[發明專利]發光元件無效
| 申請號: | 200910146631.3 | 申請日: | 2009-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN101840976A | 公開(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發明(設計)人: | 郭武政;翁瑞坪;林孜翰 | 申請(專利權)人: | 采鈺科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陳晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 | ||
技術領域
本發明涉及發光元件,且特別涉及側光(side?view)式發光元件。
背景技術
發光二極管(LED)基于例如卓越的耐久性、低功率損耗、長工作壽命、無汞、高效能等特性,已成為廣為使用的照明設備。
發光二極管元件可分為頂射式發光二極管(top?view?LEDs)及側光式發光二極管(side?view?LEDs),取決于基底上的發光二極管芯片的出光方向。側光式發光二極管可用作小尺寸液晶屏幕的光源,例如可用于手機(mobile?phones)、個人數字助理(PDAs)、或筆記本電腦等。然而,側光式發光二極管通常是以高分子材料封裝。因此,散熱問題將更趨嚴重。此外,傳統側光式發光二極管的電極位于設置有發光二極管芯片的基底的相反面上,造成側光式發光二極管的封裝體厚度增加,因而限制其應用。或者,側光式發光二極管可通過形成反射層或反射結構以將所發出的光線轉向至所需的方向。然而,這種發光二極管的封裝體的尺寸仍過大。
因此,業界亟需改良的發光二極管元件。
發明內容
為了解決現有技術中存在的上述問題,本發明實施例提供一種發光元件,包括第一基底,包括半導體材料或陶瓷材料;第一溝槽,自第一基底的第一側向相反的第二側延伸,且自第一基底的第一表面向相反的第二表面延伸;第二溝槽,自第一側向第二側延伸,且自第一表面向第二表面延伸;發光裝置,設置在第一表面上,發光裝置具有第一電極及第二電極;第一導電層,位于第一溝槽的第一側壁上且電性連接至第一電極;以及第二導電層,位于第二溝槽的第二側壁上且電性連接至第二電極。
本發明實施例提供一種發光元件,包括第一基底;第一溝槽,自第一基底的第一側向相反的第二側延伸,且自第一基底的第一表面向相反的第二表面延伸;第二溝槽,自第一側向第二側延伸,且自第一表面向第二表面延伸;發光裝置,設置在第一表面上,發光裝置具有第一電極及第二電極;第一導電層,位于第一溝槽的第一側壁上且電性連接至第一電極;以及第二導電層,位于第二溝槽的第二側壁上且電性連接至第二電極。
對本發明實施例的具有“側邊電極”的發光元件而言,電性連接至發光元件的印刷電路板可由本來需設置于基底背面而改為設置于基底的側面。因此,本發明實施例的發光元件的第二基底(或封裝基底)由于設置于第一基底下,可使整體封裝結構在第一基底的厚度方向上(即平行于第一基底的第一表面的法向量的方向)較薄,有助于增進其應用范圍。
附圖說明
圖1A-圖1E顯示本發明實施例的發光元件的一系列工藝示意圖。
圖2A-圖2F顯示對應至圖1的工藝剖面圖。
圖3A-圖3B顯示在本發明實施例中,基底中的孔洞的側壁。
圖4A-圖4E顯示本發明實施例的發光元件的示意圖。
圖5A-圖5B顯示本發明實施例中,切割基底以獲得發光元件的俯視圖。
圖6A-圖6C顯示本發明實施例的發光元件的立體圖。
上述附圖中的附圖標記說明如下:
10~發光元件;
100、130~基底;
100a、100b、130a~表面;
100c、100d~側;
102~發光裝置;
102a、102b~電極;
102c~出光表面;
104~孔洞;
104a、104b~溝槽;
104a′、104b′~次孔洞;
105~絕緣層;
106、106a、106b、108a、108b、108c、108d、110a、110b~導電層;
120~保護層;
122~光學透鏡;
124~凹陷;
132a、132b~導電結構;
C1、C2~角落;
L1、L2、L3、L4~切割線;
W1、W2、W3~距離;
W4~厚度。
具體實施方式
本發明實施例涉及發光元件及其制法,且特別是有關于側光(side?view)式發光元件。應了解的是以下的敘述提供許多不同的實施例或例子,用以實施本發明的不同方式。以下所述特定的元件及排列方式盡為本發明的簡單描述。當然,這些僅用以舉例而非本發明的限定。此外,在不同實施例中可能使用重復的標號或標示。這些重復僅為了簡單清楚地敘述本發明,不代表所討論的不同實施例和/或結構之間具有任何關連性。再者,當述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時,包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一個或更多其他材料層的情形。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于采鈺科技股份有限公司,未經采鈺科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910146631.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體發光器件及其制造方法
- 下一篇:固態圖像捕捉元件和電子信息設備





