[發明專利]回收磁頭支架的方法、制造磁頭支架的方法和回收工件的方法無效
| 申請號: | 200910142720.0 | 申請日: | 2009-06-02 |
| 公開(公告)號: | CN101604535A | 公開(公告)日: | 2009-12-16 |
| 發明(設計)人: | 井上勝;川尾成;下田武志 | 申請(專利權)人: | 日本發條株式會社 |
| 主分類號: | G11B5/60 | 分類號: | G11B5/60;G11B5/50;G11B21/21;G11B21/26;B08B7/04;B08B3/08;B08B7/00 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 | 代理人: | 許 靜 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 回收 磁頭 支架 方法 制造 工件 | ||
1.一種從磁頭懸架組件回收磁頭支架的方法,所述磁頭懸架組件包括磁頭支架和滑塊,所述滑塊包括讀/寫磁頭并且通過粘合劑被固定到所述磁頭支架的舌狀物上,所述方法包括:
從所述磁頭支架的舌狀物分離所述滑塊;以及
通過執行如下步驟來去除所述舌狀物上殘留的粘合劑:
將溶劑提供到殘留有粘合劑的舌狀物部分,所述溶劑加快從所述舌狀物去除殘留的粘合劑;和
通過對所述舌狀物的粘合劑殘留部分應用物理能量來從所述舌狀物加快去除殘留的粘合劑,所述物理能量是通過加熱產生的。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,所述將溶劑提供到殘留有粘合劑的舌狀物部分的步驟包括:
將溶劑局部地提供到殘留有粘合劑的舌狀物部分。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,所述加快從所述舌狀物去除殘留的粘合劑的步驟包括:
選擇不會對所述磁頭支架的任何部分產生不利影響的加熱溫度范圍,并且在所選擇的加熱溫度范圍內的溫度下加熱所述粘合劑殘留部分。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,所述加快從所述舌狀物去除殘留的粘合劑的步驟包括:
對所述粘合劑殘留部分應用加熱和超聲波振動。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,所述加快從所述舌狀物去除殘留的粘合劑的步驟包括:
擦拭所述粘合劑殘留部分。
6.根據權利要求1所述的方法,進一步包括:
在加快從所述舌狀物去除殘留的粘合劑的步驟之后,利用清洗液體至少清洗所述舌狀物。
7.根據權利要求6所述的方法,其中:
所述清洗液體是純凈水。
8.根據權利要求6所述的方法,其中,所述利用清洗液體至少清洗所述舌狀物的步驟包括:
至少將所述舌狀物浸入充滿了槽的清洗液體當中,并且加熱所述清洗液體。
9.根據權利要求6所述的方法,其中,所述利用清洗液體至少清洗所述舌狀物的步驟包括:
至少將所述舌狀物浸入充滿了槽的清洗液體當中,并且對所述舌狀物應用超聲波振動。
10.根據權利要求1所述的方法,進一步包括:
多次重復地執行去除所述舌狀物上殘留的粘合劑的步驟。
11.根據權利要求1所述的方法,其中,所述將溶劑提供到殘留有粘合劑的舌狀物部分的步驟包括:
利用燒結的陶瓷棒和微量注射器的其中一個,將溶劑局部地提供到所述舌狀物上的所述粘合劑殘留部分。
12.根據權利要求1所述的方法,其中,所述加快從所述舌狀物去除殘留的粘合劑的步驟包括:
在小于等于200攝氏度的溫度下,加熱所述舌狀物上的所述粘合劑殘留部分。
13.一種制造磁頭支架的方法,通過根據權利要求1所述的方法回收磁頭支架來制造磁頭支架。
14.一種回收工件的方法,所述工件具有通過粘合劑固定有電子部件的底座,所述方法包括:
從所述底座分離電子部件;以及
通過執行如下步驟來去除所述底座上殘留的粘合劑:
將溶劑提供到殘留有粘合劑的底座部分,所述溶劑加快從所述底座去除殘留的粘合劑;和
通過加熱殘留有粘合劑的底座部分來從所述底座加快去除殘留的粘合劑。
15.根據權利要求14所述的方法,其中,所述將溶劑提供到殘留有粘合劑的底座部分的步驟包括:
將溶劑局部地提供到粘合劑殘留部分。
16.根據權利要求14所述的方法,其中,所述加快從所述底座去除殘留的粘合劑的步驟包括:
選擇不會對所述工件的任何部分產生不利影響的加熱溫度范圍,并且在所選擇的加熱溫度范圍內的溫度下加熱所述粘合劑殘留部分。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于日本發條株式會社,未經日本發條株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910142720.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





