[發(fā)明專利]線路組件制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910145302.7
• 申請(qǐng)日: 2006-05-18
• 公開（公告）號(hào): CN101572244A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林茂雄;周健康;劉益誠(chéng);周秋明;李進(jìn)源;李文杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 米輯電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L23/58
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 邱 軍

本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2006年5月18日且發(fā)明名稱為“一種線路元件的制作方法”的中國(guó)專利申請(qǐng)No.200610080846.6的分案申請(qǐng)。?

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種具有無源元件的芯片及其制作方法，且特別涉及一種相互感應(yīng)的雙線圈的芯片及其制作方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)所追求的目標(biāo)是能夠在具有競(jìng)爭(zhēng)性的價(jià)格下制造出高效能的半導(dǎo)體元件。隨著半導(dǎo)體制造工藝及材料的研發(fā)，再配合新型且精致的元件設(shè)計(jì)，如此半導(dǎo)體元件的尺寸可以大幅縮小。大部分的半導(dǎo)體元件用來處理數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，然而也有部分的半導(dǎo)體元件集成有模擬的功能，如此半導(dǎo)體元件便可以同時(shí)處理數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)及模擬數(shù)據(jù)，或者半導(dǎo)體元件亦可以僅具有模擬的功能。制造模擬電路的主要困難點(diǎn)之一是在于許多用于模擬電路的電子元件甚大，難以與次微米極的電子元件集成，尤其是針對(duì)無源元件而言，此乃因?yàn)闊o源元件的尺寸過于龐大。

美國(guó)專利公告第5,212,403號(hào)(Nakanishi)公開一種形成線路連線的方法，其中內(nèi)部及外部之線路連線形成在位于芯片上的線路基底內(nèi)，并且邏輯線路的設(shè)計(jì)會(huì)取決于線路連線的長(zhǎng)度。

美國(guó)專利公告第5,501,006號(hào)(Gehman，Jr.et?al.)公開一種集成電路與線路基底之間具有絕緣層的結(jié)構(gòu)，而借由分散出去的引腳可以是芯片的接點(diǎn)與基板的接點(diǎn)電性連接。

美國(guó)專利公告第5,055,907號(hào)(Jacobs)公開一種集成型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，可以允許制造商將一薄膜多層線路形成在支撐基板上或芯片上，借以集成位于芯片外的電路。

美國(guó)專利公告第5,106,461號(hào)(Volfson?et?al.)公開一種多層連線結(jié)構(gòu)，其借由TAB結(jié)構(gòu)并利用聚酰亞胺(polyimide)的介電層及金屬層交互疊合于芯?片上而成。

美國(guó)專利公告第5,635,767號(hào)(Wenzel?et?al.)公開一種在PBGA結(jié)構(gòu)中降低電阻電容遲緩效應(yīng)的方法，其中多層金屬層分開配置。

美國(guó)專利公告第5,686,764號(hào)(Fulcher)公開一種倒裝片基板，借由將電源線與輸入輸出引線分開配置，可以降低電阻電容遲緩效應(yīng)。

美國(guó)專利公告第6,008,102號(hào)(Alford?et?al.)公開一種利用兩層金屬層所形成的螺旋狀電感元件，其中此兩層金屬層可以利用導(dǎo)通孔連接。

美國(guó)專利公告第5,372,967號(hào)(Sundaram?et?al.)公開一種螺旋狀電感元件。

美國(guó)專利公告第5,576,680號(hào)(Ling)及第5,884,990號(hào)(Burghartz?et?al.)公開一種其他形式的螺旋狀電感元件。

美國(guó)專利公告第6,383,916號(hào)公開一種芯片結(jié)構(gòu)具有重配置線路層及金屬連線層，配置在介電層上，其中介電層位于傳統(tǒng)芯片的保護(hù)層上。保護(hù)層位于集成電路上，而厚的聚合物層選擇性地配置在保護(hù)層上，寬的或厚的金屬連線位于保護(hù)層上。

美國(guó)專利公告第6,303,423號(hào)公開一種形成具有高感應(yīng)系數(shù)的電感元件于芯片的保護(hù)層上的結(jié)構(gòu)。此種具有高感應(yīng)系數(shù)的電感元件可以應(yīng)用在高頻電路中，并且可以減少電能的損耗。在此案中，還公開電容元件及電阻元件，可以形成在硅基底的表面上，借以減少位于硅基底下的電子元件所引發(fā)出的寄生效應(yīng)。

美國(guó)專利公告第6,869,870號(hào)(Lin)公開一種變壓器形成在晶片的保護(hù)層上。

發(fā)明內(nèi)容

因此本發(fā)明目的之一就是提供一種在保護(hù)層上具有線圈元件的半導(dǎo)體芯片，其中頂層線圈可以承受高電壓高電流，且控制頂層線圈的電流變化可以感應(yīng)底層線圈。