[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200910146496.2
• 申請日: 2009-06-10
• 公開（公告）號: CN101604671A
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發明（設計）人: 團野忠敏
• 申請（專利權）人: 株式會社瑞薩科技
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/49;H01L23/13;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉國偉

1.一種半導體裝置，其特征在于包括：(a)布線襯底；(b)半導體芯片，其搭載于所述 布線襯底的第1面上；以及(c)多根導線，所述多根導線將形成于所述布線襯底上的 多個電極與形成于所述半導體芯片上的多個焊接墊分別加以連接；

所述布線襯底具有：

(a1)所述多個電極，其形成于所述布線襯底的所述第1面上；

(a2)多個第1焊盤，其形成于所述布線襯底的所述第1面上，且設為不與所述多 個電極在平面上重疊；

(a3)多根第1配線，其形成于所述布線襯底的所述第1面上，將所述多個電極與 所述多個第1焊盤分別加以電性連接；

(a4)多個通孔，其形成為在平面上內包于所述多個第1焊盤的各個焊盤中，且貫 穿所述布線襯底；

(a5)多個第2焊盤，其形成于所述布線襯底的所述第1面的相反側的面即第2面 上，形成為在平面上內包所述多個通孔的各個通孔，且與所述多個通孔的各個通孔電性 連接；

(a6)保護膜，其形成于所述布線襯底的所述第2面上且具有多個第1開口部，所 述多個第1開口部的面積大于所述多個第2焊盤的各個焊盤的面積，且內包所述多個第 2焊盤的各個焊盤；以及

(a7)多個第1突起電極，其設置于所述保護膜上所形成的所述多個第1開口部的 各個開口部，且與所述多個第2焊盤的各個焊盤電性連接；

在所述布線襯底的所述第2面上包括：

(a8)多個第3焊盤，其設為不與所述多個通孔的各個通孔在平面上重疊；

(a9)第2配線，其將所述多個第2焊盤的一部分與所述多個第3焊盤的各個焊盤 電性連接；

(a10)所述保護膜，其形成于所述布線襯底的所述第2面上且具有多個第2開口 部，所述多個第2開口部的面積小于所述多個第3焊盤的各個焊盤的面積，且不使所述 第2配線露出而在平面上包含于所述多個第3焊盤中；以及

(a11)多個第2突起電極，其設置于所述保護膜上所形成的所述多個第2開口部 的各個開口部，且與所述多個第3焊盤的各個焊盤電性連接，

且所述多個第2焊盤之中，與所述多個第3焊盤的各個焊盤電性連接的焊盤由所述 保護膜覆蓋。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述多個第1突起電極的各個電極的 高度為0.1mm以下。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述多個第1突起電極的各個電極的 高度高于0.1mm。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述多個電極分別形成矩形形狀，且 所述多個第2焊盤的各個焊盤與所述多個第1開口部的各個開口部形成圓形形狀。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述布線襯底形成矩形形狀，所述多 個電極配置于所述布線襯底的外周部，且所述多個第1焊盤配置于較配置有所述多個電 極的所述布線襯底的所述外周部更內側的區域中。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述布線襯底形成矩形形狀，所述多 個電極沿所述布線襯底的邊配置，所述多個第1焊盤的一部分配置于較配置有所述多個 電極的所述布線襯底的區域更外側的區域中，且所述多個第1焊盤的一部分配置于較配 置有所述多個電極的所述布線襯底的區域更內側的區域中。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述多個第1突起電極的各個電極的 高度與所述多個第2突起電極的各個電極的高度均為0.1mm以下。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述多個第1突起電極的各個電極的 高度與所述多個第2突起電極的各個電極的高度均高于0.1mm。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述多個第1突起電極配置于所述布 線襯底的角部。