[發明專利]倒裝芯片封裝及半導體芯片封裝有效
| 申請號: | 200910143187.X | 申請日: | 2009-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN101593734A | 公開(公告)日: | 2009-12-02 |
| 發明(設計)人: | 陳南誠 | 申請(專利權)人: | 聯發科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/12 | 分類號: | H01L23/12;H01L23/482;H01L23/48;H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京萬慧達知識產權代理有限公司 | 代理人: | 葛 強;張一軍 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 倒裝 芯片 封裝 半導體 | ||
1.一種倒裝芯片封裝,其特征在于,該倒裝芯片封裝包含:
封裝載體,具有上表面及下表面;
半導體裸芯片,包含裸芯片面與裸芯片邊緣,該半導體裸芯片倒置于該封裝載體的該上表面,其中,該裸芯片面上設置多個接合焊盤;
重布線層結構,位于該半導體裸芯片與該封裝載體之間并直接接觸該裸芯片面,該重布線層結構包含重新布局金屬層,其中,該重新布局金屬層中的至少一部分凸出于該裸芯片邊緣;以及
多個凸點,排布于該重布線層結構之上,該多個凸點用以將該封裝載體電性連接于該半導體裸芯片。
2.如權利要求1所述的倒裝芯片封裝,其特征在于,該封裝載體為基板,該基板包含兩金屬布線層,該兩金屬布線層分別排布于該封裝載體的該上表面與該下表面。
3.如權利要求2所述的倒裝芯片封裝,其特征在于,該兩金屬布線層通過多個金屬穿孔電性連接,該多個金屬穿孔通過機械式鉆孔方法形成于該封裝載體中。
4.如權利要求1所述的倒裝芯片封裝,其特征在于,該重新布局金屬層重新分布位于該半導體裸芯片的該裸芯片面上的該多個接合焊盤,以形成多個外擴接合焊盤,以及該多個凸點分別設置于該多個外擴接合焊盤之上。
5.如權利要求1所述的倒裝芯片封裝,其特征在于,更包含底膠,該底膠位于該重布線層結構與該封裝載體之間。
6.如權利要求1所述的倒裝芯片封裝,其特征在于,更包含膠體,該膠體包覆該半導體裸芯片。
7.如權利要求1所述的倒裝芯片封裝,其特征在于,該封裝載體為導線架。
8.如權利要求1所述的倒裝芯片封裝,其特征在于,設置于該重布線層結構上的該多個凸點具有0.15-0.3mm的凸點間距。
9.如權利要求1所述的倒裝芯片封裝,其特征在于,該半導體裸芯片封裝具有超過300個輸入輸出引腳。
10.如權利要求1所述的倒裝芯片封裝,其特征在于,該重布線層結構更包含絕緣層及防焊層。
11.一種半導體芯片封裝,其特征在于,該半導體芯片封裝包含:
半導體裸芯片,包含多個接合焊盤,該多個接合焊盤設置于該半導體裸芯片的裸芯片面上;
膠體,用以包覆該半導體裸芯片的一部分;
重新分布層,覆蓋該裸芯片面及該膠體的一部分并直接接觸該裸芯片面,用以重新分布,其中,該重新分布層外擴該多個接合焊盤;
多個凸點,位于該重新分布層之上;
基板,包含兩金屬布線層,該兩布線金屬層分別位于該基板的上表面與下表面,其中,該多個凸點設置于該上表面;以及
多個焊球,位于該基板的該下表面。
12.如權利要求11所述的半導體芯片封裝,其特征在于,該兩金屬布線層通過多個金屬穿孔互相電性連接,該多個金屬穿孔通過機械式鉆孔方法形成。
13.如權利要求11所述的半導體芯片封裝,其特征在于,更包含底膠,該底膠位于該重新分布層與該基板之間。
14.如權利要求11所述的半導體芯片封裝,其特征在于,位于該重新分布層上的該多個凸點具有0.15-0.3mm的凸點間距,以及位于該基板的該下表面的該多個焊球具有0.5mm的球間距。
15.一種半導體芯片封裝,其特征在于,該半導體芯片封裝包含:
半導體裸芯片,包含多個接合焊盤,該多個接合焊盤設置于該半導體裸芯片的裸芯片面上;
膠體,用以包覆該半導體裸芯片的一部分;
重新分布層,覆蓋該裸芯片面及該膠體的一部分并直接接觸該裸芯片面,用以重新分布,其中,該重新分布層外擴該多個接合焊盤;
多個凸點,位于該重新分布層之上;以及
導線架,其中該半導體裸芯片設置于該導線架之上。
16.一種半導體芯片封裝,其特征在于,該半導體芯片封裝包含:
封裝載體,具有上表面及下表面;
外擴晶圓級裝置,設置于該封裝載體的該上表面;以及
底膠,該底膠位于該封裝載體與該外擴晶圓級裝置之間;其中,該外擴晶圓級裝置包含
半導體裸芯片及重新分布層,該重新分布層位于該半導體裸芯片與該封裝載體之間并直接接觸該半導體裸芯片的裸芯片面,用于外擴該半導體裸芯片的多個接合焊盤。
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