[發(fā)明專利]包括驅(qū)動晶體管的半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910140192.5 | 申請日: | 2009-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN101626021A | 公開(公告)日: | 2010-01-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李世薰;李忠浩;崔晶東;金泰瑢;金宇中;張桐熏;尹永培;金基玄;劉民胎 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/105 | 分類號: | H01L27/105;H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司: | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 李 佳;穆德駿 |
| 地址: | 韓國京畿道水*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包括 驅(qū)動 晶體管 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,包括:
在襯底中限定的驅(qū)動有源區(qū),所述驅(qū)動有源區(qū)包括公共部分和第 一分支部分、第二分支部分以及第三分支部分,所述第一分支部分至 第三分支部分從所述公共部分延伸并且被相互間隔開;
分別跨越所述第一分支部分、所述第二分支部分和所述第三分支 部分的第一驅(qū)動?xùn)艠O圖案、第二驅(qū)動?xùn)艠O圖案以及第三驅(qū)動?xùn)艠O圖案;
被設(shè)置在至少所述公共部分中的公共源極/漏極;以及
第一單獨源極/漏極、第二單獨源極/漏極和第三單獨源極/漏極, 分別被設(shè)置在所述第一驅(qū)動?xùn)艠O圖案、所述第二驅(qū)動?xùn)艠O圖案和所述 第三驅(qū)動?xùn)艠O圖案的一側(cè)處的所述第一分支部分、所述第二分支部分 和所述第三分支部分中,所述第一單獨源極/漏極至第三單獨源極/漏極 被相互間隔開。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,還包括在所述襯底的單元區(qū) 中設(shè)置的第一單元串、第二單元串以及第三單元串,
其中,所述第一單元串包括被電連接到所述第一單獨源極/漏極的 柵極線;
所述第二單元串包括被電連接到所述第二單獨源極/漏極的柵極 線;以及
所述第三單元串包括被電連接到所述第三單獨源極/漏極的柵極 線。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述第一單元串至第 三單元串中的每一個包括第一選擇線、多個單元柵極線以及第二選擇 柵極線;以及
被電連接到所述第一單獨源極/漏極至第三單獨源極/漏極的所述 柵極線具有相同的類型。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中,沿著第一方向順序地 布置所述第一分支部分、所述公共部分以及所述第三分支部分;以及
沿著與所述第一方向垂直的第二方向順序地布置所述公共部分和 所述第二分支部分。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,還包括:
第一接合傳導(dǎo)圖案,被設(shè)置在所述第一單獨源極/漏極上并且平行 于所述第一驅(qū)動?xùn)艠O圖案;
第二接合傳導(dǎo)圖案,被設(shè)置在所述第二單獨源極/漏極上并且平行 于所述第二驅(qū)動?xùn)艠O圖案;
第三接合傳導(dǎo)圖案,被設(shè)置在所述第三單獨源極/漏極上并且平行 于所述第三驅(qū)動?xùn)艠O圖案;以及
公共接合傳導(dǎo)圖案,被設(shè)置在所述公共源極/漏極上。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,還包括:
分別被電連接到所述第一單獨源極/漏極、第二單獨源極/漏極和第 三單獨源極/漏極的第一互連線、第二互連線以及第三互連線;以及
被電連接到所述公共源極/漏極的驅(qū)動線。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中:
所述驅(qū)動有源區(qū)包括第四分支部分,所述第四分支部分從所述公 共部分延伸并且與所述第一分支部分至第三分支部分間隔開;以及
所述半導(dǎo)體裝置還包括:
跨越所述第四分支部分的第四驅(qū)動?xùn)艠O圖案;以及
第四單獨源極/漏極,被設(shè)置在所述第四驅(qū)動?xùn)艠O圖案的一側(cè)處的 第四分支部分中并且與所述第一單獨源極/漏極至第三單獨源極/漏極 間隔開。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置,其中:
沿著第一方向順序地布置所述第一分支部分、所述公共部分以及 所述第三分支部分;以及
沿著與所述第一方向垂直的第二方向順序地布置所述第二分支部 分、所述公共部分以及所述第四分支部分。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置,還包括:
被設(shè)置在所述襯底的單元區(qū)中的第一單元串、第二單元串、第三 單元串以及第四單元串,
其中,所述第一單元串包括被電連接到所述第一單獨源極/漏極的 柵極線;
所述第二單元串包括被電連接到所述第二單獨源極/漏極的柵極 線;
所述第三單元串包括被電連接到所述第三單獨源極/漏極的柵極 線;以及
所述第四單元串包括被電連接到所述第四單獨源極/漏極的柵極 線。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





