[發明專利]發光裝置及電子裝置

無效

• 申請號: 200910142029.2
• 申請日: 2009-05-27
• 公開（公告）號: CN101901856A
• 公開（公告）日: 2010-12-01
• 發明（設計）人: 劉宇桓
• 申請（專利權）人: 億光電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L25/075
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 王玉雙;黃艷

1.一種發光裝置，包含：

一發光晶粒，其發光波段范圍介于460～650納米之間；

一封裝體，包覆該發光晶粒；以及

一熒光粉體，散布于該封裝體中，且該熒光粉體經由該發光晶粒所發射的光激發，而發射出一發光波段范圍介于700～1200納米之間的光，其中該熒光粉體選自摻雜銅金屬的硫化鎘、摻雜銅金屬的硫化硒及摻雜銅金屬的碲化鎘及其任意組合。

2.如權利要求1所述的發光裝置，其中該熒光粉體為Cd_1-xS:Cu_x，或Cd_1-xSe:Cu_x，或Cd_1-xTe:Cu_x，其中x＜0.1，x＞0.01。

3.如權利要求1所述的發光裝置，其中該發光晶粒為一包含氮化鎵或銦氮化鎵的堆棧結構。

4.如權利要求3所述的發光裝置，其中該堆棧結構包括一藍寶石基板，以及在該藍寶石基板上依序堆棧形成的摻雜鎂的氮化鎵層、氮化鎵層及摻雜硅的氮化鎵層。

5.一種裝設如權利要求1所述的發光裝置的電子裝置，其中該電子裝置包含光學感應輸入裝置、遠程控制裝置或局域網絡信號收發裝置。

6.一種發光裝置，包含：

一發光晶粒，其發光波段范圍介于460～650納米之間；

一封裝體，包覆該發光晶粒；以及

一熒光粉體，散布于該封裝體中，且該熒光粉體經由該發光晶粒所發射的光激發，而發射出一發光波段范圍介于700～1200納米之間的光，其中該熒光粉體選自摻雜鈉或鉀金屬的硫酸鋇及硫酸鍶及其任意組合。

7.如權利要求6所述的發光裝置，其中該熒光粉包括添加堿金屬的硫酸鍶，該堿金屬包括鈉或鉀。

8.如權利要求7所述的發光裝置，其中該熒光粉還包括錫、鐵或鎳的摻雜。

9.如權利要求8所述的發光裝置，其中該熒光粉體為(Ba_1-xSr_x)SO₄:(Na，K)_y，(Sn，Fe，Ni)_z，其中0≤x≤1，0.0001≤y≤0.1，0≤z≤0.01。

10.如權利要求6所述的發光裝置，其中該發光晶粒為一包含氮化鎵或銦氮化鎵的堆棧結構。

11.如權利要求10所述的發光裝置，其中該堆棧結構包括一藍寶石基板，以及在該藍寶石基板上依序堆棧形成的摻雜鎂的氮化鎵層、氮化鎵層及摻雜硅的氮化鎵層。

12.一種裝設如權利要求6所述的發光裝置的電子裝置，其中該電子裝置包含光學感應輸入裝置、遠程控制裝置或局域網絡信號收發裝置。

13.一種發光裝置，包含：

一基板；及

多個如權利要求1所述的發光裝置，其以陣列式排列設置于該基板上。

14.一種發光裝置，包含：

一基板；及

多個如權利要求6所述的發光裝置，其以陣列式排列設置于該基板上。

15.一種發光裝置，包含：

一基板；

多個發光波長范圍介于460～650納米間的發光晶粒，其以一陣列式排列設置于該基板上；

一封裝體，形成于該基板上；及

一熒光粉體，散布于該封裝體中，且該熒光粉體可經由所述發光晶粒所發射的光激發，而發射出一發光波段范圍介于700～1200納米之間的光，該熒光粉體選自摻雜銅金屬的硫化鎘、摻雜銅金屬的硫化硒及摻雜銅金屬的碲化鎘及其任意組合。

16.如權利要求15所述的發光裝置，其中該熒光粉體為Cd_1-xS:Cu_x，或Cd_1-xSe:Cu_x，或Cd_1-xTe:Cu_x，其中x＜0.1，x＞0.01。

17.如權利要求15所述的發光裝置，其中所述發光晶粒為一包含氮化鎵或銦氮化鎵的堆棧結構。