[發(fā)明專利]電子部件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910142735.7 | 申請(qǐng)日: | 2009-06-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101599446A | 公開(公告)日: | 2009-12-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 上田知史;宓曉宇;高橋岳雄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 富士通媒體部品株式會(huì)社;富士通株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/60 | 分類號(hào): | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/15;H01L23/498;H01L23/13;H01F37/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 黃綸偉 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一種電子部件的制造方法,其特征在于,該制造方法具有以下步驟:
在層疊的生片的第一主面上印刷與內(nèi)部配線電連接的導(dǎo)體圖案的步驟;
將在與所述導(dǎo)體圖案對(duì)應(yīng)的區(qū)域中形成有開口部的開口生片重疊在所述第一主面上的步驟;
在層疊方向上對(duì)重疊有所述開口生片的層疊生片進(jìn)行加壓的步驟;
通過將所述層疊生片和所述導(dǎo)體圖案一起焙燒來形成多層陶瓷基板的步驟;以及
在所述多層陶瓷基板的與所述第一主面相反側(cè)的第二主面上設(shè)置與所述內(nèi)部配線電連接的電子元件的步驟,
在對(duì)所述層疊生片進(jìn)行加壓的步驟中,使所述導(dǎo)體圖案的表面成為向所述開口生片的所述開口部的內(nèi)側(cè)凹進(jìn)的形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件的制造方法,其特征在于,還具有在形成所述陶瓷基板的步驟后,在所述導(dǎo)體圖案的表面形成保護(hù)膜的步驟,
在形成所述保護(hù)膜的步驟中,使所述保護(hù)膜的表面成為與所述開口生片的表面處于同一平面,或成為向所述開口部的內(nèi)側(cè)凹進(jìn)的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件的制造方法,其特征在于,設(shè)置所述電子元件的步驟包括以下步驟:通過在所述多層陶瓷基板的所述第二主面上形成金屬層,來形成所述電子元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件的制造方法,其特征在于,該制造方法還具有:
在所述第一主面中沒有印刷所述導(dǎo)體圖案的區(qū)域上形成空腔的步驟;以及
在所述空腔的底面上形成與所述層疊生片的所述內(nèi)部配線電連接的導(dǎo)體圖案的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子部件的制造方法,其特征在于,該制造方法還具有在所述空腔的底面上設(shè)置有與所述內(nèi)部配線電連接的、不同于所述電子元件的其他電子元件的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件的制造方法,其特征在于,所述導(dǎo)體圖案由以Ag、Cu或者Ni為主要成分的導(dǎo)體構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件的制造方法,其特征在于,該制造方法還具有按照預(yù)定的區(qū)段來切斷所述多層陶瓷基板的步驟。
8.一種晶片,其特征在于,該晶片具備:
多層陶瓷基板,其具有內(nèi)部配線,并在第一主面上具有凹部;以及
導(dǎo)體圖案,其設(shè)置在所述凹部的底面上,與所述內(nèi)部配線電連接,并與所述多層陶瓷基板一起焙燒,
所述導(dǎo)體圖案的表面成為向所述多層陶瓷基板的所述凹部的內(nèi)側(cè)凹進(jìn)的形狀。
9.一種電子部件,其特征在于,該電子部件具有:
多層陶瓷基板,其具有內(nèi)部配線,并在第一主面上具有凹部;
導(dǎo)體圖案,其設(shè)置在所述凹部的底面上,與所述內(nèi)部配線電連接,并與所述多層陶瓷基板一起焙燒;以及
電子元件,其設(shè)置在所述多層陶瓷基板的與所述第一主面相反側(cè)的第二主面上,并與所述內(nèi)部配線電連接,
所述導(dǎo)體圖案的表面成為向所述多層陶瓷基板的所述凹部的內(nèi)側(cè)凹進(jìn)的形狀。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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