[發明專利]一種半導體元件及其形成方法

有效

• 申請號: 200910143052.3
• 申請日: 2009-05-25
• 公開（公告）號: CN101677063A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: 林俊成;余振華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/22;H01L21/82;H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 壽 寧;張華輝

1.一種形成一半導體元件的方法，其特征在于該方法至少包含以下步 驟：

提供一基板，其具有一柵極堆疊形成于其上；

在該基板中形成重摻雜源極/漏極區域于該柵極堆疊的相對側上；

形成一摻雜劑的一原子層于該基板中該柵極堆疊的相對側的一表面 上；以及

退火該基板，從而在該基板中該柵極堆疊的相對側上形成超淺接面。

2.根據權利要求1所述的形成一半導體元件的方法，其特征在于至少 更包含，在形成一摻雜劑的一原子層之前，使該基板中該柵極堆疊的相對 側凹陷，從而形成多個凹陷，且其中該形成一摻雜劑的一原子層的步驟至 少包含形成該原子層于該些凹陷中。

3.根據權利要求2所述的形成一半導體元件的方法，其特征在于至少 更包含磊晶生長一磊晶層于該些凹陷中。

4.根據權利要求3所述的形成一半導體元件的方法，其特征在于至少 更包含原位摻雜該磊晶層。

5.根據權利要求1所述的形成一半導體元件的方法，其特征在于其中 所述的形成重摻雜源極/漏極區域的步驟是在該形成一摻雜劑的一原子層 的步驟前進行。

6.根據權利要求1所述的形成一半導體元件的方法，其特征在于其中 所述的形成重摻雜源極/漏極區域的步驟包含凹陷該基板從而形成多個凹 陷，以及磊晶生長一應力層于該些凹陷中。

7.根據權利要求1所述的形成一半導體元件的方法，其特征在于其中 該些超淺接面延伸至該柵極堆疊。

8.一種形成一半導體元件的方法，其特征在于該方法至少包含以下步 驟：

提供一基板，其具有一柵極堆疊形成于其上；

使該基板中該柵極堆疊的相對側的至少一部份凹陷，從而在該柵極堆 疊的相對側上形成多個第一凹陷；

形成一原子層，其是沿著該些第一凹陷的每一個的一底部表面及一側 壁；

退火該基板；

磊晶生長一第一磊晶層于該些第一凹陷的每一個中；以及

形成源極/漏極區域于該柵極堆疊的相對側上，該些第一凹陷延伸至比 該些源極/漏極區域更接近該柵極堆疊。

9.根據權利要求8所述的形成一半導體元件的方法，其特征在于至少 更包含原位摻雜該第一磊晶層。

10.根據權利要求8所述的形成一半導體元件的方法，其特征在于其 中所述的形成源極/漏極區域的步驟是在該凹陷步驟前進行。

11.根據權利要求8所述的形成一半導體元件的方法，其特征在于其 中所述的形成源極/漏極區域的步驟至少包含形成多個第二凹陷于該柵極 堆疊的相對側上以及磊晶生長一第二磊晶層于該些第二凹陷的每一個中。

12.一種半導體元件，其特征在于至少包含：

一基板；

一柵極，以一柵極堆疊的形式堆疊形成于該基板上；

多個超淺接面，形成于該基板中該柵極堆疊的相對側中的多個第一凹 陷中；以及

源極/漏極區域，形成于該基板中該柵極堆疊的相對側。

13.根據權利要求12所述的半導體元件，其特征在于其中所述的源極 /漏極區域至少包含一磊晶層在該基板的多個第二凹陷中，該些第二凹陷比 該些第一凹陷更加延伸至該基板內。

14.根據權利要求12所述的半導體元件，其特征在于其中該些超淺接 面至少包含一磊晶硅層。

15.根據權利要求12所述的半導體元件，其特征在于其中該些超淺接 面至少包含與該基板不同的一材料。

16.根據權利要求12所述的半導體元件，其特征在于其中該些超淺接 面在一襯墊下方延伸，該襯墊是沿著該柵極堆疊而設置。