[發明專利]半導體集成電路器件的制造方法

有效

• 申請號: 200910139008.5
• 申請日: 2009-05-13
• 公開（公告）號: CN101592871A
• 公開（公告）日: 2009-12-02
• 發明（設計）人: 田中稔彥
• 申請（專利權）人: 株式會社瑞薩科技
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/14;G03F1/08;H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 王茂華;于英慧

1.一種半導體集成電路器件的制造方法，包括以下工序：

(a)準備在主面上形成有光致抗蝕劑膜的半導體晶片；

(b)將上述半導體晶片配置在具有反射型光學系統的投影曝光 系統的晶片載置臺上；

(c)將具有第一圖案和第二圖案的反射型掩膜提供到上述投影 曝光系統的預定位置上，其中，上述第一圖案由反射預定波長的光 的反射層和形成在上述反射層上且吸收上述預定波長的光的吸收層 形成，上述第二圖案由反射上述預定波長的光的反射層和形成在上 述反射層上且吸收上述預定波長的光的吸收層形成；

(d)根據上述反射型掩模的上述第一圖案和上述第二圖案，用 上述預定波長的光對上述半導體晶片的光致抗蝕劑膜進行曝光，

其中：

形成上述反射型掩模的上述第一圖案的上述吸收層具有露出上 述反射層且與上述第一圖案對應的第一開口圖案和形成在上述第一 開口圖案的周圍且與上述第一開口圖案不同的輔助圖案，

形成上述反射型掩模的上述第二圖案的上述吸收層具有露出上 述反射層且與上述第二圖案對應的第二開口圖案，且在上述第二開 口圖案的周圍不具有與上述第二開口圖案不同的輔助圖案，

上述第一開口圖案和形成在上述第一開口圖案的周圍的上述輔 助圖案被配置成隔著上述吸收層相互分離。

2.根據權利要求1所述的半導體集成電路器件的制造方法，其 特征在于，

上述反射型掩模的上述輔助圖案是用于調整光量的圖案，其中 上述光量用于將上述光致抗蝕劑膜曝光為預定圖案。

3.根據權利要求2所述的半導體集成電路器件的制造方法，其 特征在于，

上述預定波長的光是超短紫外光。

4.根據權利要求3所述的半導體集成電路器件的制造方法，其 特征在于，

上述反射型掩模的反射層以多層膜為主要構成要素，其中上述 多層膜由鉬層和硅層構成，

上述反射型掩模的吸收層的構成要素包括氮化鉭膜或者鉻膜。

5.根據權利要求1所述的半導體集成電路器件的制造方法，其 特征在于，

在上述第一開口圖案的周圍具有多個輔助圖案，上述多個輔助 圖案中的、沿著與上述預定波長的光的方向平行的方向延伸的輔助 圖案的寬度和沿著與上述預定波長的光的方向垂直的方向延伸的輔 助圖案的寬度不同。

6.一種半導體集成電路器件的制造方法，包括以下工序：

(a)準備在主面上形成有光致抗蝕劑膜的半導體晶片；

(b)將上述半導體晶片配置在具有反射型光學系統的投影曝光 系統的晶片載置臺上；

(c)將具有開口圖案的反射型掩模提供到上述投影曝光系統的 預定位置上，其中上述開口圖案由反射預定波長的光的反射層和形 成在上述反射層上且吸收上述預定波長的光的吸收層形成；

(d)根據上述反射型掩模的上述開口圖案，用上述預定波長的 光對上述半導體晶片的光致抗蝕劑膜進行曝光；

(e)在上述(d)工序之后，抽取被復制在上述光致抗蝕劑膜 上的上述開口圖案的缺陷部位；

(f)當在上述(e)工序中抽取出的上述缺陷的內容是上述開口 圖案的非開口缺陷、或開口尺寸微小缺陷時，在上述開口圖案附近 的上述吸收層上形成輔助圖案，其中上述輔助圖案具有比上述開口 圖案細微的開口直徑，

在此，上述開口圖案和形成在上述開口圖案的附近的上述輔助 圖案被配置成隔著上述吸收層相互分離。

7.根據權利要求6所述的半導體集成電路器件的制造方法，其 特征在于，

上述預定波長的光是超短紫外光。

8.根據權利要求7所述的半導體集成電路器件的制造方法，其 特征在于，

上述超短紫外光的波長是13.5nm。