[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910146496.2 | 申請日: | 2009-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN101604671A | 公開(公告)日: | 2009-12-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 團(tuán)野忠敏 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社瑞薩科技 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;H01L23/49;H01L23/13;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 劉國偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置及其制造技術(shù),尤其是關(guān)于一種在布線襯底上搭載 有半導(dǎo)體芯片,且在布線襯底的半導(dǎo)體芯片搭載面(表面)的相反側(cè)的面(背面)上具 備外部連接用端子的半導(dǎo)體裝置及適用于此半導(dǎo)體裝置的制造且有效的技術(shù)。
背景技術(shù)
在日本專利特開2006-190928號公報(專利文獻(xiàn)1)中,記載有一種與如下的BGA (Ball Grid Array,球柵陣列)相關(guān)的技術(shù),即此BGA是防止在形成于布線襯底上的通 孔中形成有空孔或凹坑。在此技術(shù)中,在布線襯底的內(nèi)部形成有不貫穿布線襯底的通孔 (盲孔(blind via)),且以與此通孔直接連接的方式在布線襯底的背面形成有焊盤(焊 墊)。即,揭示了在形成于布線襯底的背面的焊盤上配置有通孔的所謂焊墊內(nèi)通孔(Pad on via)的構(gòu)造。此時,形成于布線襯底的背面的焊盤的端部由阻焊劑覆蓋,在焊盤的 中央部形成有使阻焊劑開口的開口部。即,專利文獻(xiàn)1中所記載的焊盤形成所謂的SMD (Solder Mask Defined,阻焊膜定義)的構(gòu)造,此構(gòu)造是指形成于阻焊劑上的開口部的 孔徑小于焊盤的直徑,且此開口部形成為在平面上內(nèi)包于焊盤內(nèi)。在形成此SMD的構(gòu) 造的焊盤上搭載有焊球而形成BGA。
在日本專利特開2002-368154號公報(專利文獻(xiàn)2)中,形成有貫穿布線襯底的通 孔,且以與此通孔直接連接的方式在布線襯底的背面上形成有焊盤(焊墊)。即,在專 利文獻(xiàn)2中也揭示有所謂的焊墊內(nèi)通孔的構(gòu)造。此時,在專利文獻(xiàn)2中作為對象的封裝 是LGA(Land Grid Array,接點柵格陣列),且以在布線襯底的背面上未涂布有阻焊劑 的方式構(gòu)成。
[專利文獻(xiàn)1]
日本專利特開2006-190928號公報
[專利文獻(xiàn)2]
日本專利特開2002-368154號公報
近年來,在半導(dǎo)體芯片的封裝形態(tài)中,例如有被稱為BGA(Ball Grid Array)的形 態(tài)。BGA是首先將半導(dǎo)體芯片搭載在布線襯底的表面上,并使用導(dǎo)線來連接形成于此半 導(dǎo)體芯片上的焊接墊與形成于布線襯底的表面的電極。且,使布線襯底的表面上所形成 的電極與貫穿布線襯底的通孔電性連接。使貫穿布線襯底的通孔與布線襯底的背面上所 形成的焊盤連接。在此焊盤上搭載焊球而構(gòu)成外部連接端子。
以上述方式構(gòu)成的BGA中,在布線襯底的背面成矩陣狀地配置有焊盤。因此,與 僅從引線框(1ead frame)的四個方向取出引線(外部連接端子)的QFP(Quad Flat Package, 四方扁平封裝)相比,能夠在更小面積的布線襯底上配置較多的外部連接端子。因此, BGA較QFP具有如下優(yōu)點,即相對于外部連接端子伴隨半導(dǎo)體芯片的高集成化及高功 能化而增加,趨于小型化。
在上述的BGA中,對布線襯底的背面上所形成的焊盤的構(gòu)成進(jìn)行說明。通常,BGA 是以如下方式構(gòu)成,即形成于布線襯底的背面的配線的一端連接于貫穿布線襯底的通 孔,且焊盤連接于此配線的另一端。此時,以覆蓋焊盤的方式在布線襯底的背面上涂布 有阻焊劑,在此阻焊劑上形成有使焊盤露出的開口部。根據(jù)此開口部的口徑與焊盤的直 徑的關(guān)系,區(qū)分成SMD與NSMD(Non Solder Mask Defined,非阻焊膜定義)。
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