[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910139117.7
• 申請日: 2005-09-22
• 公開（公告）號: CN101546748A
• 公開（公告）日: 2009-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 上杉勝洋;片山克生;酒井克尚
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社瑞薩科技
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 金春實

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

第一層間絕緣膜；

在上述第一層間絕緣膜之上形成的第一蝕刻阻止膜；

在上述第一蝕刻阻止膜之上形成的導(dǎo)電層；

以覆蓋上述第一蝕刻阻止膜的上表面、上述導(dǎo)電層的一個側(cè)面和上述導(dǎo)電層的上表面的一部分的方式形成的第二蝕刻阻止膜；

以覆蓋上述第二蝕刻阻止膜和上述導(dǎo)電層的方式形成的第二層間絕緣膜；

以在厚度方向上貫通上述第二層間絕緣膜，與上述導(dǎo)電層以及上述第二蝕刻阻止膜接觸的方式形成的連接布線，

上述導(dǎo)電層由鋁或者鎢構(gòu)成。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

上述第一蝕刻阻止膜和上述第二蝕刻阻止膜分別包含硅氮化膜和富硅氧化膜中的任一種。

3.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：

形成第一絕緣膜的步驟；

在上述第一絕緣膜之上形成第一蝕刻阻止膜的步驟；

在上述第一蝕刻阻止膜之上形成導(dǎo)電層的步驟；

以覆蓋上述第一蝕刻阻止膜和上述導(dǎo)電層的方式形成第二蝕刻阻止膜的步驟；

在上述第二蝕刻阻止膜之上形成第二層間絕緣膜的步驟；

形成在厚度方向上貫通上述第二層間絕緣膜，到達(dá)上述導(dǎo)電層的孔的步驟；以及

通過在上述孔內(nèi)形成連接布線，使上述導(dǎo)電層和上述第二蝕刻阻止膜接觸于上述連接布線的步驟。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中：

上述第一蝕刻阻止膜和上述第二蝕刻阻止膜分別包含硅氮化膜和富硅氧化膜中的任一種。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中：

形成上述孔的步驟包括：以第一蝕刻條件蝕刻上述第二層間絕緣膜以露出上述第二蝕刻阻止膜的步驟、和以與上述第一蝕刻條件不同的第二蝕刻條件蝕刻上述第二蝕刻阻止膜以露出上述導(dǎo)電層的步驟，其中，在上述第一蝕刻條件中使用的蝕刻氣體不同于上述第二蝕刻條件中使用的蝕刻氣體。

6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中：

上述導(dǎo)電層由鋁或者鎢構(gòu)成。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中：

在上述第一蝕刻條件中采用的上述蝕刻氣體是，在含有C和F的CF系氣體中添加了O₂和CO中的至少任一種或Ar得到的氣體；

在上述第二蝕刻條件中采用的上述蝕刻氣體是，在CHF₃或CH₂F₂中添加了O₂和CO中的至少任一種或Ar得到的氣體。