[發明專利]像素和使用該像素的有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 200910142448.6 | 申請日: | 2009-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN101609839A | 公開(公告)日: | 2009-12-23 |
| 發明(設計)人: | 金陽完 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 | 代理人: | 郭鴻禧;劉奕晴 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 使用 有機 發光 顯示裝置 | ||
1.一種像素,包括:
有機發光二極管;
第二晶體管,結合在第一電源和有機發光二極管的陽電極之間,用于控 制從第一電源提供到有機發光二極管的電流的量;
第三晶體管,結合在第二晶體管的第一電極和第一電源之間,第三晶體 管被構造為當向結合到第三晶體管的柵電極的發光控制線施加發光控制信號 時截止;
第一晶體管,結合在第二晶體管的柵電極和數據線之間,第一晶體管被 構造為當向結合到第一晶體管的柵電極的掃描線施加掃描信號時導通;
第一電容器,結合在第二晶體管的柵電極和第二晶體管的第一電極之間;
第二電容器,結合在第二晶體管的第一電極和第一電源之間;
補償電路,結合在有機發光二極管和第二晶體管的柵電極之間,所述補 償電路用于根據有機發光二極管的劣化來調整第二晶體管的柵電極處的電 壓,
其中,所述補償電路包括:第三電容器,第三電容器的第一端結合到第 二晶體管的柵電極;第四晶體管,結合在第三電容器的第二端和有機發光二 極管的陽電極之間,第四晶體管被構造為當向結合到第四晶體管的柵電極的 掃描線施加掃描信號時導通;第五晶體管,結合在第三電容器的第二端和參 考電源之間,第五晶體管被構造為當向結合到第五晶體管的柵電極的發光控 制線施加發光控制信號時截止。
2.根據權利要求1所述的像素,其中,第二電容器的電容大于第一電容 器的電容。
3.根據權利要求2所述的像素,其中,第二電容器的電容為第一電容器 的電容的2倍至10倍。
4.根據權利要求1所述的像素,其中,參考電源的電壓高于有機發光二 極管的閾值電壓。
5.一種有機發光顯示裝置,包括:掃描驅動器、數據驅動器和多個像素, 掃描驅動器用于將掃描信號施加到多條掃描線,并且掃描驅動器用于將發光 控制信號施加到多條發光控制線,數據驅動器用于提供重置電源電壓,并且 數據驅動器用于將數據信號施加到多條數據線,所述多個像素布置在所述多 條數據線和所述多條掃描線的交叉區域處,所述多個像素中的每個像素包括:
有機發光二極管;
第二晶體管,結合在第一電源和有機發光二極管的陽電極之間,第二晶 體管用于控制從第一電源提供到有機發光二極管的電流的量;
第三晶體管,結合在第二晶體管的第一電極和第一電源之間,第三晶體 管被構造為當向結合到第三晶體管的柵電極的相應的發光控制線施加發光控 制信號時截止;
第一晶體管,結合在第二晶體管的柵電極和相應的數據線之間,第一晶 體管被構造為當向結合到第一晶體管的柵電極的相應的掃描線施加掃描信號 時導通;
第一電容器,結合在第二晶體管的柵電極和第二晶體管的第一電極之間;
第二電容器,結合在第二晶體管的第一電極和第一電源之間;
補償電路,結合在有機發光二極管和第二晶體管的柵電極之間,所述補 償電路用于根據有機發光二極管的劣化來調整第二晶體管的柵電極處的電 壓,
其中,所述補償電路包括:第三電容器,第三電容器的第一端結合到第 二晶體管的柵電極;第四晶體管,結合在第三電容器的第二端和有機發光二 極管的陽電極之間,第四晶體管被構造為當向結合到第四晶體管的柵電極的 相應的掃描線施加掃描信號時導通;第五晶體管,結合在第三電容器的第二 端和參考電源之間,第五晶體管被構造為當向結合到第五晶體管的柵電極的 相應的發光控制線施加發光控制信號時截止。
6.根據權利要求5所述的有機發光顯示裝置,其中,第二電容器的電容 大于第一電容器的電容。
7.根據權利要求6所述的有機發光顯示裝置,其中,第二電容器的電容 為第一電容器的電容的2倍至10倍。
8.根據權利要求5所述的有機發光顯示裝置,其中,掃描驅動器被構造 為:在向第i掃描線施加掃描信號的時間段中的第二時段和第三時段期間, 向相應的第i發光控制線施加發光控制信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





