[發明專利]閃速存儲設備的編程方法無效
| 申請號: | 200910140313.6 | 申請日: | 2009-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN101640072A | 公開(公告)日: | 2010-02-03 |
| 發明(設計)人: | 金胄仁 | 申請(專利權)人: | 海力士半導體有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/10 | 分類號: | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 楊林森;康建峰 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲 設備 編程 方法 | ||
1.一種閃速存儲設備的編程方法,包括:
把第一數據和第二數據輸入到頁緩沖器,所述頁緩沖器被耦接到包括偶數頁和奇數頁的存儲單元;
使用所述第一數據對奇數頁的第一存儲單元進行預先編程;
使用所述第二數據對所述偶數頁的第二存儲單元進行編程;并且
使用所述第一數據來對預先編程的第一存儲單元進行編程。
2.如權利要求1所述的編程方法,其中使用低于目標驗證電壓的第一驗證電壓來執行對所述預先編程的驗證。
3.如權利要求2所述的編程方法,其中所述第一驗證電壓和所述目標驗證電壓之間的差異是源于在所述偶數頁和所述奇數頁之間的干擾效應的閾值電壓分布的偏移。
4.如權利要求1所述的編程方法,其中在編程第一存儲單元和第二存儲單元之后使用目標驗證電壓來執行編程驗證。
5.如權利要求1所述的編程方法,其中預先編程之后的第一存儲單元的閾值電壓已經響應于第二存儲單元的編程操作的干擾效應而上升。
6.如權利要求1所述的編程方法,其中使用增量階躍脈沖編程方法來執行第一存儲單元的編程和第二存儲單元的編程。
7.如權利要求1所述的編程方法,其中預先編程的第一存儲單元的閾值電壓分布小于編程的第二存儲單元的閾值電壓分布。
8.一種閃速存儲設備的編程方法,包括:
把第一數據和第二數據輸入到頁緩沖器,所述頁緩沖器被耦接到包括偶數頁和奇數頁的存儲單元;
使用所述第一數據對所述奇數頁的第一存儲單元進行預先編程;
使用所述第二數據對所述偶數頁的第二存儲單元進行編程;
使用編程電壓對第二存儲單元重復地執行編程操作,直到通過執行第一驗證操作而判定第二存儲單元的閾值電壓高于目標閾值電壓,其中所述編程電壓在每次重復都被提高了階躍電壓;
使用所述第一數據來對預先編程的第一存儲單元進行編程;并且
使用編程電壓對第一存儲單元重復地執行編程操作,直到通過執行第二驗證操作而判定第一存儲單元的閾值電壓高于所述目標閾值電壓,其中所述編程電壓在每次重復都被提高了階躍電壓。
9.如權利要求8所述的編程方法,其中已經執行預先編程之后的第一閾值電壓的最小值小于目標閾值電壓。
10.如權利要求8所述的編程方法,其中使用低于目標驗證電壓的第一驗證電壓來執行對所述預先編程的驗證。
11.如權利要求10所述的編程方法,其中所述第一驗證電壓和所述目標驗證電壓之間的差異是源于在所述偶數頁和所述奇數頁之間的干擾效應的閾值電壓分布的偏移。
12.如權利要求8所述的編程方法,其中在編程第一存儲單元和第二存儲單元之后使用目標驗證電壓來執行編程驗證。
13.如權利要求8所述的編程方法,其中預先編程之后的第一存儲單元的閾值電壓已經響應于第二存儲單元的編程操作的干擾效應而上升。
14.如權利要求8所述的編程方法,其中使用增量階躍脈沖編程方法來執行第一存儲單元的編程和第二存儲單元的編程。
15.如權利要求8所述的編程方法,其中預先編程的第一存儲單元的閾值電壓分布小于編程的第二存儲單元的閾值電壓分布。
16.一種閃速存儲設備的編程方法,包括:
把第一數據和第二數據輸入到頁緩沖器,所述頁緩沖器被耦接到包括偶數頁和奇數頁的存儲單元;
通過向奇數頁的第一存儲單元施加第一數據和低于目標驗證電壓的第一驗證電壓來對第一存儲單元進行預先編程;并且
在通過向第一存儲單元施加第一數據和所述目標驗證電壓來對預先編程的第一存儲單元進行編程之前,通過向偶數頁的第二存儲單元施加第二數據和所述目標驗證電壓來對第二存儲單元進行編程。
17.如權利要求16所述的編程方法,其中第一驗證電壓低于所述目標驗證電壓,使得編程第二存儲單元之后的第一存儲單元的閾值電壓分布高于編程第二存儲單元之前的第一存儲單元的閾值電壓分布,但是低于編程第一存儲單元之后的第一存儲單元的閾值電壓分布。
18.如權利要求16所述的編程方法,其中使用增量階躍脈沖編程方法來執行第一存儲單元的編程和第二存儲單元的編程。
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