒至少其中之一,使得該第一晶粒的一第一表面與該第二晶粒的一第二表面互相平行;
將該第二晶粒向該第一晶粒移動,此時該第一表面與該第二表面保持平行,而在將該第二晶粒向該第一晶粒移動之前,先掃描以判斷該第一晶粒和該第二晶粒至少其中之一的厚度變化;以及
將該第二晶粒接合至該第一晶粒。
11.根據權利要求10所述的半導體晶粒的接合方法,其特征在于其中所述的第一晶粒位于一晶圓,而該第二晶粒為一已切割晶粒。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





