[發(fā)明專利]用于交流驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910140354.5 | 申請(qǐng)日: | 2009-07-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101839403A | 公開(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蘇驊;周錫煙;李裕民;胡裕周;黃志偉;鄭子淇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英特明光能股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | F21S2/00 | 分類號(hào): | F21S2/00;F21V19/00;F21V23/00;F21V9/10;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭鴻禧;王青芝 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 交流 驅(qū)動(dòng) 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種用于交流驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置,其特征在于包含:
支架;
至少一個(gè)第一發(fā)光二極管晶粒配置于所述支架之上;以及
至少一個(gè)補(bǔ)償電路;
其中,所述補(bǔ)償電路采取分離式配置于所述支架之上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,其特征在于所述第一發(fā)光二極管晶粒由多個(gè)微型發(fā)光二極管晶粒串接而形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置,其特征在于串接所述多個(gè)微型發(fā)光二極管晶粒是指以兩個(gè)微型晶粒電極反向相接為組成單元而形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置,其特征在于所述組成單元在交流驅(qū)動(dòng)時(shí),響應(yīng)于正、負(fù)半波周期,兩個(gè)電極反向相接的微型晶粒將交互輪流發(fā)光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,其特征在于所述補(bǔ)償電路補(bǔ)償電壓及演色性。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,其特征在于所述補(bǔ)償電路以橋式方式連接多個(gè)第二發(fā)光二極管晶粒。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,其特征在于所述分離式配置是指所述補(bǔ)償電路所使用的多個(gè)第二發(fā)光二極管晶粒與所述第一發(fā)光二極管晶粒分別在不同基板上制作。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置,其特征在于所述第一發(fā)光二極管晶粒及所述第二發(fā)光二極管晶粒發(fā)出具有相同波長(zhǎng)的光。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置,其特征在于所述第一發(fā)光二極管晶粒及所述第二發(fā)光二極管晶粒由氮化鎵系化合物半導(dǎo)體材料所組成。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置,其特征在于所述第一發(fā)光二極管晶粒及所述第二發(fā)光二極管晶粒發(fā)出具有不同波長(zhǎng)的光。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置,其特征在于所述第二發(fā)光二極管晶粒為氮化銦系、磷化鋁銦鎵系、砷化鋁鎵系、磷化砷鎵系或磷化鎵系化合物半導(dǎo)體材料其中之一所組成。
12.一種用于交流驅(qū)動(dòng)之發(fā)光裝置,其特征在于包含:
支架;
至少一個(gè)第一發(fā)光二極管晶粒配置形成所述支架之上;
至少一個(gè)補(bǔ)償電路配置形成所述支架之上;以及
至少一個(gè)熒光粉以及膠材配置形成于所述補(bǔ)償電路、所述第一發(fā)光二極管晶粒以及所述支架的上方。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置,其特征在于所述補(bǔ)償電路具有多個(gè)第二發(fā)光二極管晶粒。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置,其特征在于所述多個(gè)第二發(fā)光二極管晶粒以橋式方式連接而補(bǔ)償電壓及演色性。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置,其特征在于所述支架還包含具有焊盤的多層印刷電路。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置,其特征在于所述熒光粉為釔鋁石榴石熒光粉、硅酸鹽類熒光粉或氮化物類熒光粉中的其中一個(gè)。
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