[發(fā)明專利]開關電路及半導體裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910141751.4 | 申請日: | 2005-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN101562445A | 公開(公告)日: | 2009-10-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 中塚忠良;福本信治 | 申請(專利權)人: | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H03K17/687 | 分類號: | H03K17/687;H03K17/693;H01L27/088 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開關電路 半導體 裝置 | ||
1.一種高頻開關電路,包括:
輸出入高頻信號的多個輸出入端,
和接通、切斷所述輸出入端間的電連接的開關部,
所述開關部,由在互相留著間隔設在半導體層上的源極和漏極之間設有多個直流偏壓用柵極以及多個高頻信號用柵極的多柵極場效應晶體管構(gòu)成,其特征在于:
所述多柵極場效應晶體管,僅施加直流偏壓的所述直流偏壓用柵極設在所述高頻信號用柵極之間。
2.根據(jù)權利要求1所述的高頻開關電路,其特征在于:
高于等于使所述多柵極場效應晶體管成為導通狀態(tài)的高電平電壓的80%且低于等于所述高電平電壓的電壓,施加在所述直流偏壓用柵極上。
3.根據(jù)權利要求1所述的高頻開關電路,其特征在于:
高于等于使所述多柵極場效應晶體管成為導通狀態(tài)的高電平電壓的80%且低于等于90%的電壓,施加在所述直流偏壓用柵極上。
4.根據(jù)權利要求2或3所述的高頻開關電路,其特征在于:
所述高電平電壓為電源電壓。
5.根據(jù)權利要求1所述的高頻開關電路,其特征在于:
所述高頻開關電路是2輸入1輸出型高頻開關電路,
所述多個輸出入端為第一輸出入端、第二輸出入端及第三輸出入端,
在所述第一輸出入端與所述第二輸出入端之間連接了第一多柵極場效應晶體管、在所述第一輸出入端與所述第三輸出入端之間連接了第二多柵極場效應晶體管,
還具有使所述第一多柵極場效應晶體管和所述第二多柵極場效應晶體管的所述直流偏壓用柵極互相連接的偏壓用布線。
6.根據(jù)權利要求5所述的高頻開關電路,其特征在于:
還具有2個分流電路,該2個分流電路分別使所述第二輸出入端和所述第三輸出入端高頻地接地,
所述各分流電路,分別連接在所述第二輸出入端和接地之間及所述第三輸出入端和接地之間,由具有多個直流偏壓用柵極以及多個高頻信號用柵極的多柵極場效應晶體管構(gòu)成,
構(gòu)成所述分流電路的多柵極場效應晶體管的所述直流偏壓用柵極與所述偏壓用布線連接。
7.根據(jù)權利要求5或6所述的高頻開關電路,其特征在于:
與使所述多柵極場效應晶體管成為導通狀態(tài)的高電平電壓相等的電壓施加在所述偏壓用布線上。
8.根據(jù)權利要求5或6所述的高頻開關電路,其特征在于:
所述偏壓用布線與使所述第一多柵極場效應晶體管和所述第二多柵極場效應晶體管互相連接的所述輸出入端連接。
9.根據(jù)權利要求5或6所述的高頻開關電路,其特征在于:
所述偏壓用布線還具有電平移位電路,該電平移位電路產(chǎn)生高于等于使所述多柵極場效應晶體管成為導通狀態(tài)的高電平電壓的80%且低于等于90%的電壓。
10.根據(jù)權利要求9所述的高頻開關電路,其特征在于:
所述高電平電壓為電源電壓。
11.根據(jù)權利要求9所述的高頻開關電路,其特征在于:
所述電平移位電路,
由其陽極與一對控制所述第一多柵極場效應晶體管和所述第二多柵極場效應晶體管的直流偏壓用柵極的控制布線中的各個布線連接,其陰極與所述偏壓用布線連接的2個電平移位用二極管,
和其一端與所述一對控制布線中的各個布線連接,其另一端與所述偏壓用布線連接的2個偏壓調(diào)整用電阻構(gòu)成。
12.一種半導體裝置,其特征在于:
將權利要求1所述的高頻開關電路集成在半導體襯底上。
13.權利要求12所述的半導體裝置,其特征在于:
還設有放大高頻功率的高頻放大電路。
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