[發(fā)明專(zhuān)利]薄膜電晶體結(jié)構(gòu)及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910142100.7
• 申請(qǐng)日: 2009-05-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101562198A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝信宏;柯凱元
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/786
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/786;H01L21/336;H01L21/027
• 代理公司: 上海翼勝專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙）
• 代理人: 翟 羽;唐秀萍

1.一種薄膜電晶體結(jié)構(gòu)，至少包含有：

一源極；

一汲極；

一與該源極及該汲極接觸的主動(dòng)層，其具有一供電子或電洞移動(dòng)之通道；以及

一蝕刻阻擋層，設(shè)置於該主動(dòng)層上；

其特征在于：該蝕刻阻擋層的寬度大於該主動(dòng)層之通道的寬度。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜電晶體結(jié)構(gòu)，其特征在于：該主動(dòng)層之通道包含一氧化物。

3.如權(quán)利要求1所述的薄膜電晶體結(jié)構(gòu)，其特征在于：該主動(dòng)層之通道介於該源極及該汲極之間。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜電晶體結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包含有：

一閘極；以及

一絕緣層，介於該閘極與該主動(dòng)層之間。

5.如權(quán)利要求4所述的薄膜電晶體結(jié)構(gòu)，其特征在于：該閘極設(shè)置於該絕緣層之下。

6.如權(quán)利要求1所述的薄膜電晶體結(jié)構(gòu)，其特征在于：該源極及該汲極形成於該蝕刻阻擋層之上。

7.一種薄膜電晶體的制造方法，其特征在于，包含下列步驟：

形成一閘極；

形成一絕緣層於該閘極上且包覆該閘極；

形成一主動(dòng)層於該絕緣層上；

形成一蝕刻阻擋層於該主動(dòng)層上；以及

形成一源極及一汲極與該主動(dòng)層接觸；

其中該主動(dòng)層上具有一供電子或電洞移動(dòng)之通道，該蝕刻阻擋層的寬度大於該主動(dòng)層之通道的寬度。

8.如權(quán)利要求7所述的薄膜電晶體的制造方法，其特征在于：該主動(dòng)層之通道包含一氧化物。

9.如權(quán)利要求7所述的薄膜電晶體的制造方法，其特征在于：該主動(dòng)層之通道介於該源極及該汲極之間。

10.如權(quán)利要求7所述的薄膜電晶體的制造方法，其特征在于：該源極及該汲極形成於該蝕刻阻擋層之上。

11.如權(quán)利要求7所述的薄膜電晶體的制造方法，其特征在于：該源極及該汲極是利用乾蝕刻形成。