[發明專利]線路組件制作方法

有效

• 申請號: 200910145302.7
• 申請日: 2006-05-18
• 公開（公告）號: CN101572244A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發明（設計）人: 林茂雄;周健康;劉益誠;周秋明;李進源;李文杰
• 申請（專利權）人: 米輯電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L23/58
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 邱 軍

1.一種線路組件制作方法，包括下列步驟：

提供半導體基底、第一線圈以及保護層，其中該第一線圈位于該半導體基底之上，該保護層位于該第一線圈之上，且該保護層包括厚度介于0.2微米至1.2微米之間的含硅氮化物；

以旋涂工藝形成第一聚合物層在該保護層上，且該第一聚合物層接觸該保護層；

在形成該第一聚合物層的步驟之后，利用1倍的曝光步進機曝光該第一聚合物層；

在曝光該第一聚合物層的步驟之后，硬化該第一聚合物層；以及

在硬化該第一聚合物層的步驟之后，形成第二線圈在該第一聚合物層之上、在該保護層上方以及在該第一線圈上方，且形成該第二線圈的步驟依序包括：

(a)以濺鍍工藝形成含鈦金屬層在該第一聚合物層之上；

(b)以濺鍍工藝形成第一金層在該含鈦金屬層上，且該第一金層接觸該含鈦金屬層；

(c)形成光阻層在該第一金層上，且位于該光阻層內的開口暴露出該第一金層；

(d)使用含有亞硫酸根、鈉離子及金離子的電鍍液電鍍形成第二金層在該開口所暴露出的該第一金層之上；

(e)去除該光阻層；

(f)去除未在該第二金層之下的該第一金層；以及

(g)去除未在該第二金層之下的該含鈦金屬層。

2.根據權利要求1所述的線路組件制作方法，其中該電鍍液的金離子濃度介于每千升5至20公克。

3.根據權利要求1所述的線路組件制作方法，其中該電鍍液的溫度介于攝氏30度至65度之間。

4.根據權利要求1所述的線路組件制作方法，其中該含硅氮化物為氮化硅。

5.根據權利要求1所述的線路組件制作方法，其中該第一線圈的材料包括鋁。

6.根據權利要求1所述的線路組件制作方法，其中該第一線圈的材料包括電鍍銅。

7.根據權利要求1所述的線路組件制作方法，其中在曝光該第一聚合物層的步驟中是使用波長介于434至437納米之間的光線進行曝光。

8.根據權利要求1所述的線路組件制作方法，其中在曝光該第一聚合物層的步驟中是使用波長介于403至406納米之間的光線進行曝光。

9.根據權利要求1所述的線路組件制作方法，其中在曝光該第一聚合物層的步驟中是使用波長介于364至366納米之間的光線進行曝光。

10.根據權利要求1所述的線路組件制作方法，還包括在形成該第二線圈的步驟之后，形成第二聚合物層在該第二線圈上，且該第二聚合物層接觸該第二線圈。