[發(fā)明專利]一種反并聯(lián)雙二極管

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910143134.8
• 申請(qǐng)日: 2009-05-15
• 公開（公告）號(hào): CN101546760A
• 公開（公告）日: 2009-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁建軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南通久旺電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L23/48;H01L29/861;H01L29/36
• 代理公司: 北京一格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 鐘廷良;李沛昌

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種反并聯(lián)雙二極管，具體涉及一種即可以單獨(dú)封裝成軸向二極管，也可以與固體放電管芯片或TVS管芯片疊加燒結(jié)一起封裝成反并聯(lián)雙二極管的集成芯片。

背景技術(shù)

由于固體放電管的短路失效模式比氣體放電管的開路失效模式在安全保護(hù)方面更加可靠，因此被越來越多地應(yīng)用。但在數(shù)據(jù)線、ISDN、CATV、Modem以及其他高頻電子通信設(shè)備中，目前已有的SA系列、TPA系列、P3XX系列固體放電管電容值較大(通常20pf以上)而引起信號(hào)較大的衰減使應(yīng)用受到限制。因此數(shù)據(jù)線、ISDN、CATV、Modem以及其他高頻電子通信設(shè)備迫切需要低電容固體放電管。且上述高頻電子通信設(shè)備的電容值最好為小于5pf的低電容固體放電管。目前市場(chǎng)上流通的均為20pf以上的固體放電管。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要任務(wù)在于提供一種反并聯(lián)雙二極管，具體涉及一種即可以單獨(dú)封裝成軸向二極管也可以與固體放電管芯或TVS管芯片疊加燒結(jié)一起封裝成反并聯(lián)雙二極管集成芯片。

為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明的一種反并聯(lián)雙二極管芯片，其特征在于：所述芯片為反并聯(lián)集成芯片，結(jié)構(gòu)為在芯片載體上設(shè)置兩個(gè)反向排列的PN結(jié)芯片A、B，兩芯片中間有隔離帶，隔離帶兩端覆蓋?二氧化硅保護(hù)層，PN結(jié)兩端引出部分通過金屬層連接形成芯片A、B反并聯(lián)。

進(jìn)一步地，所述芯片A、B的兩端均分別設(shè)有磷擴(kuò)散區(qū)和硼擴(kuò)散區(qū)。

進(jìn)一步地，所述芯片A的磷擴(kuò)散區(qū)的端面與芯片B的硼擴(kuò)散區(qū)的端面為同一端面。

進(jìn)一步地，所述芯片A的硼擴(kuò)散區(qū)的端面與芯片B的磷擴(kuò)散區(qū)的端面為同一端面。

進(jìn)一步地，所述隔離帶內(nèi)用硼進(jìn)行穿通擴(kuò)散。

以上結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于：將兩個(gè)PN結(jié)反向并聯(lián)，在電子線路中常用于雙向限壓，以及利用整流二極管較小的電容與固體放電管或雙向瞬間電壓抑制器管串聯(lián)來降低整個(gè)保護(hù)電路電容的目的。本發(fā)明的集成芯片是將芯片制成雙面擴(kuò)散區(qū)對(duì)稱，兩芯片之間設(shè)隔離帶的集成芯片，它可以單獨(dú)封裝成DO-15，DO-41標(biāo)準(zhǔn)的軸向二極管外形，也可以與固體放電管芯或TVS管芯片疊加燒結(jié)一起封裝成反并聯(lián)雙二極管集成產(chǎn)品。最大的優(yōu)點(diǎn)還在于節(jié)約空間，減少所占面積，適應(yīng)目前電子產(chǎn)品追求小巧的趨勢(shì)，能夠適用于高頻電子通信設(shè)備的電容值小于5pf的低電容固體放電管。具有廣闊的市場(chǎng)前景。

附圖說明

圖為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖所示，本發(fā)明的芯片為PN極反向并聯(lián)的集成芯片。具體結(jié)構(gòu)為：將含低濃度磷的硅單晶作為芯片載體2，在該載體2上設(shè)置兩?個(gè)芯片A、B，所述芯片A、B的結(jié)構(gòu)相同，均為在載體2的兩端面上分別設(shè)磷擴(kuò)散區(qū)和硼擴(kuò)散區(qū)，只是芯片A的磷擴(kuò)散區(qū)3的端面與芯片B硼擴(kuò)散區(qū)4的端面為同一端面，芯片A的硼擴(kuò)散區(qū)1端面與芯片B磷擴(kuò)散區(qū)5端面為同一端面。在上述的磷擴(kuò)散區(qū)3、5端面與硼擴(kuò)散區(qū)4、1端面的引出部分直接連合金金屬層6，具體連接為：磷擴(kuò)散區(qū)3與硼擴(kuò)散區(qū)4通過引出部分與合金金屬層6連通，磷擴(kuò)散區(qū)5硼擴(kuò)散區(qū)1過引出部分與合金金屬層6連通，這樣，使兩個(gè)芯片A、B實(shí)現(xiàn)PN極反向并聯(lián)，達(dá)到在電子線路中用于雙向限壓，以及利用整流二極管較小的電容與固體放電管或雙向瞬間電壓抑制器管串聯(lián)來降低整個(gè)保護(hù)電路電容的目的。

在上述兩個(gè)芯片A、B之間的中心位置，設(shè)有硼擴(kuò)散區(qū)作為隔離帶7，在隔離帶7的兩端部及兩個(gè)芯片引出部分以外的部分，均覆蓋有二氧化硅氧化層8。