[發(fā)明專利]包括驅(qū)動晶體管的半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910140192.5
• 申請日: 2009-07-10
• 公開（公告）號: CN101626021A
• 公開（公告）日: 2010-01-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李世薰;李忠浩;崔晶東;金泰瑢;金宇中;張桐熏;尹永培;金基玄;劉民胎
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L29/78;H01L29/417
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 李 佳;穆德駿

相關(guān)申請的交叉引用

本美國非臨時專利申請根據(jù)35U.S.C.§119要求2008年7 月11日提交給韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請No.10-2008-0067702 的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。

技術(shù)領(lǐng)域

在此描述的本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，更具體而言，涉 及一種包括驅(qū)動晶體管的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置包括用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器裝置、用于處理數(shù) 據(jù)和執(zhí)行計算的邏輯裝置以及用于同時執(zhí)行各種功能的混合裝置。存 儲器裝置的類型包括如果電源中斷則丟失其存儲數(shù)據(jù)的易失性存儲器 裝置和如果去除電源仍保持其存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器裝置。

對高度集成的半導(dǎo)體裝置的要求已提高很多，然而，如果 通過簡單的按比例縮小來將半導(dǎo)體裝置高度集成，則可能存在各種限 制。例如，如果將最小線寬縮小至幾十納米，則用于制造半導(dǎo)體裝置 的工藝裕度會變得縮小。另外，可能難以使半導(dǎo)體裝置中的具有各種 功能的單個組件(例如裝置中的各種驅(qū)動電路和/或存儲器單元)的所 有特性最優(yōu)化。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種針對高度集成而最優(yōu)化的包括驅(qū)動晶體 管的半導(dǎo)體裝置。

本發(fā)明還提供一種針對高度集成而最優(yōu)化的包括驅(qū)動晶 體管和存儲器單元的半導(dǎo)體裝置。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種半導(dǎo)體裝置可以包括在襯底中 限定的驅(qū)動有源區(qū)和在驅(qū)動有源區(qū)處設(shè)置的至少三個驅(qū)動晶體管。所 述至少三個驅(qū)動晶體管共享一個公共源極/漏極；所述至少三個驅(qū)動晶 體管分別包括至少三個單獨源極/漏極；所述至少三個單獨源極/漏極相 互獨立，并且所述公共源極/漏極和所述至少三個單獨源極/漏極被設(shè)置 在驅(qū)動有源區(qū)中。

在某些實施例中，驅(qū)動有源區(qū)可以包括公共部分和至少三 個分支部分。分支部分可以從公共部分延伸并且可以相互間隔開。分 別地，公共源極/漏極可以設(shè)置在至少公共部分中，并且單獨源極/漏極 可以設(shè)置在分支部分中。每個驅(qū)動晶體管可以包括驅(qū)動?xùn)艠O圖案，該 驅(qū)動?xùn)艠O圖案設(shè)置在單獨源極/漏極與公共源極/漏極之間的分支部分 上。

在某些實施例中，半導(dǎo)體裝置還可以包括分別與至少三個 驅(qū)動晶體管相對應(yīng)的至少三個單元串。每個單元串可以包括第一選擇 柵極線、多個單元柵極線以及第二選擇柵極線，其中，第一選擇柵極 線、多個單元柵極線以及第二選擇柵極線中的一個被電連接到單獨源 極/漏極中的每一個。

在某些實施例中，驅(qū)動晶體管控制高于電源電壓的驅(qū)動電 壓。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種半導(dǎo)體裝置可以包括：驅(qū)動 有源區(qū)，其被限定在襯底中，該驅(qū)動有源區(qū)包括公共部分及第一分支 部分、第二分支部分以及第三分支部分，第一至第三分支部分從所述 公共部分延伸并相互間隔開；第一驅(qū)動?xùn)艠O圖案、第二驅(qū)動?xùn)艠O圖案 以及第三驅(qū)動?xùn)艠O圖案，其分別與第一分支部分、第二分支部分和第 三分支部分交叉；公共源極/漏極，其設(shè)置在至少公共部分中；以及第 一單獨源極/漏極、第二單獨源極/漏極和第三單獨源極/漏極，其分別設(shè) 置在第一、第二和第三驅(qū)動?xùn)艠O圖案的一側(cè)處的第一、第二和第三分 支部分中，第一至第三單獨源極/漏極相互間隔開。

在某些實施例中，半導(dǎo)體裝置還可以包括在襯底的單元區(qū) 中設(shè)置的第一單元串、第二單元串以及第三單元串，其中，第一單元 串包括電連接到第一單獨源極/漏極的柵極線；第二單元串包括被電連 接到第二單獨源極/漏極的柵極線；以及第三單元串包括被電連接到第 三單獨源極/漏極的柵極線。

在某些實施例中，第一至第三單元串中的每一個可以包括 第一選擇線、多個單元柵極線以及第二選擇柵極線，并且被電連接到 第一至第三單獨源極/漏極的柵極線可以具有相同的類型。

在某些實施例中，可以沿著第一方向順序地布置第一分支 部分、公共部分以及第三分支部分，并且可以沿著與第一方向垂直的 第二方向順序地布置公共部分和第二分支部分。

在某些實施例中，半導(dǎo)體裝置還可以包括：第一接合 (landing)傳導(dǎo)圖案，其設(shè)置在第一單獨源極/漏極上并且平行于第一 驅(qū)動?xùn)艠O圖案；第二接合傳導(dǎo)圖案，其設(shè)置在第二單獨源極/漏極上并 且平行于第二驅(qū)動?xùn)艠O圖案；第三接合傳導(dǎo)圖案，其設(shè)置在第三單獨 源極/漏極上并且平行于第三驅(qū)動?xùn)艠O圖案；以及公共接合傳導(dǎo)圖案， 其設(shè)置在公共源極/漏極上。