[發(fā)明專利]一種反并聯(lián)雙二極管無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910143134.8 | 申請(qǐng)日： | 2009-05-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101546760A | 公開(kāi)（公告）日： | 2009-09-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 袁建軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 南通久旺電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L25/07 | 分類號(hào)： | H01L25/07;H01L23/48;H01L29/861;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京一格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人： | 鐘廷良;李沛昌 |
| 地址： | 226500江蘇省如皋市如*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 并聯(lián) 二極管 | ||
1.一種反并聯(lián)雙二極管芯片，其特征在于：所述芯片為反并聯(lián)集成芯片，結(jié)構(gòu)為在芯片載體上設(shè)置兩個(gè)反向排列的PN結(jié)芯片A、B，兩芯片中間有隔離帶，隔離帶兩端覆蓋二氧化硅保護(hù)層，PN結(jié)兩端引出部分通過(guò)金屬層連接形成芯片A、B反并聯(lián)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種反并聯(lián)雙二極管芯片，其特征在于：所述芯片A、B的兩端均分別設(shè)有磷擴(kuò)散區(qū)和硼擴(kuò)散區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種反并聯(lián)雙二極管芯片，其特征在于：所述芯片A的磷擴(kuò)散區(qū)的端面與芯片B的硼擴(kuò)散區(qū)的端面為同一端面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種反并聯(lián)雙二極管芯片，其特征在于：所述芯片A的硼擴(kuò)散區(qū)的端面與芯片B的磷擴(kuò)散區(qū)的端面為同一端面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種反并聯(lián)雙二極管芯片，其特征在于：所述隔離帶內(nèi)用硼進(jìn)行穿通擴(kuò)散。?
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件，例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件，例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
