[發明專利]坐標檢測裝置

有效

• 申請號: 200910140577.1
• 申請日: 2009-05-08
• 公開（公告）號: CN101582005A
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發明（設計）人: 近藤幸一
• 申請（專利權）人: 富士通電子零件有限公司
• 主分類號: G06F3/045
• 分類號: G06F3/045
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 黨建華

1.一種坐標檢測裝置，包括：

電阻膜，形成在基片上；和

共用電極，形成在電阻膜上，用來將電壓施加到電阻膜上，

所述坐標檢測裝置構造成通過將電壓從共用電極施加到電阻膜上而在電阻膜中產生電位分布，并且構造成通過檢測電阻膜接觸位置的電位而檢測電阻膜接觸位置的坐標，

其中，基片由正方形形狀的絕緣體形成；

共用電極沿基片的邊緣部分形成；

在共用電極下方的電阻膜具有其中電阻膜不存在的一個或多個電阻膜缺少區域；及

其中電阻膜不存在的L形電阻膜缺少區域提供在基片的正方形形狀的一個或多個角部中，并且在共用電極的與其中基片中心位于的側相同的側上。

2.根據權利要求1所述的坐標檢測裝置，其中，在與共用電極的預定區域相對應的位置處具有接觸孔的絕緣膜形成在共用電極上；并且導電材料提供在接觸孔中，以形成用來通過共用電極將電壓施加到電阻膜上的驅動電壓施加單元。

3.根據權利要求1所述的坐標檢測裝置，還包括堆積在共用電極上的導線，使層間絕緣膜插入在所述堆積在共用電極上的導線之間。

4.根據權利要求1所述的坐標檢測裝置，還包括用來檢測坐標位置的電阻或靜電電容器型坐標定位單元。

5.一種坐標檢測裝置，包括：

電阻膜，形成在基片上；和

共用電極，形成在電阻膜上，用來將電壓施加到電阻膜上，

所述坐標檢測裝置構造成通過將電壓從共用電極施加到電阻膜上而在電阻膜中產生電位分布，并且構造成通過檢測電阻膜接觸位置的電位而檢測電阻膜接觸位置的坐標，

其中，基片由正方形形狀的絕緣體形成；

其中電阻膜不存在的第一電阻膜缺少區域提供成與共用電極相鄰，并且在共用電極的與其中基片中心位于的側相同的側上；

在共用電極和第一電阻膜缺少區域的相鄰側之間的空隙是0mm至5mm；及

L形第二電阻膜缺少區域提供在基片的正方形形狀的一個或多個角部中，并且在共用電極的與其中基片中心位于的側相同的側上。

6.根據權利要求5所述的坐標檢測裝置，其中，電阻膜由在光譜的可見區域中是透明的材料形成；并且通過用具有紅外區域或紫外區域的發光波長的激光照射電阻膜，形成第二電阻膜缺少區域。

7.根據權利要求5所述的坐標檢測裝置，其中，第一電阻膜缺少區域具有其中除去電阻膜的邊緣部分、和其中電阻膜保持在邊緣部分的內側上的內部部分；并且內部部分與電阻膜電氣絕緣，并提供在邊緣部分外側。