[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的電容器及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910146632.8
• 申請(qǐng)日: 2009-06-03
• 公開（公告）號(hào): CN101599509A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁澤承
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/92
• 分類號(hào): H01L29/92;H01L21/02
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 吳小瑛;劉春生

1.一種器件，其包括：

位于基板上的底電極；

層積于所述底電極上的介電層，所述介電層包含具有第一厚度的第一介 電層，具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二介電層，厚度約等于所述第 一厚度的第三介電層；和

位于介電層上的頂電極。

2.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第二厚度為約100±5

3.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一厚度為約30±2

4.如權(quán)利要求3所述的器件，其中所述第二厚度為約100±5

5.如權(quán)利要求4所述的器件，其中所述第一介電層和第三介電層包含 Al₂O₃。

6.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一介電層和第三介電層包含 Al₂O₃。

7.如權(quán)利要求4所述的器件，其中所述第二介電層包含HfO₂、ZrO₂和Ta₂O₅中的至少一種。

8.如權(quán)利要求4所述的器件，其中所述底電極、所述層積的介電層和所述 頂電極形成電容器，其中所述電容器的電容在約8fF/μm²至約10fF/μm²的范 圍內(nèi)。

9.一種方法，其包括：

在基板上形成底電極；

在所述底電極上形成具有第一厚度的第一介電層；

在所述第一介電層上形成具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二介電 層；

在所述第二介電層上形成厚度約等于所述第一厚度的第三介電層；和

在所述第三介電層上形成頂電極。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中通過(guò)原子層沉積工藝依次沉積第一介電 層至第三介電層。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中通過(guò)利用三甲基鋁和臭氧沉積Al₂O₃從 而形成所述第一介電層和第三介電層。

12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中通過(guò)利用四[乙基甲基氨基]鉿和臭氧沉 積HfO₂從而形成所述第二介電層。