[發(fā)明專利]配線基板、配線基板的制造方法以及半導(dǎo)體封裝件

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910140447.8
• 申請(qǐng)日: 2009-05-15
• 公開（公告）號(hào): CN101582406A
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 依田稔久;松元俊一郎;佐藤雅子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 新光電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L23/48;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 顧紅霞;彭 會(huì)

1.一種配線基板，包括：

多個(gè)配線層；

多個(gè)絕緣層，其與所述配線層交替地堆疊，并且所述配線層通過形成在所述絕緣層中的導(dǎo)通孔相互電連接；

連接焊盤，其布置在所述配線層中的位于最外配線層內(nèi)側(cè)的至少一個(gè)配線層上；以及

外部連接端子，其布置在所述連接焊盤上，并且從所述配線基板的表面突出來，

其中，所述外部連接端子穿過所述最外配線層。

2.一種配線基板，包括：

多個(gè)配線層，

多個(gè)絕緣層，其與所述配線層交替地堆疊，并且所述配線層通過形成在所述絕緣層中的導(dǎo)通孔相互電連接；

連接焊盤，其布置在所述配線層中的位于最外配線層內(nèi)側(cè)的至少一個(gè)配線層上；以及

空間，其形成為沿著從所述連接焊盤朝向所述配線基板的表面的方向穿過所述最外配線層，

其中，所述空間形成為用于插入外部連接端子，所述外部連接端子用于連接安裝在所述配線基板上的半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體器件。

3.一種半導(dǎo)體封裝件，其中，

在根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板上利用所述外部連接端子安裝有半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體器件。

4.一種半導(dǎo)體封裝件，其中，

半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體器件安裝在根據(jù)權(quán)利要求2所述的配線基板上，

所述半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體器件具有所述外部連接端子，并且

所述外部連接端子與所述連接焊盤連接。

5.一種制造配線基板的方法，在所述配線基板中，多個(gè)配線層與多個(gè)絕緣層交替地堆疊，并且所述配線層通過形成在所述絕緣層中的導(dǎo)通孔相互電連接，所述方法包括：

形成外部連接端子，所述外部連接端子用于連接安裝在所述配線基板上的半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體器件；

將所述外部連接端子與如下連接焊盤連接，所述連接焊盤布置在所述配線層中的位于最外配線層內(nèi)側(cè)的至少一個(gè)配線層上；以及

使所述外部連接端子穿過所述最外配線層。

6.一種制造配線基板的方法，在所述配線基板中，多個(gè)配線層與多個(gè)絕緣層交替地堆疊，并且所述配線層通過形成在所述絕緣層中的導(dǎo)通孔相互電連接，所述方法包括：

形成最外配線層，所述最外配線層包括阻焊層和位于所述阻焊層下面的絕緣層；

形成連接焊盤，所述連接焊盤布置在所述配線層中的位于所述最外配線層內(nèi)側(cè)的至少一個(gè)配線層上；以及

形成空間，使得所述空間沿著從所述連接焊盤朝向所述配線基板的表面的方向穿過所述最外配線層，

其中，所述空間形成為用于插入外部連接端子，所述外部連接端子用于連接安裝在所述配線基板上的半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體器件。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造配線基板的方法，其中，

通過對(duì)所述阻焊層和所述絕緣層同時(shí)進(jìn)行打孔來形成所述空間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造配線基板的方法，其中，

通過使用激光器形成所述空間。