[發明專利]像素和使用該像素的有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 200910142448.6 | 申請日: | 2009-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN101609839A | 公開(公告)日: | 2009-12-23 |
| 發明(設計)人: | 金陽完 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 | 代理人: | 郭鴻禧;劉奕晴 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 使用 有機 發光 顯示裝置 | ||
本申請要求于2008年6月17日在韓國知識產權局提交的第 10-2008-0056813號韓國專利申請的優先權和權益,該申請的全部內容通過引 用被包含于此。
技術領域
本發明涉及一種像素和一種使用該像素的有機發光顯示裝置。
背景技術
近年來,已經嘗試開發了與陰極射線管相比重量減輕和體積減小的各種 平板顯示裝置。平板顯示裝置包括液晶顯示裝置、場發射顯示裝置、等離子 體顯示裝置和有機發光顯示裝置等。
在平板顯示裝置中,有機發光顯示裝置通過利用有機發光二極管來顯示 圖像,有機發光二極管通過使電子和空穴復合來產生光。有機發光顯示裝置 的優點在于,其具有相對快速的響應時間,而且還可以以相對小的功耗驅動。
圖1是示出傳統有機發光顯示裝置的像素的電路圖。
參照圖1,傳統有機發光顯示裝置的像素4包括有機發光二極管(OLED) 和像素電路2,其中,像素電路2結合到數據線(Dm)和掃描線(Sn),從 而控制有機發光二極管(OLED)。
有機發光二極管(OLED)的陽電極結合到像素電路2,有機發光二極管 (OLED)的陰電極結合到第二電源(ELVSS)。有機發光二極管(OLED) 產生亮度與從像素電路2提供的電流對應的光。
當向掃描線(Sn)提供掃描信號時,像素電路2根據提供到數據線(Dm) 的數據信號來控制提供到有機發光二極管(OLED)的電流的量。為此,像素 電路2包括:第二晶體管(M2’),結合在第一電源(ELVDD)和有機發光二 極管(OLED)之間;第一晶體管(M1’),結合在第二晶體管(M2’)的柵電 極和數據線(Dm)之間,第一晶體管的柵電極結合到掃描線(Sn);存儲電 容器(Cst),結合在第二晶體管(M2’)的柵電極和第二晶體管(M2’)的第 一電極之間。
第一晶體管(M1’)的柵電極結合到掃描線(Sn),第一晶體管(M1’) 的第一電極結合到數據線(Dm)。第一晶體管(M1’)的第二電極結合到存 儲電容器(Cst)的一端。這里,第一晶體管(M1’)的第一電極為源電極或 漏電極,第一晶體管(M1’)的第二電極為源電極和漏電極中的另一個。例 如,當第一電極被為源電極時,第二電極為漏電極。當從掃描線(Sn)提供 低的掃描信號時,第一晶體管(M1’)導通,并向存儲電容器(Cst)提供來 自數據線(Dm)的數據信號。在這種情況下,存儲電容器(Cst)被充有與 該數據信號對應的電壓。
第二晶體管(M2’)的柵電極結合到存儲電容器(Cst)的一端,第二晶 體管(M2’)的第一電極結合到存儲電容器(Cst)的另一端和第一電源 (ELVDD)。第二晶體管(M2’)的第二電極結合到有機發光二極管(OLED) 的陽電極。第二晶體管(M2’)根據存儲在存儲電容器(Cst)中的電壓值來 控制電流的量,該電流經過有機發光二極管(OLED)從第一電源(ELVDD) 流到第二電源(ELVSS)。在這種情況下,有機發光二極管(OLED)產生與 從第二晶體管(M2’)提供的電流的量對應的光。
然而,傳統有機發光顯示裝置的像素4在顯示具有均勻亮度的圖像方面 存在問題。更具體地講,每個像素4中的第二晶體管(M2’)(例如,驅動晶 體管)的閾值電壓由于制造工藝差異而不同。當如上所述將驅動晶體管的閾 值電壓設為不同的閾值電壓電平時,即使將與相同灰度級對應的數據信號提 供到像素,仍然由于驅動晶體管的不同閾值電壓而在有機發光二極管(OLED) 的像素中產生不準確的亮度。
另外,傳統有機發光顯示裝置存在以下問題,即,由于來自第一電源 (ELVDD)的電壓根據顯示單元中的每個像素的位置的壓降,第一電源 (ELVDD)的電壓會隨像素而改變。當來自第一電源(ELVDD)的電壓如上 所述根據像素的位置而改變時,顯示具有均勻亮度的圖像是非常困難的。
此外,傳統有機發光顯示裝置由于有機發光二極管(OLED)的劣化導 致效率改變,所以在顯示具有期望亮度的圖像方面存在問題。也就是說,有 機發光二極管(OLED)隨時間而劣化,從而使得顯示具有期望亮度的圖像變 得更加困難。事實上,隨著有機發光二極管(OLED)劣化,有機發光二極管 (OLED)器件產生亮度逐漸減小的圖像。
發明內容
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





