[發明專利]發光元件

無效

• 申請號: 200910146631.3
• 申請日: 2009-06-03
• 公開（公告）號: CN101840976A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 郭武政;翁瑞坪;林孜翰
• 申請（專利權）人: 采鈺科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種發光元件，包括：

一第一基底，包括一半導體材料或一陶瓷材料；

一第一溝槽，自該第一基底的一第一側向相反的一第二側延伸，且自該第一基底的一第一表面向相反的一第二表面延伸；

一第二溝槽，自該第一側向該第二側延伸，且自該第一表面向該第二表面延伸；

一發光裝置，設置在該第一表面上，該發光裝置具有一第一電極及一第二電極；

一第一導電層，位于該第一溝槽的一第一側壁上且電性連接至該第一電極；以及

一第二導電層，位于該第二溝槽的一第二側壁上且電性連接至該第二電極。

2.如權利要求1所述的發光元件，其中該第一溝槽位于該第一基底的一第一角落。

3.如權利要求1所述的發光元件，其中該第二溝槽位于該第一基底的一第二角落。

4.如權利要求1所述的發光元件，其中該發光裝置的一出光表面的一法向量大抵平行于該第一基底的該第一表面的一第一法向量。

5.如權利要求4所述的發光元件，還包括：

一第二基底；

至少一第一導電結構，位于該第二基底的一表面上；以及

至少一第二導電結構，位于第二基底的該表面上；

其中：

該第一基底設置在該第二基底上；

該第一法向量大抵垂直于該第二基底的該表面的一第二法向量；

所述第一導電結構與該第一導電層直接接觸；以及

所述第二導電結構與該第二導電層直接接觸。

6.如權利要求5所述的發光元件，其中至少部分的所述第一導電結構或所述第二導電結構分別位于該第一溝槽或該第二溝槽中。

7.如權利要求5所述的發光元件，其中該第一導電層或該第二導電層分別完全填滿該第一溝槽或該第二溝槽。

8.如權利要求1所述的發光元件，其中該第一溝槽或該第二溝槽完全貫穿該第一基底。

9.如權利要求1所述的發光元件，其中該第一溝槽的該第一側壁或該第二溝槽的該第二側壁大抵垂直于該第一表面。

10.如權利要求1所述的發光元件，其中該第一溝槽的該第一側壁或該第二溝槽的該第二側壁傾斜于該第一表面。

11.如權利要求1所述的發光元件，其中該第一溝槽的該第一側壁或該第二溝槽的該第二側壁自該第一表面朝該第二表面傾斜且自該第二表面朝該第一表面傾斜。

12.如權利要求1所述的發光元件，其中該發光裝置設置于一凹陷的底部上，該凹陷自該第一基底的該第一表面向下延伸。

13.一種發光元件，包括：

一第一基底；

一第一溝槽，自該第一基底的一第一側向相反的一第二側延伸，且自該第一基底的一第一表面向相反的一第二表面延伸；

一第二溝槽，自該第一側向該第二側延伸，且自該第一表面向該第二表面延伸；

一發光裝置，設置在該第一表面上，該發光裝置具有一第一電極及一第二電極；

一第一導電層，位于該第一溝槽的一第一側壁上且電性連接至該第一電極；以及

一第二導電層，位于該第二溝槽的一第二側壁上且電性連接至該第二電極。

14.如權利要求13所述的發光元件，還包括：

一第二基底；

至少一第一導電結構，位于該第二基底的一表面上；以及

至少一第二導電結構，位于第二基底的該表面上；

其中：

該第一基底設置在該第二基底上；

該第一法向量大抵垂直于該第二基底的該表面的一第二法向量；

所述第一導電結構與該第一導電層直接接觸；以及

所述第二導電結構與該第二導電層直接接觸。