[發明專利]配線基板、配線基板的制造方法以及半導體封裝件無效
| 申請號: | 200910140447.8 | 申請日: | 2009-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN101582406A | 公開(公告)日: | 2009-11-18 |
| 發明(設計)人: | 依田稔久;松元俊一郎;佐藤雅子 | 申請(專利權)人: | 新光電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L23/48;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 | 代理人: | 顧紅霞;彭 會 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 配線基板 制造 方法 以及 半導體 封裝 | ||
技術領域
本發明涉及配線基板、制造這種配線基板的方法以及半導體封裝件,在所述配線基板中,多個配線層與多個絕緣層交替堆疊,并且配線層通過形成在絕緣層中的導通孔相互電連接。
背景技術
由于需要增強信息通訊設備的性能和功能,所以用作這些設備的實現設備功能的中心電子部件的半導體封裝件高密度地安裝。由于高密度地安裝,所以在配線基板上安裝半導體芯片或半導體器件的安裝密度增加了。通常使用如下多層配線基板作為用于增加安裝密度的基板:在該多層配線基板中,多個配線層與多個絕緣層交替堆疊,并且配線層通過形成在絕緣層中的導通孔相互電連接。由于將要安裝在基板上的半導體芯片的集成度較高以及半導體器件的將要與基板連接的端子的間距較小,所以還必須使配線基板的連接端子小型化。特別是,需要使基板的最外層配線的配線密度最大化。具體地說,對于最外層配線的設計規則而言,例如,需要提高用于外部連接端子的連接焊盤與表面的阻焊層開口之間的位置精確度。例如,未經審查的日本專利申請公報No.JP-A-2003-152311公開了一種制造現有技術的配線基板的方法,其中通過使用光刻法和激光器精確地形成開口。未經審查的日本專利申請公報No.JP-A-2000-244125公開了一種制造現有技術的配線基板的方法,其中在不使用光敏樹脂作為阻焊層材料的情況下通過使用激光器形成開口。
在現有技術的配線基板的最外層配線的設計中,每一個呈圓形等形狀的連接焊盤的邊緣部分都被阻焊層覆蓋。因此,必須精確阻焊層的與連接焊盤相對應的開口,并且開口的形成精度會影響基板表面的配線密度的設計規則。為了提高開口的形成精度,如JP-A-2003-152311和JP-A-2000-244125所公開的,使用了激光技術。
然而,在現有技術的方法中,不能進一步提高配線密度。
發明內容
本發明的示例性的各個方面提供了一種配線基板、制造配線基板的方法以及半導體封裝件,其中可以高密度地形成配線基板的最外配線層的配線。
為了實現上述目的,本發明的配線基板為以下配線基板:多個配線層與多個絕緣層交替堆疊,并且所述配線層通過形成在所述絕緣層中的導通孔相互電連接,其中所述配線基板具有:連接焊盤,其布置在配線層中的位于最外配線層內側的至少一個配線層上;以及外部連接端子,其布置在所述連接焊盤上并且從所述配線基板的表面突出來,所述外部連接端子穿過所述最外配線層。
為了實現上述目的,本發明的配線基板為以下配線基板:多個配線層與多個絕緣層交替堆疊,并且所述配線層通過形成在所述絕緣層中的導通孔相互電連接,其中空間形成為沿著從如下連接焊盤朝向所述配線基板的表面的方向穿過最外配線層,所述連接焊盤布置在配線層中的位于所述最外配線層內側的至少一個配線層上,外部連接端子將要插入所述空間中,所述外部連接端子用于連接將要安裝在所述配線基板上的半導體芯片或半導體器件。
為了實現上述目的,本發明的制造方法為制造如下配線基板的方法,在所述配線基板中,多個配線層與多個絕緣層交替堆疊,并且所述配線層通過形成在所述絕緣層中的導通孔相互電連接,其中所述方法具有焊料外部連接端子形成步驟,在該步驟中,形成外部連接端子,所述外部連接端子用于連接將要安裝在所述配線基板上的半導體芯片或半導體器件;同時將所述外部連接端子與如下連接焊盤連接,所述連接焊盤布置在配線層中的位于最外配線層內側的至少一個配線層上;并且使所述外部連接端子穿過所述最外配線層。
為了實現上述目的,本發明的制造方法為制造如下配線基板的方法,在所述配線基板中,多個配線層與多個絕緣層交替堆疊,并且所述配線層通過形成在所述絕緣層中的導通孔相互電連接,其中所述方法具有以下步驟:形成空間,外部連接端子將要插入所述空間中,所述外部連接端子用于連接將要安裝在所述配線基板上的半導體芯片或半導體器件;同時使所述空間沿著從如下連接焊盤朝向所述配線基板的表面的方向穿過最外配線層,所述連接焊盤布置在配線層中的位于所述最外配線層內側的至少一個配線層上,所述最外配線層由表面的阻焊層和位于所述阻焊層下面的絕緣層構成。
附圖說明
圖1A是示出在批量生產步驟中的本發明的配線基板片10的視圖。
圖1B是示出本發明第一實施例的配線基板1的表面的視圖。
圖1C是示出在第一實施例中布置在連接焊盤上的外部連接端子的視圖。
圖1D是示出沿著包含相鄰連接焊盤中心的剖切線A-A(圖1B)截取的第一實施例的配線基板1的剖視圖。
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