[發明專利]電子部件及其制造方法有效
| 申請號: | 200910142735.7 | 申請日: | 2009-06-02 |
| 公開(公告)號: | CN101599446A | 公開(公告)日: | 2009-12-09 |
| 發明(設計)人: | 上田知史;宓曉宇;高橋岳雄 | 申請(專利權)人: | 富士通媒體部品株式會社;富士通株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/15;H01L23/498;H01L23/13;H01F37/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人: | 黃綸偉 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 部件 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及使用多層陶瓷基板的電子部件及其制造方法。
背景技術
在以移動電話為代表的移動無線通信設備的領域中,通信系統和通信頻帶正變得越來越復雜,并且應用也在增加并多樣化。為此,在安裝到移動無線通信設備上的高頻模塊和高頻器件中,由于受到部件安裝空間的限制而強烈需要小型化以及薄型化。
為了實現模塊的小型化,采用集成有以電感器和電容器為代表的無源元件的IPD(Integrated?Passive?Device:集成無源器件)。此外,為了進一步小型化,而提出了以下結構:在由多層陶瓷構成的封裝基板的表面上形成由薄膜構成的IPD,并在該IPD上安裝功能元件和無源元件。
在專利文獻1中記載了在陶瓷基板上夾著絕緣層形成有無源器件的IC芯片。此外,在專利文獻2和3中記載有如下的技術:在陶瓷基板的表面上設置多個封裝制作區段,在該制作區段內形成用于安裝功能元件的空腔。
【專利文獻1】日本特開平10-98158號公報
【專利文獻2】日本專利第3427031號公報
【專利文獻3】日本專利第3404375號公報
在以往使用多層陶瓷基板的模塊中,在與形成IPD的面相反側的面上,通過印刷等來形成以外部連接用的電極焊盤為代表的導體圖案。由于該導體圖案具有預定的厚度,所以有時導體圖案在陶瓷基板的平坦面上較大地突出,并在表面上產生凹凸。由此,存在下述問題:產生加熱/冷卻工序中的熱傳導性降低、基板裝卡時的穩定性降低,其結果是導致制造成品率降低。
發明內容
本發明正是鑒于上述問題而完成的,其目的在于提供以下的電子部件及其制造方法:在使用多層陶瓷基板的電子部件中通過提高形成導體圖案的面的平坦性來提高制造成品率。
本發明是一種電子部件的制造方法,其特征在于,該制造方法具有以下步驟:在層疊的生片的第一主面上印刷與內部配線電連接的導體圖案的步驟;將在與所述導體圖案對應的區域中形成有開口部的開口生片重疊在所述第一主面上的步驟;在層疊方向上對重疊有所述開口生片的層疊生片進行加壓的步驟;通過將所述層疊生片和所述導體圖案一起焙燒來形成多層陶瓷基板的步驟;以及在所述多層陶瓷基板的與所述第一主面相反側的第二主面上設置與所述內部配線電連接的電子元件的步驟,在對所述層疊生片進行加壓的步驟中,使所述導體圖案的表面成為向所述開口生片的所述開口部的內側凹進的形狀。根據本發明,將形成在第一主面上的導體圖案填入開口生片的開口部中,所以能夠提高焙燒后多層陶瓷基板的平坦性。由此,此后制造過程中的熱傳導性和穩定性提高,從而能夠提高制造成品率。
在上述結構中,還可以具有在形成所述陶瓷基板的步驟后,在所述導體圖案的表面形成保護膜的步驟,在形成所述保護膜的步驟中,使所述保護膜的表面成為與所述開口生片的表面處于同一平面,或成為向所述開口部的內側凹進的形狀。根據該結構,能夠抑制導體圖案的遷移(migration)。
在上述結構中,設置所述電子元件的步驟包括以下步驟:通過在所述多層陶瓷基板的所述第二主面上形成金屬層,來形成所述電子元件。根據該結構,通過確保多層陶瓷基板的平坦性,能夠提高在第二主面上形成金屬層的步驟的成品率。
在上述結構中,該制造方法還具有:在所述第一主面中沒有印刷所述導體圖案的區域中形成空腔的步驟;以及在所述空腔的底面上形成與所述層疊生片的所述內部配線電連接的導體圖案的步驟。
在上述結構中,該制造方法還具有:在所述空腔的底面上設置與所述內部配線電連接的、不同于所述電子元件的其他電子元件的步驟。根據該結構,通過在空腔內設置電子元件,能夠使裝置小型化以及薄型化。
在上述結構中,所述導體圖案由以Ag、Cu或者Ni為主要成分的導體構成。
在上述結構中,該制造方法還具有按照預定的區段來切斷所述多層陶瓷基板的步驟。
本發明是一種晶片,其特征在于,該晶片具備:多層陶瓷基板,其具有內部配線,并在第一主面上具有凹部;以及導體圖案,其設置在所述凹部的底面上,與所述內部配線電連接,并與所述多層陶瓷基板一起焙燒,所述導體圖案的表面成為向所述多層陶瓷基板的所述凹部的內側凹進的形狀。根據本發明,將導體圖案填入形成在第一主面上的凹部中,因此能夠提高形成導體圖案的面的平坦性。通過使用本發明的多層陶瓷基板來進行電子部件的制造,能夠提高制造成品率。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于富士通媒體部品株式會社;富士通株式會社,未經富士通媒體部品株式會社;富士通株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910142735.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





