[發明專利]發光裝置及電子裝置

無效

• 申請號: 200910142029.2
• 申請日: 2009-05-27
• 公開（公告）號: CN101901856A
• 公開（公告）日: 2010-12-01
• 發明（設計）人: 劉宇桓
• 申請（專利權）人: 億光電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L25/075
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 王玉雙;黃艷

技術領域

本發明涉及發光裝置，特別涉及一種具有高發光強度的紅外光發光裝置。

背景技術

目前，發光二極管(light?emitting?diode；LEDs)已廣泛地應用于各種領域中。例如，藍光、紅光及綠光等可見光的發光二極管，可應用于照明及顯示等領域。然而，不可見光范圍的紅外光發光二極管則可應用于無線遠程控制及感應等領域。

一般而言，紅外光發光二極管是使用砷化鎵(GaAs)為基板，并在砷化鎵基板上沉積相似材質的發光層如砷化鎵或砷鋁化鎵(GaAlAs)的方式制作，并直接以此發光二極管晶粒發射發光波段范圍850～940納米的紅外光。然而，以此種方式制作的紅外光發光二極管的發光強度較差，且其發光波段較窄狹。

因此，亟需一種發光裝置，其可發射高發光強度的紅外光，乃是現今發光二極管制造廠商仍需努力解決的目標。

發明內容

有鑒于此，本發明的一實施例提供一種發光裝置，其包含：一發光晶粒，其發光波段范圍介于460～650納米之間；一封裝體，包覆此發光晶粒；以及一熒光粉體，散布于上述封裝體中，且此熒光粉體可經由上述發光晶粒所發射的光激發，而發射出一發光波段范圍介于700～1200納米之間的光，其中上述熒光粉體選自摻雜銅金屬的硫化鎘、摻雜銅金屬的硫化硒及摻雜銅金屬的碲化鎘及其任意組合。

此外，本發明另一實施例提供一種使用上述發光裝置的電子裝置，此電子裝置包含光學感應輸入裝置、遠程控制裝置或局域網絡信號收發裝置。

本發明再一實施例提供一種發光裝置。此發光裝置包含：一發光晶粒，其發光波段范圍介于460～650納米之間；一封裝體，包覆上述發光晶粒；以及一熒光粉體，散布于上述封裝體中，且上述熒光粉體經由上述發光晶粒所發射的光激發，而發射出一發光波段范圍介于700～1200納米之間的光，其中上述熒光粉體選自摻雜鈉或鉀金屬的硫酸鋇及硫酸鍶及其任意組合。

本發明又一實施例提供一種發光裝置。此發光裝置包含：一基板；及多個發光裝置，其以陣列式排列設置于上述基板上，其中上述發光裝置包含：一發光晶粒，其發光波段范圍介于460～650納米之間；一封裝體，包覆此發光晶粒；以及一熒光粉體，散布于上述封裝體中，且此熒光粉體可經由上述發光晶粒所發射的光激發，而發射出一發光波段范圍介于700～1200納米之間的光，其中上述熒光粉體選自摻雜銅金屬的硫化鎘、摻雜銅金屬的硫化硒及摻雜銅金屬的碲化鎘及其任意組合。

本發明又另一實施例提供一種發光裝置。此發光裝置包含：一基板；及多個發光裝置，其以陣列式排列設置于上述基板上，其中上述發光裝置包含：一發光晶粒，其發光波段范圍介于460～650納米之間；一封裝體，包覆上述發光晶粒；以及一熒光粉體，散布于上述封裝體中，且上述熒光粉體經由上述發光晶粒所發射的光激發，而發射出一發光波段范圍介于700～1200納米之間的光，其中上述熒光粉體選自摻雜鈉或鉀金屬的硫酸鋇及硫酸鍶及其任意組合。

本發明又另一實施例提供一種發光裝置。此發光裝置包含：一基板；多個發光波長范圍介于460～650納米間的發光晶粒，其以一陣列式排列設置于上述基板上；一封裝體，形成于上述基板上；及一熒光粉體，散布于上述封裝體中，且上述熒光粉體可經由上述發光晶粒所發射的光激發，而發射出一發光波段范圍介于700～1200納米之間的光，上述熒光粉體選自摻雜銅金屬的硫化鎘摻雜銅金屬的硫化硒及摻雜銅金屬的碲化鎘及其任意組合。

本發明又另一實施例提供一種發光裝置。此發光裝置包含：一基板；多個發光波長范圍介于460～650納米間的發光晶粒，其以一陣列式排列設置于上述基板上；一封裝體，形成于上述基板上；及一熒光粉體，散布于上述封裝體中，且上述熒光粉體可經由上述發光晶粒所發射的光激發，而發射出一發光波段范圍介于700～1200納米之間的光，其中上述熒光粉體選自摻雜鈉或鉀金屬的硫酸鋇及硫酸鍶其中之一。

綜上所述，通過發光晶粒以及熒光粉體的搭配，本發明提供的發光裝置可有效地發射高發光強度的紅外光。

附圖說明

圖1示出了根據本發明一實施例的發光裝置的示意圖；

圖2示出了根據本發明實施例的發光裝置的發光強度的仿真圖表；

圖3示出了根據本發明實施例的發光裝置的變化例示意圖。

圖4A-圖4B示出了根據本發明另一實施例的發光裝置的示意圖；及

圖5示出了使用本發明實施例的發光裝置的電子設備的示意圖。

其中，附圖標記說明如下：

10～發光裝置；????12～發光晶粒；